力成看好SSD固态硬盘销量 预估年增5倍

固态硬盘（SSD）近年来不只在笔电的渗透率不断提高，在数据中心等各种多元应用也陆续开花结果，推升SSD需求水涨船高，封测大厂力成也看好今年SSD的出货力道，在今年股东年报当中揭露，预估固态硬盘以及薄型固态硬盘系统整合封装的销售量将达到4100万个，较去年估仅700万个相比暴增近5倍 。

力成在今年股东会年报中揭露今年的销售目标，封装、测试销售量分别为27亿颗、21亿颗、凸块(Bumping)65万片、晶圆测试12万片、SSD加上薄型SSD系统整合封装4100万个，若与去年的目标相比，封装与测试分别成长8%、5%，凸块则是翻倍激增，而SSD的部分则较去年大增近5倍之多，为成长最强劲的产品线。

力成股东会年报中指出，今年半导体产业成长力道将来自于智能手机、固态硬盘(SSD)、车用电子、超轻薄笔电、产业应用、可穿戴设备以及物联网等相关应用。

存储器产业的部分，全球NAND Flash市场以智能手机应用为主，其次分别为 SSD、存储应用、平板以及消费性应用。

不过，力成也指出，市场虽出现物联网相关应用和可穿戴设备等终端产品需求，但目前看来相关产品仍无法激励消费者需求，所以市场仍需等待杀手级应用产品的开发；另外中国内需市场需求减缓；而被视为下一个成长引擎的印度和东协等国家，虽然人口众多，人均所得有所成长但仍偏低，加上相关通讯硬件建设不足，削弱移动设备需求的成长速度。

力成表示，今年将会持续提升标准型DRAM、Mobile DRAM、NAND Flash、 Logic 等产品的出货量，其中大陆西安厂将持续扩产，同时也会布局逻辑IC业务拓展，已在竹科地区扩建新厂，加速覆晶封装、SSD、晶圆级封装、晶圆级测试(CP)以及Panel Level Fan-Out 的开发成长。

来源：苹果日报

* 如需获取更多资讯，请关注微信公众号或领英公司页面（全球半导体观察）。

国产Xtacking架构发力突破日韩垄断，中国闪存问鼎三星？

不要再一提芯片就抱怨说台积电、三星大厂已经开始量产7纳米进军5纳米，咱们还在14纳米的水平玩泥巴。大家不要灰心，你们可知道全球半导体芯片其实有三大宗产品：分别为logic、DRAM、 NAND，这三年卖得最火的芯片，我们并不是都被国外大厂们遥遥领先。

logic芯片也叫处理器，就是美国断供华为的一类芯片。由于荷兰EUV光刻机迟迟未能到货，确实导致国内整体的工艺制程停留在14纳米的水平。但在后两类芯片上我们是大有可为的。

今天没我们就来聊聊NAND，这是我国唯一接近世界顶尖水平的芯片细分领域。从至暗时刻走到黎明破晓。短短4年时间我们如何抹平与国外闪存数十年的技术差距？长江存储能否凭借自营的X tacking架构让我们突破美日韩存储大厂的技术围堵？

DRAM和NAND都同属于存储芯片的类别，NAND的全称nand flash闪存，是一种非易失性存储器。苹果公司就直接将自家笔记本MacBook的固态硬盘叫做闪存，闪存也常被用作硬盘的存储介质。当我们断电时，闪存存储的数据并不会消失。

而DRAM内存通俗讲就像是电脑或者手机运行内存，比如我们在手机上打开很多程序，然后关机断电重新打开时，这些程序就会被关闭，相当于所存储的数据就会消失。

以上就是DRAM和NAND的区别，在闪存业界内一直有一个魔咒，这就是闪存的缩放限制。就是当闪存芯片朝着更小的尺寸、更先进的工艺和更大的容量模具时，芯片上的晶体管等元件可以做到越来越小，但芯片的可靠性却一直跟不上步伐。

这个可靠性是指精度再往小做时，闪存的氧化层越来越薄，就可能造成存储数据的丢失。而且当闪存芯片工艺达到14纳米厚，这个魔咒的限制越发迷信，不过这些都是对于平面2D闪存芯片而验的。

