DRAM出现AI特需，NAND恢复缓慢

2023年7～9月，用于存储个人电脑和智能手机数据的DRAM的需求量3年来首次超过供应量。面向生成式AI（人工智能）高速处理数据的半导体需求猛增。但并未对数据传输速度较慢的NAND型闪存吹入东风。

英国调查公司Omdia的数据显示，7～9月DRAM的需求量达到561GB（Gigabyte，吉字节，1吉为10亿），比去年同期增长13％。供应量同比下滑15％，降至513亿GB。

预计10～12月DRAM的“供应充足度”为-28.3％，DRAM将供不应求。供应充足度为供应量除以需求量减去1再乘以100计算得出。结果为正代表供过于求，结果为负代表供不应求。

2023年，生成式AI使用的DRAM的一种——高带宽存储器（HBM）的需求猛增。这种产品由韩国SK海力士于2013年开发而成，数据传输速度和存储容量是通用产品的数十倍。

台湾集邦咨询（Trend Force）的数据显示，从HBM的全球份额来看，SK海力士占5成，韩国三星电子占4成，美国美光科技（Micron Technology）占1成。

据称，2023年三星的设备投资额为创历史新高的53.7万亿韩元，其中大部分资金用在了HBM上。2024年将把HBM的产能提高到目前的2.5倍。

领导美光制造部门的高级副总裁Manish Bhatia 说：“1年前没有预想到，生成AI对存储器市场有绝对的冲击力”，表示将在广岛县东广岛市的工厂增产HBM。

业绩也趋于改善。三星7～9月的半导体业务亏损3.75万亿韩元，亏损额度比上季度缩小了6100亿韩元。SK海力士7～9月的DRAM业务的营业损益时隔3季度扭亏为盈。

图为美光的半导体工厂内

同样在存储器业务上，NAND受到AI特需的推动很小。NAND的技术实现了通用化，每种产品很难差异化，容易降价。SK用于长期保存的NAND的损益出现了最终赤字。

日本的铠侠(Kioxia)7～9月的最终损益为亏损860亿日元（上年同期盈利348亿日元）。面向个人电脑及智能手机低迷，并且客户通过调整库存控制采购。通用产品的价格也比半年前降低了约2成。

在市场恢复缓慢的背景下，10月铠侠与美国Western Digital的半导体部门的整合交涉停止。

Omdia预计NAND过剩最快到2024年4～6月消除。由于铠侠的收益依赖NAND，因此业绩恢复的步伐沉重。

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三星西安NAND厂开工率恢复至70% 积极应对存储器市场变化

观点网讯： 3月12日，据报道，位于中国西安的三星电子NAND闪存厂开工率已恢复至70%。西安厂是三星电子唯一的海外存储器生产基地。此前，受存储器行业状况恶化影响，去年下半年该厂开工率曾降至20%至30%。

此次开工率的提升显示出三星电子在应对市场变化方面的积极调整。随着市场需求的回暖，三星电子及时调整产能，以适应行业发展。这一举措将有助于提高三星电子在全球存储器市场的竞争力，同时也对我国相关产业链的发展产生积极影响。

本文源自观点网

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