终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

1TB白菜价成历史？三星NAND Flash芯片将大幅涨价

【手机中国新闻】11月2日，手机中国注意到，《台湾经济日报》报道称，半导体业内多位消息人士消息称，三星本季度将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后，已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%，此举远超业界预期。

这并非是三星第一次为NAND Flash芯片涨价。根据信达证券的消息，近日，三星已向其相关客户宣布，在2023年第四季度，MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%；NAND Flash方面，UFS4.0涨幅约2%左右，eMCP、uMCP涨幅不等，平均涨幅20%以上，最高涨幅高达66%。

有业内人士指出，目前NAND芯片市场转趋热络，客户陆续回笼。三星作为全球存储芯片龙头，其领头调涨价格，将有助整体市场报价正向发展。

2023年，随着国产存储芯片厂商的崛起和整个行业的供需失衡等因素，存储芯片的价格出现了大幅度下降。因此，今年不少国产手机厂商也开始着手普及24GB大内存和1TB大存储，例如一加、Redmi和realme真我等。然而，从下半年开始，三星、海力士等厂商已开始减产并拉升价格。随着大厂大幅减产效益浮现，存储芯片价格预计从今年四季度到明年上半年一路上涨

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