影驰ONE 240GB SSD总写入7155TB！TLC寿命延长一半

板卡存储大厂影驰宣布，旗下ONE 240GB SSD固态盘历时3个半月、持续109天的考验，顺利完成了耐久度测试，数据总写入量达到715.5TB，期间无任何数据出错。

我们知道，NAND闪存有写入寿命的限制，准确的说应该是有擦写次数的限制。由于闪存在写入前必须先擦除，所以擦除次数就跟写入数据量联系起来。

SLC、MLC、TLC、QLC一路下来，随着闪存技术的发展，不同规格的闪存写入寿命其实是在倒退的，这就对主控和硬盘长寿的设计保护能力都提出了更高考验。

目前的3D TLC闪存颗粒的擦写次数在2000P/E左右，这意味着一个240GB的固态硬盘，最多只能可以写入480TB的数据量，而影驰ONE 240GB达到了715.5TB，算下来使用寿命已经接近3000 P/E，比同等级产品高出了50％。

715.5TB意味着什么？

按照一个人一天工作8小时计算，需要读写的数据一般在10-60GB之间，那么理论上写满715.5TB的数据最快也得33年，长则可达200年。

当然，固态硬盘的读写原理决定了写入放大必然存在，但是这样的寿命满足用户5年以上的高强度读写需求是非常轻松的。

据悉，影驰ONE系列SSD坚持只采用东芝原厂闪存晶圆 ，保障颗粒纯净性，并经过严格测试和筛选，久耐用。

同时作为群聊电子在中国大陆唯一的战略合作伙伴 ，影驰在主控方面拥有强大的技术支持。ONE 240GB搭载的是群联PS3111-S11主控 ，集合了SECC、Guaranteed Flush、静态和动态磨损平衡等9项黑科技。

影驰ONE 240GB SSD目前售价为329元。

写入不掉速！比SLC还要快的X-NAND QLC闪存究竟怎么做到的？

从SLC、MLC一路发展到TLC和QLC，NAND闪存的写入性能正以肉眼可见的速度快速降低。如果不是有SLC缓存遮羞，固态硬盘的写入速度恐怕要比几年前4倍甚至更多。

固态硬盘在变得便宜的同时，读写速度也在不断恶化，对于追求高性能的玩家来说很难接受。硅谷企业NEO Semiconductor研发的X-NAND技术或将成为NAND闪存的大救星：它理论上可以让QLC闪存比现有的SLC更快，同时还能保持低价。唯一的差别是，X-NAND无法提升闪存写入寿命。

增加Plane提高并发：

QLC自身的写入速度大约只有SLC闪存的1/8左右，提高数据读写的并发度是改善闪存性能的主要方向。目前3D NAND闪存已开始从2 Plane设计向4 Plane设计转变。

铠侠的XL-Flash超低延迟闪存为了提高性能更是采用了16 Plane等设计。不过要将16 Plane设计普遍应用到3D闪存中却并不经济：Page Buffer的数量会同步提升，并导致闪存芯片面积急剧增大，进而让闪存的制造成本上升。这也是XL-Flash只能专注于高性能存储而难以惠及消费级SSD的原因。

NEO Semiconductor更改了NAND闪存的设计，将Page Buffers容量降低到1KB来避免16 Plane设计在成本的增加。

X-NAND理论上可将闪存读写速度提高16倍，同时由于位线长度和电容的降低，随机读取速度以及写入验证速度也将大大提高。

按照NEO Semiconductor公开的数据，X-NAND技术可令QLC闪存的随机读写性能提高3倍、顺序读取速度提高27倍、顺序写入速度提高14倍。

提升之后的X-NAND QLC将比当前SLC闪存的顺序读写速度更快一些，但随机读写性能依然落后于真正的SLC闪存。不过，X-NAND技术同样可以用于SLC闪存，让SLC变得比现在更快。

