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液晶nand恢复 DRAM出现AI特需,NAND恢复缓慢
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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DRAM出现AI特需,NAND恢复缓慢

2023年7~9月,用于存储个人电脑和智能手机数据的DRAM的需求量3年来首次超过供应量。面向生成式AI(人工智能)高速处理数据的半导体需求猛增。但并未对数据传输速度较慢的NAND型闪存吹入东风。

英国调查公司Omdia的数据显示,7~9月DRAM的需求量达到561GB(Gigabyte,吉字节,1吉为10亿),比去年同期增长13%。供应量同比下滑15%,降至513亿GB。

预计10~12月DRAM的“供应充足度”为-28.3%,DRAM将供不应求。供应充足度为供应量除以需求量减去1再乘以100计算得出。结果为正代表供过于求,结果为负代表供不应求。

2023年,生成式AI使用的DRAM的一种——高带宽存储器(HBM)的需求猛增。这种产品由韩国SK海力士于2013年开发而成,数据传输速度和存储容量是通用产品的数十倍。

台湾集邦咨询(Trend Force)的数据显示,从HBM的全球份额来看,SK海力士占5成,韩国三星电子占4成,美国美光科技(Micron Technology)占1成。

据称,2023年三星的设备投资额为创历史新高的53.7万亿韩元,其中大部分资金用在了HBM上。2024年将把HBM的产能提高到目前的2.5倍。

领导美光制造部门的高级副总裁Manish Bhatia 说:“1年前没有预想到,生成AI对存储器市场有绝对的冲击力”,表示将在广岛县东广岛市的工厂增产HBM。

业绩也趋于改善。三星7~9月的半导体业务亏损3.75万亿韩元,亏损额度比上季度缩小了6100亿韩元。SK海力士7~9月的DRAM业务的营业损益时隔3季度扭亏为盈。

图为美光的半导体工厂内

同样在存储器业务上,NAND受到AI特需的推动很小。NAND的技术实现了通用化,每种产品很难差异化,容易降价。SK用于长期保存的NAND的损益出现了最终赤字。

日本的铠侠(Kioxia)7~9月的最终损益为亏损860亿日元(上年同期盈利348亿日元)。面向个人电脑及智能手机低迷,并且客户通过调整库存控制采购。通用产品的价格也比半年前降低了约2成。

在市场恢复缓慢的背景下,10月铠侠与美国Western Digital的半导体部门的整合交涉停止。

Omdia预计NAND过剩最快到2024年4~6月消除。由于铠侠的收益依赖NAND,因此业绩恢复的步伐沉重。

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日经中文网 https://cn.nikkei.com

三星电子西安NAND闪存工厂已经恢复正常运行

据韩联社1月26日报道, 三星电子在我国西安的半导体厂生产线于1月26日宣布恢复正常化运行。

自上月29日该公司宣布“为保证员工健康而实行灵活运营”,至今已有28天。由于近期西安疫情形势有所缓解,生产线可以正常运行。三星电子解释说:“公司及其合作伙伴公司员工的健康和安全没有问题,因此可以恢复生产。”

三星电子西安NAND闪存工厂于2014年开始运营,是三星唯一的海外内存工厂,约占三星NAND闪存产量的40%。

图片来自:韩联社

(编译:史天阳)

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