简单的nand 一张表格让你看懂的高性价比SSD该怎么选20

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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一张表格让你看懂的高性价比SSD该怎么选20

本内容来源于@什么值得买APP，观点仅代表作者本人｜作者：cloudliu

我希望能够给正在618选购固态硬盘的你多一点帮助。

坚持原厂原片的理由

我在去年的时候写过一篇一张表格让你看懂高性价比的固态硬盘该怎么选！，但在最近一年SSD的新品还有市场价格发生了很大的变化，因此我在此重新更新2023版的固态硬盘推荐。声明本文并未收受任何厂商利益，仅仅是综合性能/价格和可靠度得来的购买价值进行推荐。

虽然现在达墨/宏碁/梵想/爱国者这样三四线品牌7000MB/S的2TB已经杀到5xx甚至499，但我还是坚持之前的原则，只推荐原厂原片。(不想看废话可以直接跳到表格的具体推荐产品的部分)

图片来源 B站肉肉大搜索

为什么只推荐原厂原片，我要从SSD颗粒生产方式说起。SSD颗粒是像豆皮一样，首先摊个大饼，再切成一小块一小块来，切下来检查合格就封装是原厂正片，而一看就是劣质品切都不用切的就是硅渣，这些硅渣原厂也不会扔掉，而是低价卖给小厂，小厂再自行封装打上自己型号的降级颗粒就是黑片。

原厂将颗粒封装进行再次检查，如果不合格的就打上副厂标，这就是白片，大S颗粒就是美光的次品处理厂SpecTek出品，其实在SSD上白片很少，更多是自封。

金士顿/威刚/海盗船这样比较大的二线厂商会从原厂直接购买整个晶圆，再回去检测封装，这种就是自封片。但自封片的品控标准是黑盒的。一个很简单的逻辑，这些厂整个买晶圆如果维持原厂的标准，那价格也不会便宜，如果要便宜也就只能降低品质标准，具体降低多少就完全取决于良心。原厂品牌的SSD颗粒都是自产自销，成本肯定是最低的，非原厂价格能够比原厂低，那只有牺牲颗粒品质，这就是我只推荐原厂原片的主要原因。

目前全世界有能力生产NAND颗粒的国外原厂只有五家，分别是三星/海力士/美光/铠侠和西数。其中西数是和铠侠合资建厂，还是铠侠的技术，原来还有intel，但intel的NAND部门常年亏损，在21年整体卖给了海力士，SSD品牌也改为SOLIDIGM。

早年NAND完全被国外企业垄断，想涨价就涨价。而长江存储的诞生改变了这一切。长江存储整体投资超过300亿美元，FAB主厂房单体建筑长度超过450米(基本有1.5个福建号航母长)，我作为武汉人也这个地方路过过2次，亲眼见到厂房给人感觉十分的震撼。半导体存储是核心技术，直接影响国家的综合科技水平和地缘政治，也可以说是国家意志的体现。致态就是长江存储针对普通用户的消费级品牌，和三星海力士美光凯侠一样是原厂品牌。说到这里你应该大概可以理解非原厂和原厂品牌的技术实力和体量差距。

在长江存储量产后，虽然国外厂商涨价不再肆无忌惮，但还偶尔停电失火，致态的产品虽然比三星便宜一点，但相比西数凯侠也差不多，这里又要说NAND生产的第二个概念，就是NAND的堆叠层数。在相同面积层数越多，那单位面积的存储容量就越大，虽然高堆叠层数晶圆的成本会更高，但容量则是翻倍增加，单位容量的成本能够大幅下降。

在2020年，致态PC005这些产品是在用64层打三星美光的128层，2021-2022年差距缩小了，致态Ti 7000/5000也要用128层打海外的176层，这样成本上自然吃亏，反馈到售价自然也就不便宜。但在2022年年中，长江存储与美光/海力士同步投产232层，并且实际量产进度更快，在去年年底就有海康的232层的商业化产品上市。从3年前差一倍，到2年前差一半，再现在到并驾齐驱甚至略微领先的过程可以说是十分的励志。

