三星的系列NAND Flash有什么区别?
K9F系列的是SLC结构的三星的系列NAND Flash 2.K9G系列的是MCL结构的NAND Flash
首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入,而SLC架构可承受约10万次,是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数,而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响,但绝非像写入那样严重。
其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区,所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的,闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术,与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。
第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据,故只有高和低2种电平状态,使用1.8V的电压就可以驱动。
而MLC架构每Cell需要存放多个bit,即电平至少要被分为4档(存放2bit),所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态,这种技术能提供快速的程序编程与读取,简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样,只有开和关两种状态,非常稳定,就算其中一个Cell损坏,对整体的性能也不会有影响。
在一次读写中MLC有四种状态(以每Cell存取2bit为例),这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压,读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。
它已经不再是简单的开关电路,而是要控制四种不同的状态,这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求,而且一旦出现错误,就会导致2倍及以上的数据损坏,所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。
第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据,而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据,这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的,所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。
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东芯股份:NAND Flash产品核心技术优势明显,SLC NAND Flash整体产能利用率高
金融界12月25日消息,东芯股份披露投资者关系活动记录表显示,公司NAND Flash产品核心技术优势明显,尤其是SPI NAND Flash,该产品可提供3.3V /1.8V两种电压,具备WSON、BGA多种封装形式,公司采用了业内领先的单颗集成技术,将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内,有效节约了芯片面积,降低了产品成本,提高了公司产品的市场竞争力。公司目前已经有产品通过AEC-Q100的认证。NOR Flash可以应用在ADAS、仪表盘等,SLC NAND Flash可以应用在车载信息娱乐系统等部分。根据不同客户的情况,目前按月的订单和按季度的订单都有。部分应用领域如网络通信等,相比上半年需求有好转,订单能见度较好。晶圆厂不同工艺节点的稼动率不一样。从我们使用的工艺节点来看,SLC NAND的整体产能利用率还是比较高的。公司将持续保持和代工厂的良好合作关系,实现上下游合作共赢,为公司业务发展提供供应链保障。近期一些智能手环新的方案使用了SLC NAND Flash,最大容量已经到了4Gb,我们正在积极推进相关NAND Flash产品的导入工作。
本文源自金融界AI电报
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