32Gb、400MBs带宽！江波龙首颗自研2D MLC NAND Flash闪存发布

快科技2月2日消息，日前，继自研SLC NAND Flash系列产品规模化量产后，

江波龙表示，近年来在存储芯片自主研发投入了大量的精力和资源，公司引进了一批具备超过20年存储芯片设计经验的高端人才。

据介绍，该团队不仅精通闪存芯片设计技术，还对于流片工艺制程、产品生产过程有深入了解，对4xnm、2xnm、1xnm等Flash工艺节点的产品实现拥有丰富经验。

在产品测试方面，江波龙自研NAND Flash产品通过内嵌片上DFT电路，配合自主开发的测试平台，实现高效生产测试。

目前，江波龙已具备SLC NAND Flash、MLC NAND Flash、NOR Flash产品的设计能力， 并将通过完善的工程及品控能力逐步拓展更丰富的Flash产品系列。

值得一提的是，江波龙除了在NAND Flash芯片领域持续发力，还在DRAM芯片方面进行深入研究。

据江波龙介绍，2023年就已推出复合式存储nMCP，将自研SLC NAND Flash和通过自研测试平台验证的LPDDR4x进行合并封装，实现高频低耗、宽温运行的优异特性，可充分满足5G网络模块存储需求。

江波龙表示，未来将继续大力投入存储芯片的自主研发，深入挖掘NAND Flash、DRAM存储芯片的应用潜力。

东芯股份：持续研发2xnm制程的SLC NAND Flash产品，扩大研发团队规模提升创新能力与技术水平，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索

金融界5月30日消息，东芯股份披露投资者关系活动记录表显示，公司基于2xnm制程，持续进行SLC NAND Flash产品系列的研发，不断扩充产品线，积极推进先进制程的1xnm SLC NAND Flash产品的研发及产业化进程。公司将在保障现有人才队伍稳定的同时，扩大研发团队规模，配备不同层次的研发人员，提升公司的创新能力和技术水平。同时，公司将以存储业务为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局，为客户提供更多样化的芯片解决方案。

本文源自金融界AI电报

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