西数首发96层3D NAND闪存：不止有TLC，还有QLC

西数最近忙着跟老朋友东芝纠缠NAND业务出售一事，就算留不住他的心，也希望留住他的人，坚决不放弃收购的可能性。另一方面，双方的斗争也没影响合作，西数今天又点出了新的科技树——全球首发了96层堆栈的3D NAND闪存，使用了新一代BiCS 4技术，预计下半年开始出样。值得注意的是，西数的BiCS4闪存不仅会有TLC类型的，还将支持尚未公开上市的QLC类型。

西数全球首发了96层堆栈的BiCS4 3D闪存

3D NAND闪存将在2017年超越2D NAND闪存成为主流，四大NAND厂商也都量产了32层、48层堆栈的闪存，64层堆栈的NAND闪存也有三星、东芝、西数、IMFT在下半年量产，SK Hynix的则是72层堆栈。再下一代就要轮到96层堆栈了，不过这次首发的并不是预期中的三星，而是西数。

西数公司今天宣布推出96层堆栈的3D NAND闪存，相比目前64层堆栈的闪存使用的BiCS 3技术，96层3D NAND闪存使用的是BiCS 4技术，预计在2017年下半年出样给客户，2018年开始量产。

堆栈的层数越多，3D ANND闪存容量就越大，成本月底，不过西数目前的96层堆栈闪存核心容量为256Gb（官方未公布是MLC还是TLC），尚且不及64层堆栈的512Gb（TLC）核心容量。

BiCS 4技术最大的意义不只是堆栈层数更多，西数提到96层3D NAND闪存不仅会有TLC类型的，还会支持QLC，也就是4bit MLC闪存。早前我们也多次提到了QLC闪存的优缺点，但是从今年台北电脑展上得到的消息来看，QLC闪存已经是势不可挡了，明年就会开始进入市场。

如今西数第一个表态会支持QLC闪存，三星、东芝、美光、Intel、SK Hynix等厂商的QLC闪存也不会太远了。尽管QLC闪存的可靠性、寿命要比TLC更差一些，不过从实际测试来看，随着容量的增加、技术的改善，TLC闪存并没有想象中那么容易写死，现在TLC闪存已经是市场上的主流了，MLC闪存已经少见了。

QLC闪存未来也要经过多次考验，大家接受这种闪存可能有个过程，大家对QLC闪存有什么想要了解的，可以加小超哥（id:9501417）咨询。

NAND闪存价格去年跌50%，今年还要再跌50%：64层依然是主流

市面上DRAM内存及NAND闪存两个存储芯片中，DRAM内存去年底开始跌价，而NAND闪存去年初就开始跌跌不止，这让西数、东芝等依赖NAND闪存的公司毛利率大幅下滑。去年NAND闪存价格大降的原因是供需失衡，厂商的64层3D闪存产能量产了，但是智能手机等下游需求低了，导致NAND闪存价格降了50%。今年这个趋势还会继续下降，如果需求不振，NAND闪存价格还要再降50%。此外，今年虽然NAND厂商会量产96层堆栈的3D闪存，不过占比只有1/3左右，过半产能依然是64/72层堆栈的3D闪存。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

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