ASML又慌了？佳能挑战EUV推纳米压印光刻机，2nm不用光刻直接-印
众所周知，目前ASML在光刻机市场占据垄断地位，若想制造高端芯片，就绕不过ASML的光刻机。
因此，为了避免“卡脖子”危机，中国、日本、俄罗斯等国家近年来一直都在进行新的探索，希望能找到DUV/EUV光刻机的替代技术。
近日，日本佳能宣布其在纳米压印技术上取得了新进展。
佳能10月13日宣布推出FPA-1200NZ2C纳米压印半导体制造设备
根据佳能方面最新消息，该公司宣布推出新型光刻设备：FPA-1200NZ2C，
据佳能介绍，传统的光刻设备是通过将电路图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而佳能此新产品则是通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模来实现这一点，简单理解就是：纳米压印的原理就像盖印章一样 。
佳能这一新型设备预计在2025年首先投入到NAND Flash存储芯片的生产中，后续会应用于DRAM和逻辑芯片的制造。
佳能还表示，除了现有的光刻系统之外，公司还计划将纳米压印光刻技术半导体制造设备推向市场，扩大其半导体制造设备阵容。
二十年磨一剑，佳能想换道超车
纳米压印技术听起来似乎很复杂，实际上其原理并不难理解。
压印也叫做叠印，是印刷的一种，即一个色块叠印在另一个色块上，是一种比较古老的图形转移技术。我们最常见的硬币、纪念章等，都是用压印的方法制造的，纳米压印则是所转移的图形特征尺寸只有几纳米到几百纳米的一种压印技术。
纳米压印光刻与光学光刻原理对比图示（图源：佳能官网，果壳硬科技译制）
纳米压印技术的发展可追溯至上世纪90年代。
早在1995年，由华裔科学家周郁教授（Stephen Y.Chou）等人将古老的石板印刷技术引入到现代高科技领域，纳米压印技术由此诞生，此后这一技术引起半导体行业科研人员的关注。
今年7月，周郁教授在上海交通大学进行主题为“纳米压印光刻和纳米赋能人工智能的便携即时健康检测（iMOST）”的讲座
日本则属于第一批进行纳米压印光刻机相关技术研发的国家。据资料显示，日本佳能公司从2004年便开始秘密研发纳米压印光刻机。
2009年，一家叫做Molecular Imprints（MII）的美国公司也开始进行纳米压印技术的研发，并曾计划用此技术制造32nm工艺的芯片。
但是后来MII因为生产速度慢、缺陷率高以及资金链等问题，其技术发展一直未能取得突破。
2014年，希望凭借纳米压印技术重回行业龙头位置的佳能，收购了MII ，并将其更名为Canon Nanotechnologies。至此，佳能研究纳米压印技术的消息才逐渐被公开。
随后，佳能还和东芝(2019年，东芝储存器改名为铠侠）一起合作，联合开发纳米压印技术。
强强联手后，佳能在NIL领域逐渐崭露头角。
2017年以来，佳能将纳米压印技术用于量产存储芯片的新闻经常见诸报端。今年以来，铠侠、SK海力士等存储芯片大厂也已经开始购买佳能纳米压印设备，由此可见佳能新一代半导体设备已得到行业认可。
2017年7月，佳能已向东芝Memory公司的四日市工厂供货
今年9月中旬，有消息称，韩国的SK海力士已经从佳能引进了纳米压印设备，计划在2025年前后，开始量产3D NAND闪存，并在测试，结果很好。据称佳能纳米压印设备的技术指标不错，套刻精度达到了2.4nm/3.2nm，每小时可制造100片以上晶圆，基本达到了3D NAND大规模生产的水平。
佳能官方首次发布“纳米压印光刻”技术原理视频
佳能介绍称，目前其最新的纳米压印光刻技术可实现最小线宽14nm的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的5nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现最小线宽为10nm的电路图案，相当于2nm节点。
国内纳米压印技术进展如何？
从1995年提出至今，纳米压印技术经历了近30年的发展，实际上已经被应用到多个领域，如集成电路、屏幕显示、光学、生命科学、环保、国防等。它与X射线光刻、电子束光刻和离子束光刻一起被视为第二代光刻技术的候选者。
与传统的光刻技术相比，纳米压印技术具有多重优势。