长江存储的Xtacking技术路线集成度高，合适堆叠，并且在提升密度的同时也大幅提升IO性能。去年Apple都计划在iPhone采用长江存储颗粒，但树大招风，长江存储被美国从供应链到人才全方位无死角的全面制裁，Apple的采购计划也不得已流产。不过今年5xx元 7000MB/s的2TB爆发也是得益于长江存储232层的成本和性能优势。

SSD的品质除开NAND，也跟主控和固件水平有很大关系，一线品牌即使使用第三方的固件也会有更多的调校和优化，性能不一定更好但稳定性肯定更高，这个部分我会在具体产品部分提及。以我手上一年上10万片SSD的出货数据看，三星/西数/凯侠这些原厂SSD年返修率基本都低于0.5%，而非原厂SSD售后率基本都要高1到2个数量级，即使是国内资产几百亿的安防巨头品牌产品也是如此，更不用说哪些不知道什么来路的新进品牌。

非原厂的SSD送我我也不敢用。因此我只推荐原厂原片。

原厂颗粒的固态硬盘点评和推荐

我在这里罗列了主要原厂颗粒SSD的核心规格/性能(1TB)/写入寿命和京东自营价格（截至5月20日价格，PDD和618应该更低，如果SN770 1TB京东是439，拼多多大概就358，和京东自营的SN570价格差不多)，下面我按品牌进行点评和推荐。

三星

三星在SSD行业多年来一直是老大，并且大多产品也都有很好的口碑，980 Pro也是如此，虽然推出时间比较早，还是Nvme 1.3协议，但整体性能在刚发的时候性能比较出色（特别是缓外性能现在也是最强），口碑惯性延续了很长时间。知道去年下半年曝出0E的问题，口碑也一落千丈。虽然三星在后续推出了固件改善这个问题，但据说只是解决提出问题的人(不显示0E)，而不是从根本上解决问题。虽然三星980 Pro现在价格比较低，但出于不确定的0E问题，现在不推荐。

990 Pro则是新一代的旗舰，性能相比980 Pro有一定提升。早期固件在健康度计数上存在一些问题，不过现在最新固件应该修正了。从现在的情况看990 Pro除了贵就应该没什么问题。我觉得2TB贵点如果你喜欢三星的话还可以接受，但1TB价格都快可以买2TB SN770了，就不怎么划算了。

售后政策方面，三星零售产品支持个人送保，无需提供购买凭证，三星承担双程运费，所以可以那便宜那买，不一定需要京东自营。

PM9A1这样的三星OEM货现在相比980 Pro价格优势已经不太大，并且只有店保，现在选择的意义不太大。

SOLIDIGM

intel NAND和SSD零售业务在21年整体被打包卖给海力士，SOLIDIGM就是原intel存储业务新品牌，而P44 Pro就是他们的旗舰产品，性能在目前消费级PCIe 4.0 SSD里性能最强，并且价格也很有竞争力，不过P44 Pro上市时间比较短，市场对可靠性的验证还不够充分。2TB京东自营为1099，拼多多甚至还不到1000。虽然其支持个人申请RMA，但需要提供授权代理商正规发票，因此我还是推荐购买京东自营。

SOLIDIGM还有更低端的P41 PLUS，是QLC颗粒，可以看成之前intel 660p系列的后续，虽然跑分不差，但问题是1TB/2TB 399/749的售价相比TLC也没便宜多少，所以并不推荐。我不仅不推荐P41 PLUS，在现在阶段TLC都如此白菜，使得所有QLC都没购买价值。

西部数据

WD BLACK SN850X是SN850的迭代升级性能，虽然型号只是多个X，但实际性能提升还是很大，并且上市时间大半年，市场反馈也没什么问题。但现在性能价格都不如前面的SOLIDIGM P44 Pro，而且还稍贵一点，是典型的既生瑜何生。

