三星拟与下游就NAND闪存涨价谈判 存储市场或将迎量价齐升行情

三星电机计划在本月至下月同主要移动端、PC 端、服务器端客户就NAND闪存价格重新谈判，目标涨价15~20%。经历一年多的供过于求之后，三星电子的NAND闪存售价一度持平成本，因此其计划与大客户进行谈判，将价格拉回到合理水平上。

华创证券研报显示，AI需求强力驱动，存储市场将迎量价齐升。PC/手机方面，AI赋能加速终端配置升级，位元需求有望持续提升。服务器方面，据美光测算，AI服务器中DRAM/NAND用量分别为传统服务器的8倍/3倍；同时亦催生了更高性能新型存储器的海量需求，HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代DRAM解决方案，成为AI时代不可或缺的关键技术。AI需求强力驱动，智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

精智达 面向半导体存储器件测试行业积极布局，DRAM晶圆老化测试设备已完成技术开发和测试等工作，进入验证阶段；DRAM测试机仍处于持续研发测试阶段；探针卡业务取得显著突破，进入批量交付阶段。

万润科技 旗下湖北长江万润半导体技术有限公司主要聚焦存储半导体的闪存封装、闪存测试和存储模组、嵌入式存储的研发生产销售。

本文源自财联社

都是颗粒 为什么SSD有寿命、内存却没有？

随着技术的发展，我们使用的存储器也各种各样，虽然都基于芯片颗粒，但表现截然不同，比如说读写次数限制，或者叫寿命，SSD固态硬盘就有限制，DRAM内存却没有。

按照分布位置的不同，DRAM内存属于内部存储器，紧挨着CPU处理器，用来临时存放后者需要的运算数据，并与外部存储器进行交换，起到桥梁的作用。

DRAM内存的特点是读写速度快、延迟低，但属于易失性存储，也就是一旦断电，数据就会全部丢失。

DRAM内存颗粒利用晶体管加电容来保存数据，而且只是临时存储数据，并没有实质性的写入，不涉及对物理单元结构、属性的改变，所以可以无限次读写。

当然，这并不意味着DRAM内存就可以永久使用，毕竟其中的晶体管、电容等物理结构也会慢慢老化，所有电子设备都是如此，只是这个过程非常非常缓慢，正常使用根本感觉不到。

SSD则是外部存储，用来长久保存数据，属于非易失性存储，断电后数据还在，但是相对速度慢、延迟高，HDD机械硬盘、U盘、光盘等也是此类。

SSD的存储介质是NAND闪存颗粒，需要施加不同的电压、改变内部状态来存储数据，随着时间的流逝、读写次数的增加，会出现物理性的损耗，最终不可用。

NAND闪存的寿命一般用P/E编程擦写次数来描述，写满一次容量就损失一次P/E。

SLC大约是10万次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC仅为1000次上下，所以不得不依靠更多管理技术和算法来辅助，以保持寿命。

但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存储密度越来越大，SSD容量也越来越大，写满的概率越来越低，所以整个SSD的实际寿命其实并没有大大缩短，一般应用无需过分担忧寿命问题。

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