首先纳米压印技术的制造成本较低，仅为光刻技术的60% ，并且其功耗较低，耗电量仅为光刻机的10% ；其次，纳米压印技术拥有较高的产能，可大面积制造 ；再次，纳米压印技术的工艺精度可以达2nm，这在各个领域都具有巨大的发展潜力；最后，纳米压印设备价格也更便宜，根据佳能介绍，其价格只有传统光刻机十分之一都不到。鉴于纳米压印光刻的种种技术优势，以及能够绕开ASML DUV/EUVl的垄断优势，国内相关企业也在纷纷布局。
公开资料显示，国内已有多家上市公司积极布局该技术，这些公司集中在消费电子行业，包括美迪凯、利和兴、水晶光电、汇创达、歌尔股份、苏大维格 等。
据财联社资料显示，相关上市公司中，美迪凯控股子公司在纳米压印制程领域，具有自主知识产权及核心技术，公司采用灰度光刻、纳米压印及晶圆封装工艺，成功开发了一种无基材晶圆级压印光学模组技术 。
晶方科技的控股公司荷兰Anteryon早在2008年就开发了包括微透镜在内的晶圆级镜头工艺，公司控股子公司晶方光电在苏州的纳米压印产线从2019年开始也将此工艺应用在车用照明产品中。
国内微纳结构制造和技术服务商苏大维格，也在今年9月公开表示，公司已关注到纳米压印光刻在集成电路和芯片制造领域具备替代传统光刻的应用潜力，并在积极布局。
此外，复旦大学、北京大学、南京大学、上海交通大学、西安交通大学、华中科技大学以及中科院北京纳米能源与系统研究所、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、上海纳米技术研究发展中心等高校与科研机构也都在积极开展纳米压印技术的研究。
尽管目前看来，国内起步较晚，日本在纳米压印技术上占得先机，专利方面占据比例较大，但这一技术仍处于产业化初期阶段，距离真正的商业化还有一段距离，因此国内企业在这一赛道仍有很大机会。
虽然纳米压印技术另辟蹊径，被视为半导体行业的新希望，但这项技术依然存在很多挑战，距离大规模量产仍有一段距离。
根据电巢目前所掌握的资料，纳米压印的缺点主要有以下三点：
纳米压印光刻的模板寿命低，更换成本高；良品率难以把握，多次压印可能会造成较大误差；压印模板与承载压印胶的基台精确对准与贴合难度大。由此可见，若想凭借纳米压印技术完全替代EUV，至少目前来看，难度仍然非常大。
正因如此，纳米压印技术目前还备受争议，并不被看好。不过，推翻以往常识的创造发明，往往在一开始都会受到质疑，正如在马车时代，火车也曾被人们视为妖物，那时候人们更不曾想到高铁、飞机会成为如此稀松平常的存在。
所以，也有业内人士分析称，对于业界来说，纳米压印仍是一个可以期待的“备胎”， 若给它以更多时间，它极有可能成为最具性价比的EUV平替工艺，未来也会有很大的应用前景。
参考资料：
Canon Global：Nanoimprint lithography semiconductor manufacturing system that covers diverse applications with simple patterning mechanism
佳能俱乐部：新一代半导体细微加工技术 “纳米压印”研发轶事
果壳硬科技：纳米压印光刻，能让国产绕过ASML吗？
砥砺前行的国内光刻胶
来源：内容来自半导体行业观察（ID：icbank）转载自公众号驭势资本，谢谢。
光刻胶是光刻时用于接收图像的介质： 光刻胶是一种有机化合物，受特定波长光线曝光作用后其化学结构改变，在显影液中的溶解度会发生变化，因此又称光致抗蚀剂。正胶在曝光后发生光化学反应，可以被显影液溶解，留下的薄膜图形与掩膜版相同；而负胶经过曝光后变成不可溶物质，非曝光部分被溶解，获得的图形与掩膜版相反。
主要成分： 光刻胶是光刻工艺的核心材料，主要由树脂、感光剂、溶剂、添加剂等组成，其中树脂和感光剂是最核心的部分。
使用UV光的简易光刻工艺图：
光刻胶主要成分：
树脂（聚合物）： 在光照下不发生化学反应，主要作用是保证光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，也决定了一些其他特性如膜厚、弹性、热稳定性等。
感光剂： 受特定波长光照后在曝光区发生光固化反应，使得材料的物理特性，尤其是溶解性发生显著变化。
溶剂： 为了方便涂覆，要将溶质加入溶剂进行溶解，形成液态物质。
添加剂： 用以改变光刻胶的某些特性，如为改善发生反射而添加染色剂等。