WD BLACK SN770是SN750SE的迭代，虽然是无缓方案(应该是群联血统)，定位比WD BLACK SN850要低，顺序读写都在5000左右的水平。但真实使用环境的性能比SN850更好，并且温度功耗较低，1TB/2TB 459/789的价格还是值得推荐（拼多多大概是365/739 便宜），特别是对于功耗比较敏感的笔记本用户更是如此。

WD Blue SN570是SN550的小迭代升级，名义上顺序读写有提升，但缓外写入速度相比砍缓外之前的SN550低，整体比较合适老机器升级。

SN350虽然主控方案跟SN570/550差不多，跑分性能也没差多少，但目前主要销售的1TB/2TB为QLC，写入寿命只有WD Blue SN570的1/5不到，并且也没便宜多少，完全不推荐注意避雷。

售后政策方面WD品牌不支持个人送保，如果经销商跑路还是比较麻烦，所以优先京东自营。旗下闪迪支持，但这个品牌SSD线有放弃趋势，已经很久没更新SSD产品线。

致态

致态目前在售的主力主要是TiPro 7000和TiPlus 7100。

TiPro 7000是英韧IG5236方案，于21年年底上市，不过首发固件翻车回炉了半年才重新上市，后来就没听说有什么问题。TiPro 7000的访问延迟很低，并且是采用的IG5236的低功耗版，功耗控制也很好。但1TB和2TB是双面颗粒，可能一些轻薄笔记本就不适用，需要注意。

TiPlus 7100是MAXIO 1602的无缓方案，定位比TiPro 7000略低，但其不少性能相比TiPro 7000都相当甚至更好，十分接近新一代旗舰的性能水平，并且相对其性能温度功耗控制也很好。

不过目前TiPlus 7100 949的价格对于无缓还是偏高，要知道其他三线品牌同样1602主控+YMTC 232的方案也就卖500。作为长江存储的亲儿子致态价格更高，除了品质标准更高以外，其他厂商用232层，而致态自己还是128层的老工艺颗粒还是有更大干系，232相比128不仅成本更低，性能也很好。长江存储这样232宁给友商亲儿子却没用的操作的确很让人迷惑。

现在致态7100和7000就差50块钱，我还是更倾向于IG5236有缓存方案的TiPro 7000。

售后政策方面现在致态支持个人送保，打官方400电话就可以，那便宜那买就可以。

群联

群联目前4.0的主控是E18，很多品牌的高端产品是采用的E18主控，例如海盗船MP600 Pro/金士顿KC3000/希捷HOF/微星M480等，这些大多都是群联提供的E18+自封颗粒打包，虽然大部分都不是正片，但还是有必要说下，CDM/AS SSD的跑分十分好看，但实用性能一般，在22年的时候还有一定的价格优势，但现在在原厂原片价格杀下来后价格优势也不在了。

最近各家也开始发布群联E26 5.0方案的SSD，顺序读写可达10000MB/S的水平，其实用环境性能虽然比现在的4.0盘性能更好，但也好的有限。并且和当年4.0首发的28nm E16一样，现在用12nm做5.0主控过于勉强，甚至有不使用散热片功耗温度过高导致迅速报错关机的报道(本次测试本来也应该包含E26，但由于这问题回炉鸽了，后面有机会再补充)。而且价格是现在顶级4.0盘的2倍以上，因此现在没什么购买理由。

铠侠

铠侠目前4.0主要型号是SE10，其主控应该是群联E18的马甲，性能也是典型的E18性能，AS SSD/CDM好看，PCMARK不行，整体跑分比希捷530还稍差。SE10主要问题1TB只有400 TBW，而且健康度掉的比较快。虽然400的TBW也够用，但在价格不明显便宜的情况下，实在没什么理由选择它。

