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韩国nand闪存韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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韩国SK海力士宣布成功研发176层4D NAND闪存

（观察者网讯）12月7日，韩国半导体公司SK海力士表示，近期已成功研发出基于三层存储单元（TLC）的176层512Gb（千兆位）NAND闪存。

据韩联社12月7日报道，SK海力士介绍，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，增强了产品成本竞争力。另外，SK海力士新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6Gb，提高了33%。

上月，SK海力士于向控制器企业提供了NAND样品，计划明年6月左右批量生产，并依次推出消费者级SSD、企业级SSD等产品，扩大各应用领域的市场。另一方面，韩国的三星电子也正在研发第七代V-NAND，预计明年批量生产。

IT之家 10 月 16 日消息，据彭博社报道，韩国 9 月份 NAND 闪存出口一年来首次出现增长，进一步证明芯片市场需求现象正在逐步缓解。

据悉，韩国 9 月份 NAND 闪存出口同比增长 5.6%，而 8 月份同比下降 8.9%；而 DRAM 闪存的出口同期减少了 24.6%，降幅低于前一个月的 35.2%。

9 月份的芯片出口总额为 99.9 亿美元（当前约 730.27 亿元人民币），较去年同期下降 14.4%，但达到了今年以来的最高值。其中，对中国内地的芯片出口同比下降 22.7%。对欧盟出口增长 56.5%，而对美国的出口下降了 30.5%。

▲ 图源彭博社

数据显示，韩国 9 月份 ICT 产品（IT之家注：信息和通信技术产品）总出口额为 181 亿美元（当前约 1323.11 亿元人民币），同比下降了 13.4%，创下自去年 10 月以来最小的同比降幅。

自去年 7 月开始，韩国 ICT 出口一直呈下降趋势，但在今年 4 月份后，最近几个月的下降速度有所放缓，显示当下芯片市场低迷现象正逐渐缓解。

彭博社认为，存储芯片是韩国出口的主要产品，虽然 NAND 的利润不如 DRAM，但它依然是存储卡、数码相机等设备制造商的热门选择。