概述|光刻技术是半导体
制造最关键的技术
光刻技术是半导体制造的关键环节： 光刻技术用于电路图形生成和复制，是半导体制造最为关键的技术。
光刻技术的进步是集成电路技术遵循摩尔定律更新的重要技术先导， 其先进程度决定了半导体制造技术水平的高低。
光刻工艺贯穿半导体器件和集成电路制造工艺始终， 当代超大规模集成电路制作需要几十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小线条尺寸是集成电路发展水平的标志。
基本光刻工艺流程包括 表面处理、涂胶、前烘、对准和曝光、显影、后烘等工序，将所需要的微细图形从光罩转移到待加工基片上。
半导体产业链及制造工艺流程：
光刻工艺基本流程：
概述|半导体光刻胶是光刻
胶重要应用领域之一
光刻胶应用分类： 光刻胶按照下游应用领域划分，主要可分为PCB、面板、半导体三类，每一类光刻胶又有各自细分品类。其中半导体光刻胶技术门槛最高，按照光源波长的从大到小，可分为紫外宽谱(300-450nm)、g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品类，每一种品类的组分、适用的IC制程技术节点也不尽相同。
光刻胶按应用领域分类：
全球光刻胶市场结构：
半导体光刻胶品类：
技术演进|与光刻技术曝光波长
适配下的分辨率提升
曝光波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径： 根据著名的瑞利判据公式——分辨率R=K1*/NA，光刻工艺分辨率的提升可以通过减小光源波长、增加光刻物镜数值孔径NA、减小工艺因子K1三方面实现，而后两者的变动范围相对有限，因此波长的减小是提高光刻分辨率最有效的途径。
发展路径清晰： 制程节点进化的需求是光刻胶行业发展的驱动因素，光刻胶和光刻机技术的相辅相成、兵合一处是制程得以进步、摩尔定律得以实现的关键。相应的，光刻胶的光化学反应与光刻机曝光波长的适配是提高光刻工艺分辨率的关键。
光刻技术发展图谱：分辨率提升超100x
ASML使用EUV实现微缩化的历史：
壁垒|专利技术、原材料、设备验证、
客户认证等高筑行业壁垒
客户认证： 由于光刻胶的品质会直接影响最终的芯片性能、良率等，试错成本极高，因此客户准入壁垒高，验证周期通常需要2-3年。
客户产品验证 需要经过PRS(基础工艺考核)、STR(小批量试产)、MSTR(中批量试产)、RELEASE(量产)四个阶段。
专利技术： 光刻胶产品需要根据不同的应用需求定制，产品品类多，配方中原材料比重的细微差异将直接影响光刻胶的性能，且配方难以逆向解析，严重依赖于经验积累所形成的技术专利。
原材料： 上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素，目前我国光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。
设备验证： 送样前，光刻胶生产商需要购置光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受国外限制，尤其是EUV光刻机目前全球只有ASML能批量供应。
市场：晶圆厂扩建拉动需求，但长期被日企垄断
市场空间|2022年全球光刻胶
市场有望达到123亿美元
全球光刻胶市场规模： 据前瞻产业研究院数据显示，2019年全球光刻胶市场为82亿美元，预计2026年有望达123亿美元，2019-2026年年复合增速约为6%。
中国光刻胶市场规模： 得益于PCB、LCD、半导体等产业制造产能的东移，国内上游的电子材料产业快速发展。据中商产业研究院数据，中国光刻胶市场规模从2016年的53.2亿元增长至2020年的84亿元，预计2021年为93.3亿元，同比增长11%。
全球光刻胶市场规模（亿美元）：
中国光刻胶市场规模（亿元）：
市场空间|2025年中国半导体光刻胶
市场有望达100亿元
全球半导体光刻胶市场规模： 据TECHCET预测，2021年全球半导体光刻胶市场规模将同比增长11％，达到19亿美元。在全球缺货的大环境下，芯片制造，尤其是晶圆代工产能供不应求为半导体光刻胶提供了持久的增长动力。未来几年，全球半导体光刻胶市场将保持稳定的增长。