RC20虽然还是3.0的盘，顺序读写就2000不到水平，但在低价位提供了DRAM的物理缓存，但TBW还是偏低，我个人感觉不如SN570。

售后政策铠侠方面支持个人送保，无需购买凭证和发票，用户需要承担发出运费。

铠侠旗下的浦科特M10P和致态TiPro7000一样也是采用IG5236，但是高性能版本，定制固件水平也更好。只不过浦科特在去年年中退出了消费级市场(主要是全MADE IN TAIWAN成本实在卷不过)，还是颇为可惜，头图的浦科特是用来拍照凑数。

U.2盘

上表我仅列出1TB/2TB的产品，主要是4TB没什么性价比，以WD BLACK SN850X为例，2TB 1199，而4TB就要3599。其实如果你有大容量需求，就可以考虑U.2接口的企业盘。目前比较火的U.2有两个型号，分别西数的SN640和铠侠的CD6 7.68TB，价格大概都在2000元左右。之前还有批海力士PE6011也还可以，但基本都卖完了。

WD Ultrastar DC SN640是PCIe 3.0，整体性能比较一般，还不如我几年前的Intel P4510，但功耗和温度表现较好。

而CD6为PCIe 4.0，性能好但功耗温度也高，消费级M.2顶头就9W，而CD6是19W，建议风扇直吹。

企业盘相对消费级的零售盘全盘直写，没有缓外掉速问题，并且写入寿命比消费级要高几倍，一般每天都可以全盘写一次。但企业级性能上重点是优化是并发任务，在高队列性能好，日常打开程序这样的典型低队列任务性能是不如消费级的SSD。

再就是现在99.9999%的消费级主板都没U.2接口(包括华硕的WS工作站线和Proart线)，需要使用M.2转接线或者PCIe转U.2转接卡，还是有点麻烦，并且对于七彩虹/铭瑄这样的二三线品牌的主板兼容性不太好。

按照商家说法这盘都是国行，但企业级产品都不支持个人送保，就说实际上还是店保。不过既然是国行，就说售后损失不用商家自己承担，有品牌方兜底，选择信用好的老店我觉得应该还靠谱，企业级本来故障率就极低，商家只要不跑路那问题就不大。

我应该买什么SSD？

如果你想要最强的旗舰SSD，目前SOLIDIGM P44 PRO综合最强，价格也不错。但这个盘上市时间不太长，有点缺乏时间考验，并且没有4TB。WD BLACK SN850X相比P44 PRO性能差一点，也贵一点，也没反馈什么问题，而且有4TB容量。对三星有爱且不差钱990 PRO也还是可以买。如果你电脑比较老，不支持PCIe 4.0,就可以考虑WD Blue SN570或者铠侠RC20。如果你是笔记本，那可以优先考虑功耗温度控制较好的WD BLACK SN770或者致态TiPlus 7100，如果是轻薄本最好是WD Black SN570或者SN550（sandisk马甲）。不要歧视WD Black SN770或者Ti Plus7100这样的无缓盘，SN770虽然打不过P44 PRO/WD BLACK SN850X/990 PRP这样新一代的旗舰，但由于主控性能好，大多数性能要优于980 Pro和SN850这样老一代的旗舰，就更不用说970 EVO PLUS/WD SN750这些古董了。而致态TiPlus7100性能相比SN770更好，基本同新一代旗舰一个性能级别，但就是作为无缓盘价格贵了点。写入一般原厂高端1TB都在600-640TBW，群联一直标的高估计是对自己的LDPC有信心，TBW并不是过了就挂，而是售后策略的一部分，过了这个写入量就不提供质保，关系的就是个售后率曲线的问题。对自己产品寿命有信心就标高点。但对自己产品品质都没信心1TB标400 TBW，虽然这个TBW一般消费者很难用完，但消费者为什么要信赖厂商自己都信不足的产品？如果你需要大容量并且可以接受店保，则可以考虑WD SN640或者铠侠CD6，但CD6功耗高，需要注意加强散热。靠谱的SATA盘也不比PCIe 4的盘便宜，在电脑可以加M.2的时候尽量M.2，加不了了再考虑SATA。