目前主流的工艺是在15纳米左右，但平面闪存芯片的工艺极限相比于logic芯片要来得更早。可能在接近10纳米后，平面闪存已经无法再向前推进了。所以闪存芯片的从业者们开始另寻出路，最终他们找到了一个突围方向，这就是3D nand flash闪存。

从2D平面跨越到3D立体，从平房到数十层的高楼大厦，3D nand flash闪存与logic芯片的3D封装技术简直有着异曲同工之妙。在3D nand flash的方向上，美国英特尔推出了3D X point技术，韩国三星推出了V-nand的技术，SK海力士推出了4D nand技术，日本东芝推出了BiCS技术。

这些在存储领域遥遥领先的国际大厂在3D的方向上各自开发出了自己的专利技术，并且在闪存市场的份额上牢牢占据着垄断的地位。

而后来中国长江存储则推出了具有史诗级意义的X tacking架构。3D nand flash更具体可以称为堆栈技术，一存堆栈相当于一层楼。近几年美韩闪存大厂用自研的3D nand技术已经从32层堆栈的闪存推进到了如今行业主流的96层堆栈，相当于96层高楼大厦。

但是闪存行业突遇平地一声雷，今年4月份长江存储宣布推出128层堆栈的3D nand闪存。国外同行们发现长江存储跳级了，以往傻缺的堆栈层数是从32层、64层、96层逐渐演变到128层。但是长江存储并未推出过96层堆栈，而直接越级研发出128层，这是怎么一回事呢？

我们追溯一下长江储存的历史渊源，其实长江存储的前身是武汉新芯，2006年创立的武汉新芯刚开始涉足内存行业时，是为美国飞索半导体代工nand flash闪存，因此开始为长江存储积累起家的底子。

2010年美国飞索半导体在经历金融危机后一蹶不振，武汉新芯受到影响，接到的订单破跌步履维艰。而事情的转机是从2014年国家集成电路大基金成立开始。

2016年7月紫光集团联合大基金等共同出资，在武汉新芯的基础上创立了长江存储。随后长江存储继续与飞索半导体合作研发nand flash闪存，但无奈飞索半导体的闪存技术难以比肩三星、东芝等内存大厂。最终长江存储将精力放在与中科院微电子研究所的合作上，在原有新型nand flash闪存技术的基础上，2017年年底长江存储正式推出了国产首颗真正意义上的32层3D nand闪，中国终于有了自主知识产权的闪存芯片，但国际闪存市场竞争激烈，此时三星的国际大厂已经开始量产64层堆栈的闪存。长江存储历尽艰辛推出的32层堆栈技术落后国际水平整整一代，国产32层堆栈闪存根本没法在市场上卖，也不能大规模量产。

此时长江存储也开始探索一条适合自己的3D nand技术，这也是一条充满未知的道路，但最终成就了后来的X tacking架构。当时长江存储数百人的研发团队疯狂朝着一个共同的目标努力，一个月的工作量达到了300多个小时。同三星V-nand技术、东芝biCS技术一样，2018年7月长江存储也推出了自家的独门绝技X tacking架构。

2018年8月6日长江存储公布了关于X tacking架构的关键细节。通俗理解就是在3D nand的闪存芯片中，基本是由外围电路和存储单元两部分组成。一般来说外围电路占整个芯片面积的30%左右，但这部分是不能用来存储数据的，而剩下的705就是有用的存储单元。随着闪存向96层、128层堆栈迈进，外围电路的面积甚至达到了50%以上，这是由于传统工艺是在一片晶圆上塞进去，外围精度和存储单元2个部分，这必然造成了你挤我我挤你的拥堵局面。而X tacking架构则是在一片晶圆上单独加工制作数据输入输出的外围电路，而在另一片晶圆上单独加工存储数据的存储单元。将两片晶元通过数百根金属通道凝结在一起，从上往下看，两片晶圆就是粘合在一起的。

这种晶粒与晶粒间的堆叠技术，也就是粘连的步骤，就是X tacking架构的核心所在。具体怎么操作这是人家的独门绝技，通过X tacking架构制作的闪存芯片，外围电路不再占用存储单元的面积，使得芯片整体的存储密度极大增加，而外围电路输入输出数据的速度几乎在传统芯片速度上提高了2至3倍。

