中国64层NAND量产后，长江存储将尽早月产10万片

（观察者网讯）据《湖北日报》13日报道，长江存储科技有限责任公司（简称：长江存储） 副董事长杨道虹表示，2019年，国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的64层三维闪存产品已实现量产。

当前及接下来一段时间，产能爬坡是长江存储的核心任务。杨道虹表示，将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能 ，提升国家存储器基地的规模效应，带动（湖北）全省集成电路产业发展。

长江存储成立于2016年7月，是我国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，也是中国高端芯片联盟发起单位之一，主要业务为3D NAND闪存设计制造等。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存 。2019年9月初，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存就已经正式量产。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

图自长江存储官网

杨道虹表示，国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效。他还提及，国家存储器基地近年来坚持研究布局新型存储器、特种存储器、物联网芯片（5G芯片）以及智能芯片产品的研发，增强核心竞争力。此外，（长江存储）还将联合国内70余家集成电路产业链上下游企业和科研院所，牵头组建半导体三维集成制造创新中心，成立中国半导体三维集成制造产业联盟。

尽管三星、镁光和SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND FLASH市场供应，但中国闪存芯片制造业也正在崛起，且市场需求与日俱增。而长江存储就是为了打破全球垄断局面而生的。

NAND FLASH闪存需求市场，主要包括手机、平板、PC，以及汽车电子、视频监控、智能家居等，随人工智能、5G、物联网的发展，也将延伸出更多的智能应用。

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首批“中国造”32层三维NAND闪存芯片年内量产

11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装。

这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。这亦为武汉市以及东湖高新区打造以芯片-显示-智能终端为核心的万亿级高端消费电子产业集群目标迈出的关键性一步。

据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，并荣获中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

为填补国内主流存储器领域空白，保障国家信息安全，国家存储器基地项目于2016年12月30日在武汉未来科技城正式开工建设。

该项目一期规划投资240亿美元，占地面积1968亩，将建设3座全球单座洁净面积最大的三维NAND Flash生产厂房，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。其中一号生产及动力厂房已于去年9月提前封顶，年内即将投入使用。项目（一期）达产后，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元，有望解决我国受制于他人的“工业粮食”痛点问题，并带动国产设备等产业链上下游企业迅猛发展。

据了解，目前东湖高新区已聚集以长江存储、武汉新芯为龙头的集成电路企业百余家，2017年实现主营业务收入135亿元，专业从业人员近万人。未来，在加快实现存储器芯片量产的同时，东湖高新区还将加大设计、设备、材料、封测、存储控制等企业的招引力度，打造存储器全产业链。

在发展集成电路产业的同时，武汉东湖高新区还以武汉天马、武汉华星光电为龙头，推动新型显示领域发展，以华为、联想 MOTO、小米为龙头，推动智能终端领域发展，目标是在“芯片-显示-终端”核心领域，聚集一批龙头企业和优质中小企业，形成产业创新发展策源地，打造完整产业生态，形成万亿产业集群。

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