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nand cle信号 NAND flash 信号线的理解
发布时间 : 2024-11-25
作者 : 小编
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NAND flash 信号线的理解

上一篇我们已经讲了NAND flash的分类,这一篇介绍NAND flash 的硬件接口。例如

由NAND Flash的原理图封装,然后查看芯片手册。

由图可知:IO0-IO7:既可传送数据也可传送地址,也可以送传命令。那到底是读是写,还是擦除?怎么区分IO0-IO7传送的是数据?地址?命令? 那么就需要通过CLE与ALE的状态来区分了。

假如2440要读取A地址的数据,或将数据写入B地址。当CLE为高电平表示IO0-IO7传送的是命令;当ALE为高电平表示IO0-IO7传送的是地址;当ALE与CLE都为低电平的时候,表示IO0-IO7传送的是数据。

CE:片选。当2440要操作访问Nand的时候,首先必须选中。

RE:读信号,当RE为低的时候,表示数据由Nand流向2240;

WE:写信号,当RE为低电的时候,表示数据由2240流向Nand;

WP:写保护,只能写,不能擦除。

R/B:Ready信号,表示Nand Flash烧写完成

这些引脚具体怎么组合起来的,需要查看手册中的时序图。

发(写)命令的时序图:

首先CE发出片选信号,CLE发出高电平,IO 0-7将命令驱动出去,WE写脉冲,在写脉冲的上升沿,Nand flash在上升沿,将IO 0-7中数据读取出来。

发地址的时序图:

CE片选, ALE由低变高,IO 0-7驱动 数据,WE发出写脉冲。

输入(写)数据的时序图:

CE选中,ALE、CLE低电平,2440 IO 0-7驱动 数据,WE写信号,Nand flash根据ALE、CLE低电平,读取数据。

输出(读)数据的时序图:

CE低电平选中,RE由高变为低(Nand flash收到RE由高变低时,马上准备数据,然后在RE的上升沿将数据发送出去),Nand flash 驱动数据到IO 0-7,在上升沿,2440取数据。

2440这些引脚发出的数据,必须满足Nand flash的时序要求。需要查看2440芯片手册,查看设备哪个寄存器的某些位来控制时序

不定时出现故障的分析

故障现象是开机蓝灯、黑屏,从故障现象确认蓝灯,确认其 5VSTB 正常供电,黑屏无背光,确认主芯片 SOC 没有跑起来。黑屏代表 LVDS 无输出,无背光代表 ON/OFF 和 ADJ 调光信号无。对于此问题的分析需要首先从以下两个方面进行逐次判断: 1)不通电情况下核对 SOC、 nand 的供电以及信号线的阻抗。即测试: ① 位号为:N118 的主要供电网络的供电阻抗 CORE_1V1、VDD33A_MAIN、DDR_POWER、STB_1V0、DDR_VERF

② 位号为:N118 的主要信号网络的阻抗 N_CLE/SPI_SCLK、N_WE#/SPI_DI、SPI_CS#、N_ALE/SPI_SDO、N_CE0#、I2C、HDMI、LVDS、LSADC0、LSADC1、LSADC3、VGA_DDC_SCL、VGA_DDC_SDA 等信号网络通电测试1)

① 测试主芯片个部分模块的供电电压是否正常即测试:N118 的 CORE_1V1、VDD33A_MAIN、ETN_1V1、ETN_3V3、DDR_POWER、IO_3V3、DDR_VERF、LVDS_3V3、V33POR、STB_1V0 的供电是否正常② 由于芯片内部各个供电模块存在串电压的情况。因此请将各个供电模块的电源磁珠断开,单独测试各个供电模块的电压。

③ 纹波测试分别测试上述电源模块的供电纹波。按照 5%计算纹波。即任何纹波不能够大于5%。示波器测试时其电源供电最小电压不能够低于正常供电范围。如果存在明显供电低于 5%,则提高供电电压来判断。 2)主板故障发生的原因为:L124,L126 处的电压不对。连上测试的时候 DCDC 后端电压为 0.9V。与正常电压 1.1V 有着明显的差异,供电是不能够低于 1.045V 因此判断此处供电异常。但是在未通电的情况下测试其 CORE1V1 阻抗满足要求,因此确认是前端 DCDC 输出问题,也就是说此供电有电压的原因是从芯片内部传回来的电压,并不是提供的电压。断开 L124,L126 后确认 DCDC 输出不正常。

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