CS创世 SD NAND与SPI NAND的对比分析
之前我们写过文章说明了CS创世 SD NAND与eMMC,TF卡,Raw nand等产品的对比。今天给大家聊聊CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比。
这两个产品外观看起来类似孪生兄弟:感兴趣的朋友们可以找雷龙发展申请免费样品测试哦~~~
CS创世 SD NAND 与SPI NAND的对比
都是6*8mm大小,SD NAND是LGA-8封装,SPI NAND是WSON-8封装。它们有哪些异同点呢?
一, 相同点:
1.1 内部材质
主流基本都使用的是SLC NAND Flash晶圆,擦写寿命5~10W次
1.2 封装大小
主流尺寸都是6*8mm,8pin脚
二, 不同点:
2.1接口不同
SD NAND正常接CPU的SDIO使用,有些平台也支持SD NAND接SPI接口(但读写速度可能会变慢); SPI NAND接SPI接口, 接SDIO则无法正常使用。
2.2驱动程序
基本上主流CPU平台都自带SDIO的驱动,因此SD NAND不需要用户额外写驱动;另外SD NAND内置了针对NAND Flash的EDC/ECC,坏块管理,平均读写,垃圾回收等算法。针对NAND Flash的管理完全做好了;而SPI NAND主要是做协议的转换,从并口转为SPI接口,有部分厂商产品内置了EDC/ECC算法,但其他管理机制未包含在内。从而导致了用户在使用SPI NAND时还是要写驱动程序。
2.3读写速度
由于接口和协议的差异,两者的速度差异比较大。SD NAND走的是4-bit传输带宽,读写速度相比SPI NAND要快很多,最高写入速度可以达到Class 10级别;而SPI NAND 主流还是1-bit传输模式,读写速度要慢很多。
2.4稳定度
SD NAND由于内置了全套管理算法,在稳定度方面会好很多。特别是针对掉电保护这块。例如CS创世 SD NAND二代通过了客户10K次的随机掉电测试。而SPI NAND跟Raw NAND 都“继承”了NAND Flash先擦后写机制带来的弊端,在写入数据的时候突然掉电很容易丢失数据。
整体来看SD NAND是一个集成了完整NAND Flash算法的Total Solution,而SPI NAND主要是完成协议的转换,内置的算法并不完整。
亲爱的卡友们,如果看完文章之后还是有疑惑或不懂的地方,请联系我们,自己去理解或猜答案是件很累的事,请把最麻烦的事情交给我们来处理,术业有专攻,闻道有先后,雷龙发展专注存储行业13年,专业提供小容量闪存解决方案。
SD NAND应用领域
SD NAND FLASH 什么是pSLC
一、什么是pSLCpSLC(Pseudo-Single Level Cell)即伪SLC,是一种将MLC/TLC改为SLC的一种技术,现Nand Flash基本支持此功能,可以通过指令控制MLC进入pSCL模式,存储时在MLC的每个单元中仅存储1bit数据,使MLC拥有SLC的性能,同时具有MLC的性价比。
如图所示,单个单元中,MLC可以存储2bit数据,单个单元可以拥有4种状态,当进入pSLC模式后,仅保存1bit数据。
什么是pSLC
二、各NAND FLASH的特点
MLC常用制程为15nm,擦写次数约为3000次,改为pSLC模式后约为2万次。
特点
三、pSLC的优缺点
pSLC具有以下优点:
(1)与相同容量下的SLC相比,成本更低,体积更小;
(2)比MLC更高的P/E次数。
pSLC的缺点:
(1)寿命与性能略低于SLC;
(2)pSLC模式会牺牲原生芯片的一部分容量。
四、应用场景
CS创世推出的2GB pSLC SD Nand,尺寸为6.2*8mm,使用标准SD2.0协议,可以无需修改软件直接替换SD卡和TF卡,采用了贴片式SD NAND后能使您的产品更稳定更安全同时有效增加使用寿命。该芯片几乎达到了协议的最高理论速度(25MB/s),连续读取最高速度可以到达20.6MB/s,连续写入最高速度可以达到19.4MB/s。
CSNP16GCR01-AOW
pSLC SD Nand在文件传输时无论是大文件还是小文件,读写速度都可以保持在一个稳定的状态,同时在反复擦写、异常掉电等特殊场景都具有良好表现,且芯片温宽达到-25℃到85℃,同时兼具SLC的优点和MLC的性价比,是工业存储设备不二选择。
pSLC SD Nand在文件传输时
深圳市雷龙发展有限公司主营Nand Flash 15年,产品应用领域有:医疗设备,工业控制,PON,安防,机顶盒,DVR,通信,网络设备,IPC,执法记录仪,可视对讲,门禁考勤,平板电脑,汽车电子,电力设备,工业仪器设备,POS机,数码相机,教育电子等。其代表客户包括:创维,友华,糖猫,西门子,阿巴町,TCL,ZTE,ABB,Vtech等。
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