中国半导体光刻胶市场规模： 据SEMI数据显示，中国光刻胶半导体市场规模从2015年的1.3亿美元增长至2020年的3.5亿美元。随着国内晶圆代工产能的不断提升，2025年中国光刻胶半导体市场规模有望达到100亿元，2020-2025年年复合增速将达到35%，明显高于全球市场增速。
全球半导体光刻胶市场规模（百万美元）：
中国半导体光刻胶市场规模（亿美元）：
需求端|晶圆厂扩产是拉动行业
增长的重要驱动因素
SEMI的数据显示， 2017-2020年间全球投产的半导体晶圆厂为62座，其中有26座设于中国大陆，占全球总数的42%。预计从2020年到2024年至少新增38个12英寸晶圆厂，其中中国将新建19座（中国台湾11座，中国大陆8座）。8吋晶圆月产能至2024年也将达660万片规模。光刻胶等半导体材料供应商将有望受益于扩产浪潮。
全球8英寸晶圆厂月产能（千片）：
全球晶圆厂持续扩产：
需求端|中国半导体材料市场 突飞
猛进，光刻胶增长强劲
全球半导体材料市场规模： 半导体材料分为前道晶圆制造材料和后道封装材料两类，以前者为主，主要包括硅片、光刻胶、掩膜版、溅射靶材、电子特气、湿电子化学品、CMP抛光材料等。
根据SEMI的数据， 2020年，全球半导体材料市场规模增长至553.1亿美元，其中晶圆制造材料为349亿美元；中国大陆市场规模快速增长至97.6亿美元，首次成为全球第二大市场，增速12%，增幅跃居全球第一。
光刻胶增长强劲： 在晶圆制造材料细分市场中，增长最为强劲的是光刻胶和光刻胶配套材料、湿化学品以及CMP抛光材料。据统计，光刻胶和光刻胶配套试剂分别占晶圆制造材料市场的6%和8%。
全球半导体材料市场规模（亿美元）：
2020年晶圆制造材料市场结构：
行业趋势|光刻胶市场结构
变化，EUV增速最快
全球半导体光刻胶市场呈结构性增长， 据TECHCET数据显示，2020年和2021年，用于KrF和ArF i的光刻胶市场较高，而EUV的应用范围正在从逻辑芯片扩展到DRAM，预计2021年EUV光刻胶市场超过2000万美元，到2025年将超过2亿美元，年复合增速超过50%。然而目前，EUV光刻胶的市场几乎被日本的TOK、信越化学和JSR三分天下。
半导体光刻胶细分品类应用范围比较：
半导体光刻胶市场结构变化：
2019--2021年ASML光刻机销售额结构变化：
业绩靓眼|ASML光刻机供不
应求，布局下一代EUV
设备供不应求，预计2022年销售额将继续增长20%：
近日，荷兰光刻机巨头ASML发布了2021年度财报， 实现186.1亿欧元销售收入，同比增长33%；实现净利润58.8亿欧元，同比增长65.6%。2021年，ASML共交付了42台EUV光刻机，贡献营收63亿欧元，营收占比33.85%，平均每台售价1.5亿欧元。
此外，ASML还销售了81台ArFi光刻机、131台KrF光刻机。 由于当前需求量比最大供给量高出40%-50%，ASML预计2022年销售额将继续增长20%。此外，ASML宣布已收到英特尔对下一代光刻机EXE：5200的订单，该光刻机单价将超过3.4亿美元。
ASML2021年营收增幅结构：
ASML2019--2021年光刻机交付数量（台）：
ASML新一代EUV光刻系统TWINSCAN NXE:3600D：
产业链及主要
代表企业
竞争格局|市场高度集中，
长期被日企垄断
日本称霸，寡头垄断： 全球光刻胶市场长期被日美高度垄断，数据显示，日本的合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）位居一二，CR5高达87%。
在半导体光刻胶领域，日本企业依然占据领先地位，实现了对半导体光刻胶的垄断。 前五中除了美国杜邦，其余四家均为日本企业。其中JSR、TOK的产品可以覆盖所有半导体光刻胶的品种，是绝对的龙头，尤其在高端的EUV市场高度垄断。目前国内市场仍主要以PCB用光刻胶供应为主，面板、半导体用光刻胶自给率依然很低。
2019年全球光刻胶市场竞争格局：
2019年全球半导体光刻胶市场竞争格局：
国内光刻胶市场：
竞争格局|国内中高端产品与国外
差距较大，自给率严重不足
