英特尔和镁光分道扬镳：不再合作开发下一代3D NAND内存

【TechWeb报道】1月10日消息，据商业科技新闻网站ZDNet报道，英特尔和镁光宣布，停止合作开发下一代3D NAND内存。

在英特尔首席执行官布莱恩路科再奇（Brian Krzanich）在拉斯维加斯举行的消费电子产品展（CES）上发表主题演讲前，这条消息被宣布。

英特尔和镁光已经在NAND内存开发方面合作了12年，英特尔资助了部分开发成本，而镁光则从NAND的销售中获益。

英特尔利用这一合作伙伴关系，在芯片市场之外拓展了新的多元化产品，并将英特尔芯片与竞争对手区分开来。

然而，两家公司将继续合作完成第三代3D NAND技术的开发，该开发工作将会在今年年底结束。它们还会继续在犹他州的合资生产厂中联合开发和生产3D XPoint存储芯片。

镁光技术开发执行副总裁斯科特路德波尔（Scott DeBoer）表示：“镁光与英特尔的合作由来已久。在未来的NAND内存开发工作中，我们都有自己的发展道路，我们期待着继续与英特尔在其他项目上合作。我们对于3D NAND技术的开发路线很明确，我们打算以领先于行业的3D NAND技术为基础，将极具竞争力的产品推向市场。”

英特尔非易失性内存解决方案部门的总经理和高级副总裁罗布路克鲁克（Rob Crooke）表示：“英特尔和镁光的长期合作使双方受益匪浅。我们现在到了合作开发NAND的一个关键点，即两家公司现在是时候分道扬镳，去追寻各自的市场了。”

对于行业观察者来说，这两家公司分道扬镳并不让人感到惊讶，因为最近几年英特尔和镁光都建立了各自的生产厂。对于镁光的16纳米平面架构NAND工艺，英特尔不感兴趣，并已决定不投资这项技术。

英特尔和镁光一直专注于NAND市场的不同领域。虽然英特尔专注于提供自家的固态硬盘（SSD），但镁光提供固态硬盘和NAND芯片。（小狐狸）

本文源自TechWeb.com.cn

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技术革命 镁光预计年底出货64层3D NAND

经历2016年闪存颗粒制程的“尴尬”后，在已然到来的2017年，各大存储大厂纷纷加紧研发3D NAND技术，以期在新的技术革命周期当中，能够在闪存市场取得先机，从而抢夺更多的市场份额。

日前，来自韩国的闪存大厂SK海力士，向媒体透露，即将在2017年正式推出第四代3D NAND技术，并且量产基于72层堆叠的3D NAND闪存颗粒。

而就在此消息曝出不久，近日另一家来自美国的闪存大厂镁光也向媒体透露，预计在2017年年底，正式量产基于64层堆叠的新一代3D NAND技术，以实现单晶颗粒的容量提升80%，成本减少30%的目的。

除此之外，镁光还表示，鉴于第一代QuantX的产品容量小，且读写水平仅仅持平三星的960 PRO，并没有达到Intel标称的10倍现今SSD的性能，镁光正在加紧研究二代、三代的QuantX（即3D Xpoint技术，镁光内部称呼为 QuantX）。

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