三星计划明年生产第9代V-NAND闪存：沿用双层堆栈架构，超300层

IT之家 8 月 18 日消息，据 DigiTimes 报道，三星电子计划明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，将沿用双层堆栈架构，超过 300 层。

报道称，这将使三星的进度超过 SK 海力士 —— 后者计划 2025 年上半年量产三层堆栈架构的 321 层 NAND 闪存。早在 2020 年，三星就已首次引入双层堆栈架构，生产第 7 代 V-NAND 闪存芯片。

▲ 图源三星

IT之家注：双层堆栈架构指在 300mm 晶圆上生产一个 3D NAND 堆栈，然后在第一个堆栈的基础上建立另一个堆栈 。

而三星即将生产的超 300 层第 9 代 V-NAND 将提高单个晶圆上生产的存储密度，这将有利于降低固态硬盘的成本。

作为竞争对手，SK 海力士的三层堆栈架构则是创建三组不同的 3D NAND 层 ，而这种做法将增加生产步骤和原材料的用量，目的是最大限度提高产量。

另据《首尔经济日报》报道，业界认为三星在推出第 9 代 3D NAND 之后，将有望在第 10 代 430 层的 3D NAND 中采取三层堆栈架构。该报援引业内人士称，若 3D NAND 层数超过 400，原材料用量和晶圆成本也会水涨船高，同时也会保证产量。

在去年 10 月举行的“2022 三星科技日”上，三星曾提出长期愿景：2030 年将层数提升至 1000 层 。

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

据韩国出版物《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供 290 层结构，比该公司于 2022 年首次推出的 236 层第八代 V-NAND 有进一步的提高。

据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现 290 层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。

报道第 9 代 V-NAND 的同一消息来源还称，该公司计划在 2025 年初推出其后续产品--第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 闪存预计将达到 430 层，比第 9 代 V-NAND 闪存增加 140 层（第 9 代 V-NAND 闪存比上一代增加 54 层）。

这将使三星与其竞争对手 Kioxia、SK Hynix、美光科技和 YMTC 重新走上正轨，向 2030 年实现 1000 层 3D NAND 闪存的宏伟目标发起冲击。

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