细分市场格局： 从细分品类来看，目前国内厂商主要以紫外宽谱、G线、I线等低端领域产品为主，毛利率相对较低，国内厂商的产品已经占据了一定的市场份额。而高端领域的KrF、ArF、EUV光刻胶在技术、产品、产能方面均与国外存在较大差距，目前仍主要依赖于进口，处于被国外巨头垄断的现状，国内公司量产层面近乎空白，尤其是EUV光刻胶，国内尚无一家企业有产品问世。
2020年全球g/i i线光刻胶市场竞争格局：
2020年全球KrF光刻胶市场竞争格局：
2020年全球ArF光刻胶市场竞争格局：
复盘|光刻胶和光刻机
发展史中的里程碑
复盘启发|历史市场份额变化的背后
是行业发展的关键因素
复盘光刻胶产业从美国转移到日本并由日本企业主导， 即使在半导体产业转移、日本光刻机企业失去地位后依然能称霸全球的历史，启发我们找到背后行业发展的关键因素有——行业需求、配套的光刻机技术、制程适配度以及产业链集群等。
行业发展的关键因素：
受下游需求影响： 战后半导体产业从美国转移到日本，下游家电的繁荣发展带动半导体行业需求，驱动日本光刻胶和光刻机技术快速发展。
需与配套的光刻机技术协同发展： 在g/i线时代，日本光刻机厂商优势明显，带动了日本光刻胶的发展。进入248nm光源之后，ASML逐渐追上。事实上，2003年ASML还开发过157nm的F2光源，但由于物镜配套材料存在吸收问题并未商用，这反而因祸得福，在开发出浸没式光刻技术后进一步扩大了领先优势。
应与制程需求
相匹配
虽然IBM早于TOK研发出KrF光刻胶且处于领先地位， 但在1995年之前，下游应用制程的特征尺寸仍集中在0.35μm以上，i线光刻胶更具性价比，KrF的优势并不明显。之后，i线光刻极限无法满足制程节点需求，KrF光刻胶就此发展起来。
产业链上下游集群紧密配合
除了积累的技术、专利、行业经验等壁垒外， 日本光刻胶企业依然屹立不倒，主要在于产业链上下游分工明确、高度协同、紧密配合。上游原材料生产企业中，日企数量近半，产业链集群优势明显。
趋势：国产替代迫在眉睫，国内企业追风赶月
背景及政策|政策持续加码，
国产替代乃大势所趋
政策频出，为国产替代浪潮推波助澜：
光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料， 为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，国家、地方层面政策先后出台。
其中， 既有国家层面印发的战略性、鼓励性、支持性政策等，也有各个省市进一步落实国家政策发布的规划、意见、指导目录等。
尤其在中美贸易冲突的影响下， 产业供应链安全和自主可控成为重中之重，国产替代迫在眉睫，乃行业发展的大势所趋。
与光刻胶相关的政策：
2014.06国务院《国家集成电路产业发展推进纲要》： 从国家战略层面系统全面的为半导体产业链各环节定下发展方向和重点，其中提出要开发光刻胶等关键材料，研发光刻机等关键设备，增强产业配套能力。
2015.05商务部《国家重点支持的高新技术领域（2015）》： 将分辨率光刻胶及配套化学品列入“精细化学品”大类下的“电子化学品”项。
2017.05科技部“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》： 将深紫外光刻胶列为极大规模集成电路制造装备及成套工艺的关键材料。
2019.12工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)》： 将集成电路用光刻胶及其关键原材料和配套试剂、ArF光刻胶用脂环族环氧树脂、g/i线正性光刻胶用酚醛树脂列入推荐材料。
2020.08国务院《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》： 为进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业创新能力和发展质量，在财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面出台引导性及鼓励性政策措施。
2021.03发改委、工信部、财政部等《关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知》：光刻胶生产企业入围清单，可享受税收优惠政策。
2021.07上海市政府《上海市战略性新兴产业和先导产业发展‘十四五’规划》： 明确提出要提升先进光刻胶研发和产业化能力。
