nand報廢西数，铠侠闪存工厂遭污染，美光 NAND 芯片价格大涨

发布时间 : 2024-11-26

作者 : 小编

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西数、铠侠闪存工厂遭污染，美光 NAND 芯片价格大涨

IT之家 2 月 17 日消息，西部数据及其生产合作伙伴铠侠上周表示，用于闪存芯片生产的材料受到污染，影响了日本两家工厂的生产。

据中国台湾经济日报报道，供应链透露，美光通知 NAND 芯片合约、现货价上涨。其中，合约价上涨 17% 至 18%，现货价涨幅达 25% 以上，这也是目前已知最高的涨价幅度。

IT之家了解到，西部数据 2 月 14 日向客户发布通知，宣布立即上调所有 Flash 产品价格。但涨价幅度并未透露。

报道称，群联此前已传出提高模块报价 15% 的消息。美光 16 日并未正面回应大幅提高 NAND 芯片报价的消息，强调该公司运营未受工厂污染事件影响，将持续为客户提供最佳解决方案，与客户签订长期协议的策略有助于在产业不确定时期让客户对供应有信心。

2 月 9 日，由于用于生产闪存芯片的材料受到污染，导致西部数据和铠侠位于日本四日市的工厂和北上工厂的合资工厂停产，大量的晶圆报废，预计最快需等到 2022 年 3 月中才能恢复正常生产。西部数据当时就对外表示，这一事故将使其 3D NAND 闪存的产量至少减少 6.5EB（该数据尚不包含来自铠侠的损失）。

存储器基础

前几天跟同事聊到我们常用的各种存储器，比如硬盘，DDR内存条的一些知识，突然发现大概知道是啥意思，但是说出来又感觉含糊不清，今天咱们一起来梳理一下。

我们将按如下框架来说明：

从计算机的角度来看：

易失性存储器最典型的代表是

内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。

易失性存储器的特点：掉电丢失数据，但存取数据速度很快。

非易失性存储器的特点：掉电不丢失数据，可用于长期存储数据。

一、易失性存储器

易失性存储器的代表是RAM（Random Access Memory），即随机存储器。

RAM相当于计算机中的内存，是程序运行的临时场所。好比办公室，上班时间有人(临时数据)，下班后就没人了(掉电丢失)。

按照存储结构，RAM又分为两种，一种为DRAM(Dynamic RAM)即动态随机存储器，另一种为SRAM(Static RAM)即静态随机存储器。

1.1、DRAM

电容C存储电荷后，即使地址线被拉低使得Q关断，但电容C依旧会对周围空间释放电荷造成数据丢失，所以需要定期对DRAM构造的存储单元进行刷新操作。

DRAM存储单元结构示意图

DRAM保留数据的时间很短，速度比SRAM慢，不过它比任何的ROM都要快，从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM。

DRAM又可以分为SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SRAM和DDR5 SRAM。

SDRAM(SynchronousDRAM)同步动态随机存储器，即数据的读写需要时钟来同步。仅在时钟的上升沿将数据采样并进行存储处理，即一个CLK周期，只采样一次数据。

DDR SRAM相比SDRAM，速度上更快，在时钟的上升沿和下降沿都对数据进行了采样存储处理，即一个CLK周期，采样两次数据，故命名为Double Data Rate SDRAM（DDR SDRAM）。而DDR2，DDR3，DDR4和DDR5则在时钟频率上进行了提升。

1.2、SRAM

该存储单元由T1、T2、T3、T4构成锁存结构来实现数据的保存，无需定期刷新操作。

SRAM存储单元结构示意图

它的速率很快，是目前读写最快的存储设备了，但成本比较高，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM和SRAM主要区别

DRAM一般用于主存，SRAM一般用于cache(高速缓存)DRAM必须定时刷新，运行速度慢，集成度高，发热量小，成本低。SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此SRAM 比 DRAM 快。SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。高速缓冲存储器是SRAM的一种应用，而DRAM用于主存储器。由于使用了大量的晶体管，SRAM的结构很复杂。而DRAM易于设计和实现。

二、非易失性存储器

非易失性存储器种类比较多，分别是ROM、FLASH以及外部大容量存储器。

2.1、ROM（Read-Only Memory）只读存储器

ROM相当于计算机中的硬盘，我们的操作系统就是装在计算机硬盘之中，每次开机后都是启动硬盘中的程序。

ROM好比是住房，是我们真正的的容身之所(程序本身或者常量、固定数据等，掉电非易失)。

ROM分类：

MASKROM：真正意义上的只读存储器，一次性由厂家用特殊工艺固化，用户无法修改。

EEPROM：可实现重复擦写，直接用电路控制，不需要专门的设备来进行擦写。且操作单位为字节，并不需要操作整个芯片。目前已是主流。

2.2、FLASH

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据其存储特性，相当于硬盘。U盘和MP3里用的就是这种存储器。

近些年来，在嵌入式系统中，FLASH用作存储Bootloader，操作系统，程序代码或者直接当硬盘使用。

FLASH分类：

NOR FLASH 得益于地址线和数据线分开，可以以“字节”读写数据，所以允许程序直接在上面运行。NOR一般只用来存储少量的代码,因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息；

NOR的特点是无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行，不必再把代码读到系统RAM中。

NAND FLASH 相当于PC系统中的硬盘，容量大，用于存储安装软件之类的。

NAND Flash是通过物理方法保存数据的，既然是用物理方法就必须得有损耗，所以它的寿命是有限的，写入超过一定次数后就会报废。

NAND FLASH对比NOR FLASH在成本上有很大的优势，但是存在坏块问题(NAND通常是以块为单位进行擦除，块内有一位失效整个块就会失效)。

NAND FLASH要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。

生产厂家主要有：东芝、美光、intel、HYNIX、三星。

2.3、eMMC

eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)为MMC协会所订立的，它的内部是把NAND flash+主控IC封装在一起。

eMMC在物联网广泛应用，一般在移动设备，比如手机，平板电脑，一体工控机等等，总之一些硬件空间紧凑的地方。

eMMC优点是除了可以得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到）外，还可以管理NAND （坏块处理，ECC，FFS)等。

eMMC（BGA封装）

eMMC现在主要是eMMC5.1，eMMC5.2，至此后，久未更新。

据说eMMC可能被UFS逐步取代，UFS闪存传输速率远超eMMC闪存，实际未知。

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存储器基础

一、易失性存储器

二、非易失性存储器

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