德明利申请NAND闪存最佳读取电压区间的定位专利，提高程序纠错的效率

金融界2024年4月6日消息，据国家知识产权局公告，深圳市德明利技术股份有限公司申请一项名为“一种NAND闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质“，公开号CN117831603A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及电子技术领域，尤其是涉及一种NAND闪存最佳读取电压区间的定位方法、装置及电子设备、存储介质，该方法包括：根据NAND闪存的型号确定基准电压区间；将所述基准电压区间向右偏移得到第一电压区间，并，将基准电压区间向左偏移得到第二电压区间。本申请先确定基准电压区间，并之后将该基准电压区间向右偏移或向左偏移，并读取这三个区间内的soft bit的个数，基于这三个区间的soft bit的个数之间的比较关系，确定NAND闪存最佳读取电压区间，这样可以有效的减小确定最佳读取电压区间所需尝试测量的次数，以快速的确定最佳读取电压区间，以提高便于程序纠错的效率。

本文源自金融界

就在一季度，NAND闪存将进入200+时代

近期，有消息称，三星电子将在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并在2023年上半年开始量产。三星现已实现单堆栈技术下的128层NAND 闪存，此后决定将双堆栈技术整合到其176层3D NAND制造工艺中，作为200层以上NAND产品研发时的过渡，计划在2022 年第一季度量产。预计三星第一款200层以上NAND闪存的层数将达到224层。

不只是三星，美光、SK海力士、西部数据、铠侠都在积极研发200层以上的NAND闪存，竞争愈发激烈，预计200层以上的NAND闪存时代即将到来。赛迪顾问集成电路产业研究中心高级分析师杨俊刚向《中国电子报》表示，从目前的各大闪存存储厂商的技术研发来看，在2022年1月，美光成为业内最先推出176层NAND 闪存的厂商，西部数据和铠侠也官宣了第六代162层3D NAND技术，三星将紧随其后将在今年第一季度推出，各大厂商在200层以上的NAND 闪存领域进行发力。从目前的研发进度来看，三星和美光在多层数堆叠存储器方面的技术基础较为领先，但三星为追求技术的领先性，以及提前抢占市场份额，争取最早在市场上推出200层以上的闪存产品，更有可能率先推出200层以上的NAND 闪存产品。

杨俊刚表示，随着NAND闪存的层数越来越多，所遇到的难度也就越大，在保证产品性能提升，存储量变大的情况下，要保证随着钻孔加深时钻孔的精确度，避免出现钻孔导致位置偏移带来的影响，厂商将会尽量在增加层数的同时，尽量减少每层的厚度，达到总体产品的厚度增加较小，以减少钻孔出现的难度。200层以上的闪存产品的量产将会增加存储容量，将有利于下游应用产品容量升级。

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