东芯股份:SLC NAND Flash制程在国内领先,市场占有率有较大提升空间,未来库存状况可控
金融界7月5日消息,东芯股份披露投资者关系活动记录表显示,关于SLC NAND Flash,东芯股份的竞争力主要体现在产品优势,他们的SLC NAND Flash制程在国内较为领先,他们的SPI NAND Flash采用了业内领先的单颗集成技术。长期来看,海外大厂会逐步退出SLC NAND Flash市场,加上国产替代的需求,公司的市场占有率将有较大的提升空间。至于库存问题,受到存储周期的影响,公司目前的存货仍处在相对较高的水平。未来,库存状况基本可控,随着终端需求的逐步复苏,公司的库存水位会逐步趋向健康。
本文源自金融界AI电报
卡不住的国产芯片,NOR闪存制程“芯”破冰,兆易55nm NOR已量产
快闪储存器简称“闪存”。作为一枚便携式移动储存芯片,闪存因其高效性、方便性、快捷性被广泛应用于计算机领域当中。现阶段,闪存主要负责对计算机进行数据储存、信息管理、资源调度等任务。
我是柏柏说科技,90后科技爱好者。今天带大家了解的是:“兆易创新” 攻破技术难关,推出的55纳米“NOR闪存芯片” 。
近期,全球第一大NOR闪存芯片供给商,北京“兆易创新” 宣布了一则好消息。“兆易创新”成功突破55纳米制程工艺的技术瓶颈,完成55nm NOR闪存芯片的量产。 “兆易创新”市场经理薛霆 ,在接受采访时表示:“兆易创新的Flash产品线,目前已经达到55纳米制程工艺的水准 ”。
在“兆易创新”SPI NOR Flash的产品供给上,薛霆表示:“兆易创新”已经完成了从512Kbit到2Gbit的全系SPI NOR Flash的量产 。值得一提的是,薛霆在采访中多次表示:“兆易创新”是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量产的公司 。”
简单带大家了解完“兆易创新”攻破55纳米闪存这件事情,下面为大家详细介绍一下“兆易创新”的55nm NOR闪存芯片。要想了解NOR型闪存,我们必须分清NAND型与NOR型闪存的区别。闪存主要分为两类:NOR型与NAND型,两类闪存芯片的差别很大。
打个比方,与NAND型相比;NOR型更像是内存芯片,地址线和数据线是独立的。NAND型更像是主机硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线。我们知道,硬盘的所有信息的传输都是通过一条“硬盘线”完成的。因此说,NAND型闪存像硬盘,NOR型闪存像内存。
由于NOR型闪存芯片的地址线和数据线是独立的,因此在灵活性上;NOR闪存的灵活性要高于NAND型闪存 。但在容量上,NOR型闪存的容量没有NAND闪存的容量大 。因此对比NAND型闪存,NOR型闪存更适合于智能手机这种对数据随时进行读写,存储容量要求小的设备。
“一分钱一分货”,由于NOR型闪存比NAND型闪存多一根“线”。NOR型闪存的价格要比NAND型闪存高,收益也比NAND型闪存高。在这里穿插一点:虽然我们在NAND型闪存领域中的技术比较落后,但我国在NOR闪存领域中的技术是最先进的,兆易创新是全球第一大NOR闪存芯片的供应商。 谁说国产没有高价芯片,兆易创新的NOR便是。
据悉,“兆易创新”的55nm NOR闪存,相较于前一代65nm闪存,功耗降低30%。擦写次数可达10万次,数据保证时间可达20年。 毫无疑问,这在全球NOR闪存领域中居于领先水平。针对自家的55nm NOR闪存,薛霆提到:早在三年前,公司便开展了55nm制程工艺项目。在经过3000片以上封装测试的磨合后,才有了今天的55nm NOR闪存。
“兆易创新”的55nm NOR闪存具有产品第一、工艺更先进、体积更小的优势,能够为智能设备提供更多的可能性。看到这里,可能有些朋友会担心。“兆易创新”的NOR闪存,不会遭到老美的技术限制吗?答:不会。
与手机、PC端高端处理器芯片不同,闪存芯片对于代工制程的要求并不高。我国的芯片代工厂商完全可以满足“兆易创新”NOR闪存芯片的胃口。据悉,“兆易创新”的NOR闪存订单,大多都是委托给中芯国际代理加工,不是交给台积电去生产。 我们知道,由于中芯国际的10纳米和10纳米以下的代工设备涉及到美方技术。因此在10纳米和10纳米以下的代工业务方面,中芯国际的代工会受到老美的限制,可“兆易创新”却不一样。
通过本文可以了解到:目前“兆易制造”最高的NOR闪存芯片工艺为55nm。要知道,中芯国际10纳米以上的芯片代工是不受老美技术限制的 。因此面对在NOR闪存领域中“一骑绝尘”的兆易创新,老美想针对也无法针对。
这次“兆易制造”成功突破技术瓶颈,量产55nm NOR闪存芯片,为我国半导体行业的发展注入了一股强心剂。尽管比起CPU处理器、光刻机、真空蒸镀机等核心设备、部件,闪存的重要性不是很高,但有总比没有强,有了它,我们可以确保自己的NOR闪存芯片不会被老美“卡脖子”。
况且“兆易创新”是全球第一大NOR闪存供应商,在NOR闪存领域中掌握着一定的话语权。在我们今后发展半导体事业的道路上,“兆易创新”将成为一把利刃,砍散老美封锁我国半导体事业发展的野心。直白点说,我们具有在NOR闪存领域中,拿NOR闪存卡老美脖子的能力。
得益于我国近些年来在半导体领域中的进步,我们在自研芯片这条道路上取得了不错的成绩。例如中科院的石墨烯碳基芯片、华为的光子芯片、小米的澎湃ISP芯片等。这些都为我国实现芯片自主化生产提供了源源不断的动力。
不仅如此,在芯片代工生产领域中,中科院的5纳米激光雕刻技术和5纳米掩膜版,华卓精科的双工件台、南大光电的光刻胶、黄河水电的多晶硅、中微公司的5纳米刻蚀机等设备、原料的突破。为我们实现芯片自主化生产提供了必要的物质基础。
在这里穿插一点:虽说“兆易创新”不必担心老美的技术限制,在NOR领域中位于世界领先地位。但面对PC端领域中兴起的“挖矿热潮”,如何确保NOR闪存芯片不会受到“矿潮”的影响,对于“兆易制造”来说也是一场不小的挑战。
对于“兆易创新”推出的具有55纳米制程工艺的“NOR闪存芯片”,大伙有什么想说的吗?面对PC端领域中的“芯片挖矿”现象,你有什么看法呢?欢迎在下方留言评论。我是柏柏说科技,90后科技爱好者。关注我,带你了解更多资讯,学习更多知识。
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