加速鸡血永不停的奥秘：

回到大家最关心的“写入不掉速”问题上来。NEO Semiconductor承诺让QLC闪存可以始终以SLC缓存的速度进行写入，而不会出现缓存用完、速度暴跌。相信很多朋友和小编一样，怀疑这是不是真的。

NEO Semiconductor在最新的白皮书中解释了其中的原理。X-NAND充分发挥了Plane数量增加的红利，让不同分组的闪存交替以SLC写入、QLC释放和闪存擦除三种模式循环工作。

根据NEO Semiconductor的数据，32 Page的数据连续写入到8个Plane耗时6400μs，而将这些数据读取后并发写入到QLC Page所需的时间大约也是6400μs，这么一来一去，就可以保障数据可以始终保持全速写入而不发生掉速。

小容量设备的福音：

X-NAND的一个重要优势是它可以普惠众生，而不仅仅是面向昂贵的高端企业级SSD。

Plane数量的增加使得闪存并发存取性能提升，小容量的闪存也能提供可观的读写速度（特别是写入速度）。在外部接口（SATA/PCIe）总带宽固定的情况下，闪存性能的提升还可以降低对主控闪存通道数量的需求，进而降低SSD主控的成本。

灵活多变，满足每个人的需求：

每个人对存储性能的需求是不同的。硬件发烧友和电竞玩家追求极致性能，普通家用倾向于均衡的性能和成本，办公和教育市场可能更喜欢够用就好的高性价比SSD。X-NAND的Plane数量并非固定在16个，减少Plane数量意味着闪存芯片成本的降低，可以制造出速度相对不那么快、但价格更低的闪存。

NEO Semiconductor在去年的FMS闪存峰会上首次公开X-NAND，目前它们已经获得了相关技术专利，但它们不会自己利用这些技术进行闪存生产。所以我们什么时候能够实际体验到上述新技术优势，在一定程度上取决于世界主要闪存制造商会不会向NEO Semiconductor购买专利授权，或者它们自己是否已经有了类似的专利储备，并最终将其量产。总的来说，NAND闪存的发展前景是光明的，我们无需担心写入速度一步步向着HDD水平滑落而没有选择。

相关问答

应该看NAND写入量,host写入量是指本机系统需要硬盘写入的总数据量,而NAND写入量是硬盘进行写操作时实际的数据写入量。NAND写入量大于host写入量是因为存在写...

三星电子刚刚宣布,其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存,并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称,基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD,已开.....

实没啥需要特别注意的。要说的话对于初学者需要注意电源别弄错了;如果电源域不同,则需要确认管脚电气参数是否匹配,必要时添加接口转换芯片;剩下的就是按照...

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇...

这个要看闪存颗粒了,好的NAND的读写都可以达到五百多兆,低端的MLC读入200兆,写入150兆。有用(0)回复Nicexionghan看着没问题呢,数据是没问题的,要不你查查是...

M.2固态硬盘的写入速度确实很快,这是由于其采用了NAND闪存作为存储介质,并且具有高效的数据传输速率。不过,写入速度并不是影响固态硬盘寿命的唯一因素。通常...

随后硬盘自己再从缓存写入到盘片,这个过程无需用户干预了。不过需要注意的是,其实硬盘的缓存并不全都用于缓存数据,还有其他用途,所以不见得缓存越大,性能就...

Magic5闪存是一种存储芯片,由三星(Samsung)公司生产。它是一种闪存存储器,采用了三星的V-NAND技术。与传统的闪存芯片相比,Magic5闪存的读写速度更快,同时...

不但需要设备还需要技术,一般...2、首先要找一个和它针脚一致的半成品U盘。3、然后将手机内存芯片用热风枪取下,再焊接上半成品U盘。4、这不但需要设备还需要...

预先把要处理的数据写入到缓存里面,从而提高硬盘的效率从反应速度这一方面来说,固态硬盘的反应速度一般都在0.2毫秒以内,不比缓存慢。所以固态硬盘带缓存对读...