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苹果开机nand 1TB的iPhone 16 Pro机型可能采用QLC NAND 读写速度降低?
发布时间 : 2024-10-07
作者 : 小编
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1TB的iPhone 16 Pro机型可能采用QLC NAND 读写速度降低?

据DigiTimes报道,1TB存储空间的iPhone 16 Pro机型可能会降低读写速度,以降低成本。这一变化是苹果可能为其1TB iPhone型号改用更高密度四层单元(QLC)NAND闪存的一部分,据说该公司目前正在“积极评估”。

苹果目前使用的是更昂贵的三层单元(TLC)NAND。使用QLC NAND将允许苹果在更小的空间内塞进更多的存储空间,而且价格更低,但缺点是读写速度较慢。

与TLC NAND相比,QLC NAND的持久性和可靠性也较低,处理持续写入操作的效率较低。

当然,苹果可以寻求通过具体的优化来缓解这些问题。

该报道补充说,采用QLC NAND可能会使提供高达2TB存储空间的iPhone首次成为可能。在可预见的未来,拥有128 GB、256 GB和512 GB存储空间的新款‌iPhone‌极有可能坚持使用TLC NAND。

尽管TLC NAND在行业中仍很普遍,但从2023年下半年到2024年上半年,QLC NAND预计将占所有NAND出货量的20%左右,这表明尽管存在缺点,但其使用量仍在增长。

苹果维修必学的知识,iPhone手机开机上电工作原理

苹果手机维修必须学习的电路,把将iPhone手机开机上电工作原理分享给大家。

这是iPhone6开机上电时序,每款iPhone手机理论上都差不多,变化不大,如7-8-X采用BOOST电源的设计,具体的会在后面的文章中分享:

1:电池BAT通过电池座子J2523 产生PP_BAT_VCC 4.2V提供给充电管理芯片U1401,充电管理芯片U1401通过控制开关管Q1403 输出PP_VCC_MAIN 主供电;

2:电源芯片U1202内部 BUCK/LDO产生PP1V8_ALWAYS 待机电压

3:按下开机按键BUTTON_TO_AP_HOLD_KEY_L 与下拉电阻将PP1V8_ALWAYS 待机电压拉低,松开按键后PP1V8_ALWAYS 又变为高,电源芯片U1202 接收到一个高低高的触发信号

4:电源芯片U1202收到触发信号后给硬盘NAND;CPU上层SDRAM;CPU下层供电

5:CPU得到所需要的供电后,24M时钟开始工作

6:电源芯片U1202 产生延时信号REST_1V8_L复位CPU

7:硬盘NAND、CPU、暂存调取程序开始自检

8:自检正常后电源芯片U1202产生GPU供电 PP1V9_GPU 开启显示电路

iPhone6开机可调电源电流变化参考

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