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nand供应 NAND闪存供应短缺，三星斥资186亿美元投资芯片市场钛快讯

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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NAND闪存供应短缺，三星斥资186亿美元投资芯片市场钛快讯

题图来源：视觉中国

钛媒体快讯 | 7月4日消息： 韩国三星电子有限公司本周二表示，计划在韩国投资至少21.4万亿韩元（约合186.3亿美元），以巩固其在内存芯片和下一代智能手机领域的领先地位。

作为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。

近年来，三星、东芝和SK海力士已投入了数百亿美元来推动NAND闪存的生产，但分析师和业内人士表示，由于新设备在2017年无法提供有意义的供应，短缺可能至少持续到明年。

外界预计，三星和其他内存生产商将在2017年实现利润创纪录，因为智能手机和服务器的性能不断提高，从而导致价格上涨。行业消息人士和分析师表示，由于高端存储产品的普及，NAND芯片的短缺问题更为严重。

也有分析师表示，这种额外的产能可能会在2018年初造成轻微的供应过剩，但随着智能手机制造商选择更大的内部存储，价格崩溃的现象不太可能发生。市场对用于云计算和虚拟现实应用程序的高端服务器存储的需求也将继续增长。

三星表示，对韩国的投资是为了响应新总统文在寅的号召，将在2021年创造多达44万个就业机会，并将有助于提振经济。三星显示器公司计划在韩国新成立一家企业，生产有机发光二极管显示器，投资约1万亿韩元。

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NAND闪存芯片价格持续上涨全行业减产初见成效？

【CNMO新闻】11月30日，CNMO注意到，业内消息人士称，NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨，进一步推动芯片供应商实现收支平衡。

此外，据DigiTimes报道，自今年7月底8月初到达谷底后，DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨，这也让三星、SK海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间，除了减产措施以外，材料短缺也影响了价格的变动。虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的水平，不过几个月下来上涨的幅度并不小，比如512GB的NAND闪存芯片价格几乎是7月时的两倍，256GB也在同一时间段上涨了55%，而两条8GB的DDR4内存套装比起8月时涨价了10%。

TrendForce之前发布研报指出，存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨。存储模组厂威刚此前则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

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