祝贺，NAND闪存面世35 周年

来源：内容由导体行业观察（ID：icbank）编译自servethehome，谢谢。

今天，铠侠正在庆祝 NAND 闪存诞生 35 周年。具体来说，该公司在 1987 年发明了 NAND 闪存。当时，NOR 占主导地位，对 NAND 是否会成为一种可行的技术存在疑问。但三年半之后，NAND成为了一个改变世界的大市场。

铠侠庆祝 NAND 闪存 35 周年

在 1990 年代，我们还没有 TB 级闪存的手机或 PB 级的 1U 服务器。取而代之的是，在 90 年代中期，闪存在数字答录机中得到了第一次大规模应用。在那里，NAND 取代了磁带。大多数 STH 的读者已经足够大，可以记住录音机时代，但对于那些不记得的人，与其只是点击手机上的语音邮件，还有一个实体盒子。那个盒子通常放在桌面或工作台面上，响了一定次数后会拿起电话，播放一条消息，然后记录来电者想说的话。录音发生在容易出错的盒式磁带上。NAND 移除了移动部件。铠侠 35 年 NAND 闪存的过去和现在从那时起，许多设备都采用了 NAND。缺少移动部件以及存储密度和性能使得 NAND 广泛用于各地的设备中。NAND 是从数据中心到边缘设备再到物联网的所有领域的基础技术。以下是铠侠在过去 25 年左右的成本降低水平和密度方面的数据（从发明到答录机使用案例需要很多年时间。）铠侠 35 年的 NAND 闪存我们走了多远研发推动了密度并带来了新的工艺节点。随着密度的增加，每 GB 的成本急剧下降。铠侠2021年的NAND Flash市场份额这已经从一项在 5 年多的时间里努力寻找用例的技术变成了每年 70B 美元的行业（并且还在不断增长。）

NAND 绝对是当今的一项基础技术。像许多其他技术一样，它曾经被抛弃只是为了成为市场推动者。实际上，NAND 在我们日常生活的方方面面都是一种使能技术，这是值得花时间认识的重要行业里程碑之一。

三星预计最快年底推出200 层堆叠以上NAND Flash

外媒报导，全球半导体企业为了先量产200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体，展开激烈竞争。南韩三星计划2022 年底或2023 上半年推出200 层堆叠以上NAND Flash 记忆体，2023 上半年开始量产供应市场。南韩媒体《BusinessKorea》报导，三星电子原计划2021 年底量产176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体，但考虑到那时市况，最后决定延后到2022 年第一季。但美商记忆体大厂美光抢先量产176 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体，市场人士预测，三星将加速200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体量产步伐，以夺回美光抢走的技术领先头衔。三星预计128 层堆叠单片记忆体上再叠96 层，共推出224 层NAND Flash 快闪记忆体。产品推出后与176 层堆叠产品相较，224 层堆叠NAND Flash 快闪记忆体生产效率和数据传输速度可提高30%。目前除了三星积极布局200 层堆叠以上NAND Flash 快闪记忆体，其他还有美光和南韩记忆体大厂SK 海力士，也在加速200 层以上NAND Flash 快闪记忆体开发，预计将是另一个NAND Flash 快闪记忆体的决战领域。

★ 点击文末【阅读原文】，可查看本文原文链接！

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2948内容，欢迎关注。

晶圆｜集成电路｜设备｜汽车芯片｜存储｜台积电｜AI｜封装

原文链接！

2022年全球NAND闪存市场现状及应用分布预测分析

中商情报网讯：Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

市场现状

1.市场规模

2020 年全球 NAND Flash 市场实现销售额为 571.95 亿美元，同比增长 24.17%。2018 年初，4G 智能手机市场经过数年发展趋于饱和，同时存储原厂基本完成 3D NAND Flash 的工艺升级，导致晶圆单位存储密度大幅度提升，NAND Flash 供过于求，价格迎来拐点并持续下跌，而由于存储原厂产能投放充足，存储原厂持续将产能传导至渠道市场，市场规模仍保持增长惯性，直至 2019 年大幅回落。2020 年受新冠疫情影响，居家办公、远程通信需求持续拉动个人电脑、服务器市场增长，同时全球产能受疫情管制措施干扰，DRAM 与 NAND Flash 价格上涨，2020 年市场规模实现增长。预计，2022年将进一步增长至631亿美元。

数据来源：中商产业研究院整理

2.存储容量

随着NAND Flash存储原厂的产品生产工艺不断更新发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、产品堆叠层数等经历了较大的技术更新，市场存储密度的供给呈现出较快的增长速度。全球NAND Flash存储容量一直保持增长，从2017年的1620亿GB增长至2020年的5300亿GB，年均复合增长率达35.38%，预计2022年将达6110亿GB

应用分布

NAND Flash存储晶圆的下游应用主要以嵌入式存储产品（如eMMC、UFS）及固态硬盘（如SSD、PSSD）产品为主，其中SSD占比最多，达50%。嵌入式产品、存储卡及存储盘占比分别为35%和9%。

更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国存储器 行业 市场前景及投资机会研究报告》,同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、产业研究报告、产业规划、园区规划、十四五规划、产业招商引资等服务。

相关问答

nand闪存 是什么颗粒?

NandFlash闪存颗粒中根据存储密度的差异可分为SLC、MLC、TLC和QLC四种,按照存储方式划分,NAND闪存已经发展了四代:第一代SLC(Single-LevelCell)每单元可.....

固态硬盘的 闪存 类型:SLC MLC TLC 各指的是什么?何种比较好?-...

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1.SLC全称...

NAND 是什么元件?

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备。在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显,随着人们持续追求功耗更低,重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具...

闪存 有什么功能?

目前流行的迷你移动存储产品几乎都是以闪存作为存储介质。闪存作为一种非挥发性(简单说就是在不加电的情况下数据也不会丢失,区别于目前常用的计算机内存)的半...

3D NAND闪存 有哪些颠覆技术?

3DNAND闪存技术是一种颠覆性的存储技术,它通过在垂直方向上堆叠存储层来实现存储容量的增加。相比传统的2DNAND闪存,3DNAND闪存具有更高的存储密度和更快的...

什么是 NAND闪存 ?

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇...

nand闪存 架构分为?

主要分为slc,mlc,tlc在固态硬盘中,NAND闪存因其具有非易失性存储的特性,即断电后仍能保存数据,被大范围运用。根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分...

nand闪存 与tlc哪个好?

NAND闪存一般指NAND。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳...

NAND闪存 供过于求的情况今年会有所好转吗?

不会。会在大容量SSD的道路上越走越黑。最终收获的将是硬盘市场大换血,SSD可靠性得到进一步认可,并将正式成为主流产品。不会。会在大容量SSD的道路上越走越...

什么是 NAND 芯片?

NAND芯片是一种闪存芯片,广泛应用于各种数字设备,如闪存卡、USB闪存驱动器、固态硬盘等。它是一种非易失性存储器,可以长期存储数据,而不需要任何电源支持。...