2019年8月长江存储在国际智能产业博览会上，首次公开了刚刚研发出的64层堆栈3D nand闪存，其IO接口速度最高可达3Gb ps，比三星最先进、最快的V-nand的闪存快2倍。比主流水准的NAND快上3倍。不仅如此由于外围电路和存储单元分开加工，就可以采用稍微老熟的加工工艺来提高芯片生产的良品率，减少废品的数量。而且可以省去以前在同一块晶圆上加工的牵制工艺，缩短芯片的生产工序和周期。

即使长江存储当时攻克了64层堆栈3D nand闪存，但此时三星已经开始量产96层堆栈闪存。长江存储始终与国际水平差一代的距离，如果还跟着别人后面跑，任何市场产品实现不了商业化就只有死路一条，长江存储也必将走向末路。

所以长江存储做出了一个疯狂的举措，决定直接跳过96层堆栈闪存的研发，直接向着128层的道路上奔去。而长江存储直接研制128层堆栈的目标是要和三星、镁光、海力士、东芝四大厂掰手腕，真正去国际市场上赚钱，是向国际存储芯片市场正式下战书。

2020年4月长江存储抢先推出了全球首款128层QLC3D nand闪存，做到了行业内存储容量最大，IO接口速度最高等，其中QLC是一种技术规格，具体是指一个存储单元中可以存放4bit的数据，采用这种存储量极高但极易受到干扰出现数据错误的技术规格，意味着长江存储的主控算法和能力确实达到了首屈一指的地步。并且该款闪存已经通过了多家厂商的终端存储产品验证，说明这次我们是要上国际市场的，而不是纸上谈兵。

可以说长江存储的3D nand闪存是我国已接近世界顶尖水平的芯片细分领域。目前长江存储的技术已经处于全球一流水准，但下一步还是要解决产能量产问题，不然也会受到限制。所以2020年6月总投资近1700亿的国家存储器基地二期正式开建。已经建成的一期基地产能是每月10万片，而二期基地的目标是每个月20万片。全球芯片市场暗流涌动、风起云涌，国际四大厂同时发力，而中国的闪存芯片已经向国际市场做好了全面挑战的准备。

相关问答

[回答]Aabstract抽象的abstractbaseclass(ABC)抽象基类abstractclass抽象类abstraction抽象、抽象物、抽象性access存取、访...

⑤CPLD比FPGA使用起来更方便。CPLD的编程采用E2PROM或FASTFLASH技术,无需外部存储器芯片,使用简单。而FPGA的编程信息需存放在外部存储器上,使用方法复杂。...

[回答]Yourmeaningismakeafixturethesamewiththepictureoftheattachment.店铺收藏好久了,一直在关注,第一次下手,货比我想象的要好,客服很用心,一个...

采...双频WiFi,自带蓝牙。软件方面采用未来电视版权,支持H.265硬解和4K,其他3D、蓝光等具体不表。小米小盒子不是最小的电视机顶盒,但是绝对是最有设计感的...

今年S5总决赛的参赛队伍包括来自北美的TeamLiquid,他们以坚韧和团队合作闻名;来自中国的FunPlusPhoenix,他们凭借疯狂的进攻和强大的团队配合著称;来自韩国...

2013年11月份苹果公司收购了3D移动传感器公司PrimeSense,收购价格为3.45亿美元。该公司的移动追踪软件在行业广受好评,微软Xbox360游戏系统中的Kin...

[回答]单片机是一种芯片,在一定场合,配合外围电路,可以用来设计所需要的各种功能,大都用汇编语言、C语言等来开发嵌入式软件,可应用于各种领域。PLC是一...

美国的。雷克沙(Lexar)是一家生产多种数位媒体与软件的美国制造商,总部位于加州费利蒙。生产的媒体包括SD卡、MemoryStick、随身碟与CompactFlash卡,另有生...

flashIC用来存储数据,我觉得叫存储IC更贴切点,在PC界也叫BIOS,类似的IC还有EEPROM,功能基本是一样的,但是容量不一样;2、logicIC也就是逻辑IC...flash...

在去年11月更新其入门级FAS2000阵列的大型号之后,NetApp又推出了较小的款型并引进闪存-磁盘相结合的存储卷。FAS2220的定位低于2240及其432TB的容量,最多...