金士顿新款SSD意外“变芯”,扯出两大存储控制器巨头互撕恩怨
全球存储模组龙头金士顿(Kingston)在 CES 2019 年展出新一代的固态硬盘(SSD)新产品 A2000 和 KC2000 系列,意外透露内含的存储控制器“变芯”。金士顿即将问世的这两款 SSD 产品并未采取老搭档群联(Phison)的芯片,而是首度引进慧荣(SMI)的控制器,显示该龙头大厂的采购策略出现转弯。
(来源:金士顿官网)
在存储控制器江湖中,各大巨头都有自己的生态系统供应链和合作伙伴,金士顿在 NAND Flash 闪存芯片上,与日系存储大厂东芝(Toshiba)为长年的紧密合作伙伴,其次是 SK 海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、西部数据等。
在 SSD 存储控制器方面,金士顿一直以来都与群联、Marvell 结盟,但在 CES 2019 上,金士顿展示的最新款 A2000 和 KC2000 系列,透露美系 SSD 存储控制器供应商慧荣首度打入金士顿的 SSD 供应链。
金士顿的 A2000 是采用慧荣四通道的 SM2263 控制芯片,KC2000 系列则是采用八通道的 SM2262EN 控制芯片,都是搭配美光 64 层的 3D TLC 闪存颗粒,两者皆以台积电 28nm 工艺打造,预计 2019 年上半年问世,有别于上一代群联 PS5008-E8 芯片搭配东芝 TLC 闪存芯片的组合。
在规格上,KC2000 系列产品的定位将略高于 A2000 系列,两者同样都是 M.2 介面规格,具有更高的性能和容量优势,其中 KC2000 系列最大可提供 2TB 存储容量。
另外,英特尔采用 3D XPoint 技术所生产的 SSD 产品命名为 Optane(美光则命名为 QuantX),在 CES 2019 上,英特尔已经预告 Optane Memory H10 产品线问世,该系列将定位在储存装置加速器的角色,特别的部分在于 H10 系列是新世代存储技术 3D XPoint 与 QLC(Quad-level-cell / 4-bit-per-cell)3D NAND 技术的结合,是目前市面上的新亮点组合。
2019 年初,就传来慧荣首度打入金士顿的 SSD 供应链消息,闯入一直以来属于群联所占据的地盘上。
(来源:金士顿官网)
这两家存储控制芯片巨擘多年来一直有明显的瑜亮情结,这次慧荣意外拿下金士顿的 PCIe SSD 大单,虽然事前态度极为低调,但在 CES 2019 上曝光后,已传出浓郁的烟硝味。
综观全球闪存相关控制芯片市场,除了三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等 NAND Flash 原厂,有自己的控制芯片搭配自己的 NAND Flash 出货外,独立的控制芯片供应商就属慧荣与群联,两者商业模式不同,但无论是技术实力、与原厂的政治关系、员工薪资福利等留才实力,都是势均力敌,因此两家多年来从 SD 卡、U 盘、SATA SSD 模组到 PCIe SSD 模组,一路较量至今,如今是各拥天地。
慧荣是亚洲首家赴美国挂牌的 IC 设计企业,一直耕耘于存储领域,目前与 SK 海力士、三星、美光、英特尔等 NAND Flash 存储大厂都有紧密的合作关系。
慧荣 2017 年 Nand Flash 存储控制器出货量超过 7 亿颗,包括 SD 卡、U 盘、SSD、eMMC、UFS 等存储产品,涵盖企业级、消费 Client 端等 SSD、手机领域、云端伺服器和资料中心。
群联的崛起,可以说是日系存储大厂东芝最成功的投资案,不但扮演东芝在控制芯片技术上的合作伙伴角色,更是东芝在 NAND Flash 上的主要出海口之一,如今,群联、金士顿、东芝三方已经形成合作紧密的策略联合伙伴。
事实上,近期国内的 SSD 控制芯片业者忆芯问世的 NVMe SSD 产品 STAR1000P,也引发各界对于 SSD 控制芯片产业的重视度。
因为国内在布局完 NAND Flash 技术后,下一步是要掌握 SSD 控制芯片技术,毕竟闪存和主控是存储元件的两大命脉,而忆芯的 STAR1000P 也计划在 4 月完成量产版本的芯片。
根据忆芯描述,STAR1000P 设计是采用新思 DesignWare ARC HS38 处理器多核结构,读取速度达到 3.6 GB/秒,写入速度达到 3.2GB/秒,比上一代主控 STAR1000 的读写速度最高提升 50 %,再者,其随机读写速度达到每秒 750K IOPS(读)/600K IOPS(写),比上一代高出 120%。
综合观察,在独立的闪存控制芯片领域,无论是技术、市场占有率上,仍是慧荣、群联的天下,这块市场的特色是,一颗芯片的成本可能仅占一台 SSD 成本 10 % 左右,但却掌握该系统最关键的性能和稳定度,看似是一个小小不起眼的元件,却有着相当高的技术门槛和障碍。
因此,这个市场一直是竞争者、挑战者层出不穷,但多数业者都陆续被洗牌出局,供应链的看法是,欢迎更多芯片业者加入,但技术能力和支援度要做到水准以上,需要不少的时间耕耘。
NAND Flash控制器价格或上涨约15~20%
根据TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处调查显示,受限于上游台积电(TSMC)与联电(UMC)等晶圆代工厂产能满载,及下游封测产能紧缺,包含Phison与Silicon Motion等多间NAND Flash控制器厂商无法因应客户的加单需求。这些控制器厂商除暂停对新订单的需求进行报价外,由于目前为2021年第一季价格议定的关键期间,届时控制器价格将面临调涨,预期涨幅在15~20%不等。
另从供给面来看,受惠于chromebook与TV等需求强劲,推升eMMC中低容量(含64GB与以下)产品需求,然原厂多已停止更新此类产品,仅以2D或3D NAND的64层等较旧制程因应,而旧制程占原厂供给比重持续下降,在获利的考虑之下,原厂直接供给的意愿降低,促使客户需要向能取得NAND Flash组件及控制器的模组厂取得物量。
控制器涨价使模组价格同步走扬,尤以chromebook主容量32与64GB产品为最
尽管当前整体NAND Flash市场仍处于供过于求的状态,但控制器产能不足使中低容量的供货紧缺。该元件价格调涨恐将导致固定成本上升,OEM等采购端也会因此产生压力,可能导致模组厂部分需求较强的容量产品(如chromebook所需的32/64GB)在2021年第一季有涨价可能。
而在SSD产品方面,供给以三星(Samsung)等原厂为主,大多以in-house产品因应,与晶圆代工厂有较为长期的产能安排,当前并未传出涨价或缺货现象。然而,TrendForce集邦咨询也观察到交期延长状况,加上PCIe 4.0世代产品有扩大外包厂商比重的趋势,代表未来的价格走势受到外包厂商影响的可能性将增加。
来源:TrendForce集邦咨询
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