2015.06江苏省政府《江苏省政府关于加快全省集成电路发展的意见》： 大力发展集成电路用化学试剂、光刻胶等关键材料，支持国产材料的规模化应用。
2021.06浙江省政府《浙江省新材料产业发展“十四五”规划》： 重点发展的新材料先进半导体材料包括大规模集成电路制程用关键材料以及配套的光刻胶等基础材料。
2020.02广东省政府《加快半导体及集成电路产业发展若干意见的通知》： 加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体等材料研发生产。
供给端|信越断供，国内
厂商迎来窗口期
大基金持续加码，核心材料国产化刻不容缓：除了政策扶持，还有资金在持续加码。
早在一期国家大基金就投资了晶瑞电材等公司， 二期更是将半导体材料作为重点布局领域，例如作为战略投资者参与南大光电定增。此外，2019年7月起，日本限制向韩国出口光刻胶的举动也给国内敲响了警钟。
光刻胶保质期通常在6个月以内， 无法囤货，一旦断供可能会引起停产的严重局面，由此核心材料国产化重要性更加凸显。
短期供给受限，国内厂商迎来导入窗口期： 2021年5月，由于受到前期地震的影响，日本信越化学的产能遭到冲击，向中国大陆多家一线晶圆厂限制供货KrF光刻胶，部分中小晶圆厂甚至遭遇断供，这反而给了国内厂商绝佳的客户验证、产品导入窗口期。
上海新阳光刻胶募投项目进度表：
供给端|追风赶月莫停留，
平芜尽处是春山
面对契机， 国内厂商已经开始布局中高端产品，加大研发投入，同时纷纷积极建设生产线，扩建光刻胶及其配套试剂的产能，同步进行客户验证，并向产业链上游原材料领域延伸，与上下游公司紧密合作开展业务，旨在实现核心材料一体化，以减少供应链风险同时降低成本。
此外，在内生的基础上，企业也注重开展外延并购和外部合作，加快提升自身核心竞争力。 例如彤程新材旗下的北京科华与杜邦达成了战略合作，开展先进光刻胶和其它光刻材料的合作；上海新阳与贺利氏开展合作共同开发半导体用光刻胶产品和相关材料。
国内半导体光刻胶重点厂商布局：
国内半导体光刻胶重点厂商扩产项目：
南大光电： 募投1.5亿元用于光刻胶项目，建成年产5吨ArF干式光刻胶、年产20吨ArF浸没式光刻胶产线、年产45吨的光刻胶配套高纯试剂的产线以及年产350吨高纯显影液产线，产品性能满足90nm-14nm集成电路制造的要求。
晶瑞电材： 发行可转债募集资金，其中3.13亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发项目，完成90-28nm用ArF光刻机研发及产业化。子公司年产1200吨集成电路关键电子材料项目建设光刻胶中间体1000吨/年、光刻胶1200吨/年（g/i线扩产），计划于2022年10月建成投产。
彤程新材： 自筹资金6.9853亿元投资建设ArF高端光刻胶研发平台，预计2023年末建成，主要研发ArF湿法光刻胶。子公司彤程电子在上海化工区投资建设年产1千吨半导体光刻胶、1万吨平板显示用光刻胶、2万吨配套试剂的生产线，预计2022年内开始分批投产。
上海新阳： 定增拟将8.15亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要开发ArF干法光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶。合肥工厂正建设半导体高端光刻胶系列产品年产能500吨。ArF干法光刻胶通过验证后预计2022年年产能5000加仑（约合18.93吨）。
参考资料来自：平安证券、驭势资本研究所
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纳米技术有哪些应用?要了解纳米技术的应用,首先要知道什么是纳米技术?从字面意思上理解,这项技术应该是与长度有关,我们从网上可以查询到对纳米技术的定义:它是用单个原子、分子...
朋友们， 光刻 加工的功能?求解答[回答]光刻加工工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。光刻加工工艺是利用类似照相...
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