给PS5添加硬盘也推荐WD BLACK SN770,甚至SN750SE尾货更好，只要是4.0就可以，性能并不算重要。购买渠道的选择，对于三星/铠侠/致态这种支持个人申请RMA并且无需购买证明的品牌可以那便宜那买，淘宝拼多多甚至闲鱼都可以，只要是正品国行，而西数/SOLIDIGM则在价格相差不太大的情况下优先京东自营。

目前三星/海力士表示要减仓保价，但目前他们半导体库存都在200天水平，就说完全不生产，现在的库存也够卖大半年，再加上长江存储的232层搅局，各家2xx层颗粒也陆续大规模量产，估计SSD的价格应该还是会继续走低(本文不构成投资建议)。

简单的性能对比测试

最后附上性能性能对比，这是上面推荐的数据支撑，有兴趣也可以看下。由于SSD测试特别是4K性能对CPU比较敏感，我这里都使用的是13900K+Z790平台，使用CPU直连的M.2插槽进行测试。本次测试的基本是1TB容量，主要原因是我手头1TB型号比较全，1TB都是满通道，2TB性能不会有太明显的区别。测试型号大部分都为原厂，附带希捷530 1TB和海康C4000 1TB作为参考，其中希捷530是口碑最好的群联E18产品。

而海康C4000 1TB则是5xx元联芸MAP1602+YMTC 232层的代表，海康作为千亿规模+联芸的控股母公司，相比其他三线品牌应该还是要强点。

另外SOLIDIGM P44 PRO测试使用的是海力士的OEM版，硬件一样，但可能固件有点差别。铠侠SE10和希捷530是之前测试数据的积累，并不是这次测试，数据并不完整。

CrystalDiskMark 8测试

首先是CrystalDiskMark 8测试，我们选择1GB容量默认模式进行测试。

CDM的Q8T1顺序基本是SSD顺序性能的峰值。虽然老一代旗舰顺序读基本有7000，但新一代的顺序写也提升到6000+的水平。4KQD32这种32队列深度其实对于消费级SSD并没太大意义，我们需要关注的还是4KQ1T1的性能。但新一代旗舰4KQD1读并无明显提升，写有提升但意义不大。

AS SSD Benchmark测试

此外我还列出AS SSD Benchmark的性能，由于其顺序是1队列，峰值数据没CDM那样好看，就有人觉得不准。但实际1队列其实还更接近用户的实际使用情况。并且AS SSD有访问延迟测试，最后的总分也合适横向比较。

AS SSD测试SOLIDIGM P44 PRO跑分最高，群联E18的希捷SE530(典型的跑分小王子)和三星990 PRO仅随其后，WD BLACK SN850X也突破万分大关。1602的致钛TiPlus 7100也十分接近10000。

全盘写入测试

当然上面的CDM和AS SSD的写入速度只是测试的SLC Cache的缓内性能，并不是TLC的真实的直写速度。在SSD剩余空间小再或者大量写入的情况下，就会出现SLC缓存失效的情况。我们使用TXbench使用RAW模式进行全盘写入，测试各个SSD的SLC Cache的缓存容量/缓内速度和缓外速度。Y轴是速度，X轴是完成时间，WD SN770/SN570完成时间太长就没显示全，每个型号后面的数字是平均速度。

全盘写入测试表现最佳的是三星980 PRO，虽然缓内5000不到，但缓外可以稳定1800，而990 Pro缓内有6800，但缓外只有1550水平。P44 PRO缓内高达6800，但缓外在1600-1000之间反复(直写和回收打架)，但性能还是高于缓外全程1000的WD BLACK SN850X。致钛TiPlus 7100虽然末端只有800，但前面一半性能高，1561MB/S的平均速度也很接近P44 Pro。WD BLACK SN770缓内大概有5000-4700，但缓外还不到600，甚至比WD Blue SN570都慢一点。

