宏旺半导体解答什么是SPI Flash 运用于哪些领域

有关注宏旺半导体的小伙伴都知道，宏旺半导体是一家专注于存储芯片Design、研发、封装、测试、销售服务于一体的高科技企业。在之前宏旺半导体给大家带来了很多关于存储方面的文章，主要介绍了eMMC、UFS等Flash，但很少提到SPI闪存，作为闪存家族的重要一员，今天就和大家聊聊ICMAX SPI。

什么是SPI Flash

SPI Flash是一种高速的，全双工，同步的通信总线，并且在芯片的管脚上只占用四根线，节约了芯片的管脚，同时为PCB的布局上节省空间，提供方便，一般智能电视、老式机顶盒、智能后视镜、投影仪、物联网、监控摄像机等产品会用到。由于体积小，它可以减少ASIC控制器引脚数，降低封装成本，缩小电路板空间，并降低系统成本。与并行闪存相比，SPI串行闪存功耗更低、连线更少，它是一种理想的高成本效益的数据传输解决方案。

如果采用SPI NAND Flash的方案，主控（MCU）内可以不需要带有传统NAND的控制器，只需要有SPI的接口，这样可以减少主控的成本。另外SPI NAND Flash的封装形式多采用 WSON的封装，尺寸比传统的NAND Flash TSOP的封装要小很多，充分节省了PCB板的空间，已经管脚的数量，从而可以减小PCB的尺寸及层数，既满足了小型化的需求也降低了产品的成本。

随着5G网络即将带来的数据狂潮，万物互联对存储芯片有了更高的需求，目前SPI SLC NAND在PON、网通模块、监控等领域也逐步普及。SPI NAND有更快的写入速度，且对于频繁擦写有着更高的稳定性。从上面我们了解到了 SPI NAND Flash的这么多优点，那么他的性能相比于传统的NAND Flash是否有打折扣呢？

我们以国产本土品牌ICMAX的2Gb SPI NAND Flash 型号为IMS2G083J1H2S-WN 为例来进行说明。SPI NAND Flash本质上是一个NAND Flash+ SPI controller，ICMAX为了提供给客户稳定可靠的ICMAX Flash，保证用户的程序代码的一致性，将NAND Flash和 SPI controller做了独特别设计，从而保证了所有ICMAX出厂的SPI NAND Flash都拥有一致的controller，客户在对于SPI 编程时也不会出现因为不同的controller导致驱动程序需要调整的问题。

另外ICMAX拥有完全自主的NAND Flash设计能力，在SPI NAND Flash中采用的 NAND 晶圆均为SLC规格的，擦写次数达到10万次，存储时间高达10年以上，硬件的ECC校验，更好的帮助客户管理好Flash。宏旺半导体ICMAX的SPI NAND具备体积小、集成度高等优势，从严格的封装、测试、认证等一步到位，大大缩短生产周期，为客户提供高性能到高性价比的解决方案，帮助客户抢占市场先机。

华邦全新QspiNAND Flash赋能NB-IoT

全球半导体储存解决方案领导厂商华邦电子，宣布推出拥有新功能的 QspiNAND Flash，是专为 Qualcomm® 9205 LTE 调制解调器而设计的。

华邦推出业界首创的 1.8V 512Mb (64MB) QspiNAND Flash，为新型行动网络 NB-IoT 模块的设计人员提供正确的储存容量。

“到了2020年，物联网的规模将成长到500亿个连网装置，未来几年 Quad SPI-NAND 的采用率可能会增加4到5倍，” WebFeet Research 总裁 Alan Niebel 说道，“华邦的 1.8V QspiNAND Flash 相当适合汽车及 IoT 产业使用。NB-IoT 已经蓄势待发，在全新的连网世界中茁壮成长，2023年之前出货量可望达到全球 6.85亿个装置”。

华邦电子美国分公司闪存事业群营销部总监 Syed S. Hussain 表示：“华邦一直致力于创新及产品差异化，我们很自豪Qualcomm 9205 LTE主控芯片采用了华邦设计的QspiNAND Flash KGD 解决方案。我们会持续与 Qualcomm密切合作开发内存组件，打造适合 IoT 应用的次世代 LTE 调制解调器解决方案”。

华邦立足于传统 QSPI-NOR Flash，并进军 QSPI-NAND Flash 领域，客户可根据自身需求，自由选择编码储存组件，以最低成本扩充规模。使用相同的 6 针脚信号及 QSPI 指令集提供 SLC NAND Flash 的大容量存储，并采用 104MHz 读取速度的全新Continuous Read 功能，效能毫不减损。

Qualcomm Europe Inc. 产品管理副总裁 Vieri Vanghi 表示：“Qualcomm已对华邦的 QspiNAND Flash 进行各种测试及验证，目前以堆栈 KGD 解决方案形式运用于 Qualcomm 9205 LTE 调制解调器，让 OEM 客户能打造出外型极为精巧的系统。我们很荣幸能与华邦维持长久的合作关系，期望双方能继续共同提供顶尖的 IoT 技术解决方案”。

W25N QspiNAND Flash 系列装置采用节省空间的 8 针脚封装，以往的 SLC NAND Flash 无法做到这一点。W25N512GW 为 512Mb 内存，数组分为 32,768 个可编程页面，每页面为 2,112 字节。W25N512GW 提供全新的 Continuous Read 模式，可利用单一读取指令高效存取整个内存数组，是编码映像 (code shadowing) 应用的理想选择。

104MHz 的频率速度，可在使用快速读取 Dual/Quad I/O 指令时，达到相当于 416MHz (104MHz x 4) 速度的 Quad I/O 效能。芯片内建不良区块管理功能，让 NAND Flash 更容易管理。

为满足全球对大容量解决方案持续成长的需求，华邦 QspiNAND Flash 在台湾台中的 12 寸晶圆厂进行制造。华邦正在扩展产能，以确保支持汽车与 IoT 产业因全新业务带来的增长。

“SpiFlash 系列在加入 QspiNAND Flash 产品线后，有利于现有的 QSPI-NOR Flash 及 Parallel NAND Flash 转换为 QspiNAND Flash，”华邦闪存技术总监 J.W. Park 说道，“华邦与客户工程团队合作开发的这款全新 512Mb QspiNAND Flash，在符合成本效益的设计原则下，可以提供同样优异的效能”。

1.8V QspiNAND Flash 特色如下：

低功率且涵盖不同使用场景的工作温度

– 1.75V ~ 1.95V 供电

– 工作电流 25mA、待机电流 10μA、深度省电 (Deep Power Down) 电流1μA

– -40°C 至 +85°C 工作温度 (工规级)

– -40°C 至 +105°C 工作温度 (工规进阶级与车规级)

独特的内存架构

– 启用 ECC 时的页面读取时间：60μs

– 页面写入时间：250μs (标准值)

– 区块抹除时间：2ms (标准值)

– 快速编程/抹除的效能

– 支持 OTP 内存区域

高效能高可靠性的 QspiNAND Flash

– QSPI 实作采用 46nm 制程技术

– 数据保存 10 年以上

– 支持最高每秒 52MB 的数据传输率

节省空间的封装

– WSON8 6x8mm

– WSON8 5x6mm

– TFBGA24 6x8mm

– KGD (良裸晶粒)

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那就要沾水磨了,沾水以后更容易把镜面打磨成雾面,可能雾面就不能当镜子了。然后剩下一堆料,PCB上有一个硬盘BIOS,这是一个spiflash存储器,容量不大,可以...