镁光40亿美元建3D闪存厂：SD卡大小TB级容量

镁光40亿美元建3D闪存厂：SD卡大小TB级容量

2015-3-8 17:17:06 评论：

传统的平面闪存在16/14nm工艺之后面临瓶颈，厂商开始转向3D闪存，这其中三星动作最快，去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存，850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。

东芝/闪迪系也在跟进，在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产，Intel/镁光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存，现在也准备量产了。日前镁光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂，明年底开始量产第二代3D NAND闪存。

镁光斥资40亿美元升级Fab 10X晶圆厂生产3D NAND闪存。

镁光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂，每月产能约为14万片等效晶圆，这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代3D NAND闪存，建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆，不过之后就是3D NAND闪存了，因此总产能更大，在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。

此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。

镁光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存，根据Intel之前所说，二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND，die核心容量则高达256Gb，这样就能达到1TB容量。如果是TLC闪存，die容量则可以达到384Gb，2mm厚度下就能实现1TB的容量，也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量 。

镁光的3D NAND闪存路线图

在镁光的闪存路线图上，平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存。2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘，不过这个应该是第一代3D NAND的，堆叠层数为16层，比三星的V-NAND略低。

技术革命 镁光预计年底出货64层3D NAND

经历2016年闪存颗粒制程的“尴尬”后，在已然到来的2017年，各大存储大厂纷纷加紧研发3D NAND技术，以期在新的技术革命周期当中，能够在闪存市场取得先机，从而抢夺更多的市场份额。

日前，来自韩国的闪存大厂SK海力士，向媒体透露，即将在2017年正式推出第四代3D NAND技术，并且量产基于72层堆叠的3D NAND闪存颗粒。

而就在此消息曝出不久，近日另一家来自美国的闪存大厂镁光也向媒体透露，预计在2017年年底，正式量产基于64层堆叠的新一代3D NAND技术，以实现单晶颗粒的容量提升80%，成本减少30%的目的。

除此之外，镁光还表示，鉴于第一代QuantX的产品容量小，且读写水平仅仅持平三星的960 PRO，并没有达到Intel标称的10倍现今SSD的性能，镁光正在加紧研究二代、三代的QuantX（即3D Xpoint技术，镁光内部称呼为 QuantX）。

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