PCMARK性能测试

我们再来进行PCMARK10的存储测试，PCMARK 10不同于其他理论测试项目，其测试的是真实系统启动 Office、Adobe 还有战地V 使命召唤守望先锋图片复制这样真实应用的性能，整个测试过程会写入204GB数据，测试三次，对于真实应用性能有很高的参考价值。(后面的为测试得分，前面是延迟数值,越低越好)。但这个测试需要PCMARK专业版才有，但专业版授权费用1595美元，并且是每年费用，媒体特别是自媒体测试较少。

三星990 PRO和P44 PRO基本持平，SN850X位列其后。无缓的WD BLACK SN770性能优于老款有缓的SN850，而致态TiPlus 7100性能也十分接近TiPro7000的水平。希捷530虽然在前面CDM/AS SSD中跑分好看，但基于模拟实际应用的PCMARK就拉了起来。三星980 PRO/WD BLACK SN850也廉颇老矣，性能甚至不如定位更低的SN770。WD Blue SN570相比高端的Gen 4盘也还是有十分明显的差距。但PCIe 4.0 SSD运行在3.0，虽然顺序读写会降低到3600以下水平，但对于平时使用的性能影响并不会太大。我们测试SOLIDIGM P44 PRO在PCIe 3.0性能大概损失就11%。PCIe 4.0 SSD不仅是接口带宽更高，并且新一代SSD主控性能更好，即使跑3.0相比原来的3.0盘性能也有很大的提升。如果你是Zen 3+B450/A520这样性能不差但不支持4.0的平台，再或者你老机准备升级先买个SSD，这样的情况3.0系统买4.0的盘也不是不行。

同盘文件复制测试

我们在同盘复制赛博朋克2077游戏客户端文件，用diskbench测试复制平均速度。整个测试文件容量为71.5GB，以封装的大文件为主，也有些零碎的小文件。

这个容量虽然超过了测试SSD的SLC Cache容量，但还是主要测试的是SLC Cache内的读写混合性能，因此缓内速度高的P44 PRO/WD BLACK SN850X/TiPlus 7100有一定的优势。其实SSD的4.0理论顺序速度日常很少发挥的出来，除非是2个PCIe 4.0盘对拷4K电影这样的大文件。

最终幻想14加载速度测试

我们使用The FINAL FANTASY XIV: Endwalker benchmark设置4K最高画质进行测试，记录测试重启后程序加载的时间，测试3次取最快值，完成加载时间越短越好。这个测试如果显卡太差也会影响加载速度，我这里使用的是RTX 3070。

在基于实际游戏的加载测试，性能最好是陪跑的海康C4000，当然同方案的致态TiPlus 7100表现也很不错。WD BLACK SN770慢于WD Blue SN570，990 PRO慢于980 PRO，经过多次改变测试条件(更换系统/主板/分区簇大小)验证都是如此。P44 PRO的PCIe 4.0和3.0的接口速度对于加载时间基本没有影响。最快的海康C4000同最慢的西数SN770相差也不到1秒，但实际上18.5%的性能差距，这差距说小也不小。

当然3A游戏的数据加载数据量会更大，性能差距也会进一步拉大。但这还是说明了旗舰SSD相比主流型号在游戏加载的体验上并不会有太大的提高。所以你和我一样就是个臭打游戏的，在保证可靠性的情况下，还是应该容量优先。

功耗和温度

我分别将SSD桌面放置5分钟，记录传感器(前)和热成像(后)的主控/颗粒温度，再使用Burnintest测试5分钟，记录burnin过程中的最高温度。前面的功耗限制是高负载和满负载允许的最高功耗。虽然我测试的环境温度/表面材质光滑度都有差别，传感器数据的处理各不相同，因此这部分测试并不算严谨。

整体旗舰盘其实都差不多，功耗温度很高，满载主控都在90度水平.990 PRO的警告温度为82/85，实际触发降速，而WD的90温度墙比较高。

TiPro 7000的IG5236是低功耗版，仅为3.5W。虽然功耗不高，但热成像温度高，主要是由于其主控Die是直接裸露而没陶瓷封装导致，再就长江存储128层颗粒在温度上有一些优势。

