三星宣布开始生产第五代V-NAND闪存

IT之家7月11日消息 日前，三星电子正式宣布，已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片，，其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40％。但随着更好的性能，电压从1.8V降至1.2V。

新的V-NAND还具有最快的数据写入速度，延迟仅为500微秒，这是在写上一代的速度提高了30%，而响应时间读信号已显着降低到50μS（微秒）。

第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。

三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求，将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

三星批量生产第五代 V-NAND：14Gbps

IT之家7月10日消息 根据HKEPC的消息，三星最新宣布已开始批量生产第五代V-NAND内存颗粒，全新第五代V-NAND采用96层堆叠设计，单模容量为256Gb。三星全新256 Gb储存传输数据的速度最高可达到1.4 Gbps，相当64层NAND Flash增加了40％，并且可实现更低的功耗及大幅减少写入延迟。

三星全新第五代V-NAND在密度进一步增加，由64层提升至96层，三星强调新芯片减少了晶圆上的物理X，Y尺寸，并拥有更高功率及性能。同时，首次使用了Toggle DDR 4.0接口，能够提供高达1.4Gbps的数据传输速度，比上代64层堆叠提升了40％。

全新V-NAND相比64层NAND Flash在性能上有所增强，主要是因为工作电压已从1.8V降至1.2V，同时新的V-NAND迄今为止的数据写入速度最快，达到500 μs，比上一代写入速度提高了约30％，而对读取讯号的反应时间则显示减少到50μs，新的工作电压应有助于延长笔记本电脑的电池寿命，并降低从桌面及数据中心系统的整体功耗。

三星表示，率先会打造单模256Gb容量的V-NAND，与目前大多数三星消费类SSD使用的相同尺寸，预计会在移动及SSD市场中得到广泛应用，未来将会推出基于第五代V-NAND的1Tb及QLC产品。

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