需要注意的是我热成像设置的0.95发射率其实都偏高了，实际温度会更高。当然温度问题其实也不用过于焦虑，我这样满载测试情况太极端，日常使用不会连续高负载，实际日常更接近待机温度，再加上主板散热片，温度基本会有15度左右的温度降低。

NAND和NOR Flash 完全学习笔记（基础篇）

本文要点：1. NAND FLASH与NOR FLASH 的技术对比；2. 最详细的存储单元对比详解；3. NAND FLASH与NOR FLASH 的最新市场份额及应用；4. NAND FLASH与NOR FLASH 的基础原理分析。

目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术，但是据我了解，还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。首先，来一个直观的图片。

然后，我从权威的网站上找到了最新的NAND FLASH收益以及市场份额表，根据最新的表单，我们可以知道谁是这个市场的老大，做的比较好一些，一方面让工程师时刻知道市场的动向，另一方面可以在之后的器件选型等方面提供重要的参考。

一般来说，快闪记忆体可分为两大规格，一个是NAND, 一个是NOR。简单来说，NAND一般以存储数据为主，晶片容量大，容量可以达到2Gb甚至更大，NAND的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价；NOR一般以存储程序代码为主，又称为Code Flash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量512Mb，NOR采用内存的随机读取技术。如果利用闪存只是用来存储少量的代码，这是NOR Flash更合适一些。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此很多使用NAND Flash的Demo Board除了使用NAND Flash以外，还加上一块小的NOR Flash来运行启动代码。通过下表我比较了几乎所有关于NAND FLASH以及NOR FLASH的全部重要特性。

然后，对于Flash三个重要概念的理解：

1. Flash属于非易失性存储设备，内部存储单元是MOSFET，里面有一个悬浮门(Floating Gate), 是存储数据的单元。与此对应的，易失性存储设备就是断电后，数据就丢失了，例如常用的内存，不论是之前的SDRAM，还是现在通用的DDR3以及DDR4，都是断电后，数据就没有了。

2. SLC和MLC的区别：NAND FLASH的内存单元可以分为两类，存储一位数据，也就是SLC(Single Level Cell); 对应的，存储多位数据的就是MLC(Multi Level Cell)，比如两位，或者四位。

3. 大多数的写入操作需要先进行擦除操作。

到此，对于NAND FLASH以及NOR FLASH 我们有了一个基本的认识。我对知识的学习一个重要的方法是对比，通过图表的对比更能看出各自的差异化，从而达到加深知识的效果，因此我做了下图来比较目前还算所有存储器的最小单元结构图，便于学习与理解。

原理分析 要说明此原理，需要一些基本的量子物理学，我认为以下这种论述是比较适合理解的，也很有趣：经典物理学认为，物体越过势垒，有一定的阈值能量；所以，粒子能量小于此阈值能量的不能越过，能量大于此阈值能量的可以越过。举例来说，我们骑自行车过坡道，如果先用力骑，因此有一定初入能量，坡道不高的话，即使不蹬自行车也可以依靠惯性过去；但是，如果坡道很高，不蹬自行车，可能车到了一半，可能就退回来了。而量子力学则认为，即便是粒子能量小于阈值能量，同时很多粒子冲向势垒，虽然也有一部分粒子会反弹，但是还会有一些粒子可以越过去，好像有一个隧道，因此称为量子隧道。

对比二者的差异发现，宏观上的确定性在微观上常常就具有不确定性。因为隧穿几率极小，因此通常情况下，隧道效应并不影响经典的宏观效应，但是某些特殊条件下也会出现。当微电子器件进一步微型化是必须要考虑量子效应。NAND FLASH的擦写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）；另外，NOR FLASH擦除数据也是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。对于FLASH闪存单元来说，它是为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力。举个栗子，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，除非你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。

绝缘浮置栅极是NAND存储数据的核心