台积电N3P工艺来了 良率接近N3E 性能提升功耗降低
【太平洋科技资讯】 台积电的春季技术研讨会展示了该公司工艺技术的持续进步。作为该公司向更小、更高效能芯片设计迈进的最新一步,N3P工艺技术已完成资格认证,预计将在今年下半年投入生产。
台积电的N3P工艺采用光学微缩技术,相比与N3B的宽松版本N3E,它以比N3E更低的成本提供了更高的性能效率。这一微缩技术有望在相同漏电情况下将性能提高4%,或者在相同时钟频率下将功耗降低9%。这种改进对于处理器开发人员来说无疑是一个巨大的吸引力,尤其是在当前能源效率至上的芯片设计环境中。
台积电的N3P工艺与之前的N3E一样,具有与旧节点同一点的缺陷率相当的D0缺陷密度。这表明台积电在开发最后一代、更精细的FinFET技术方面取得了显著的进步。尽管N3P在某些方面牺牲了一些晶体管密度,但通过消除EUV层和使用一些避免EUV双图案的方法,生产成本得到了显著降低,同时工艺窗口和产量也有所扩大。
台积电的一位高管在活动中表示:“我们已经看到客户产品的出色产量表现,因此他们确实按计划进入了市场。”这表明,随着N3P工艺的成熟和稳定,客户已经开始将其应用于实际生产中。
值得注意的是,尽管N3(又名N3B)的生命周期相对平静,只有苹果公司作为其主要客户,但随着N3E的推出,这一情况正在改变。N3E是N3B的宽松版本,旨在通过消除一些EUV层和使用新的技术来提供更高的性能和效率。这一变化吸引了广泛的客户,其中包括许多业界最大的芯片设计商。
台积电预计,随着N3P工艺的推出,大部分新流片将选择使用这一更高效的技术。N3P与N3E和N3在IP模块、工艺规则、电子设计自动化(EDA)工具和设计方法方面具有高度的兼容性,这使得设计人员更容易过渡到新的工艺技术。此外,N3P有望在今年下半年投入生产,预计芯片设计人员将立即采用它。
台积电的下一代工艺技术N3P以其成熟的制程优势,预计将在今年下半年投入生产。这一技术的推出将为处理器开发人员提供更大的性能和效率提升,同时也为台积电的客户提供更广泛的选择。随着更多客户开始采用这一新技术,我们期待看到工艺技术的持续进步和芯片设计的创新,或许这也能改变大众对于台积电N3节点提升不大的看法。
SK海力士官宣“业界最高性能”固态硬盘PCB01,今年内量产上市
IT之家 6 月 28 日消息,SK 海力士今日(6 月 28 日)宣布,公司开发出用于端侧 AI PC 的“业界最高性能”固态硬盘 SSD 产品 PCB01 。
SK 海力士表示:“公司业界率先将 PCB01 适用了‘PCIe* 5.0 x 8 接口 ’技术,以显著提升数据处理速度等性能。继 HBM 等超高性能 DRAM 后,也在 NAND 闪存解决方案方面,公司成功开发最高标准的产品以引领面向 AI 的存储器市场。”
SK 海力士正在与全球 PC 客户进行对新产品的验证,计划验证完成后今年内开始量产,并同时推出面向大型客户和普通消费者的产品 。
在面向 PC 的固态硬盘产品中,PCB01 的顺序读写速度分别达 14GB/s和 12GB/s 。与上一代产品相比,PCB01 的能效提升了 30% 以上,可提升大规模 AI 计算的稳定性。
同时,SK 海力士在该产品上应用了 SLC 缓存(SLC Caching)技术 。该技术使部分 NAND 闪存存储单元能够以高速的 SLC 模式运行。
IT之家注:NAND 闪存存储器根据每个存储单元(Cell)中存储的数据位数(bit)分为 SLC(Single Level Cell,1 位)、MLC(Multi Level Cell,2 位)和 TLC(Triple Level Cell,3 位)等不同规格。随着存储容量的增加,同一面积内可以存储更多的数据,但速度和稳定性会相应降低。
此外,PCB01 还搭载了保护个人信息的安全功能,配置有安全解决方案信任跟(ROT),以防止外部攻击和数据伪造、篡改,同时保护用户密码。
SK 海力士 PCB01 将提供 512GB、1TB、2TB 三种容量 。SK 海力士 NAND 闪存解决方案委员会(N-S Committee)担当副社长安炫表示:“此新产品与前一代相比性能显著提升,目前几家面向端侧 AI PC 的中央处理器公司提出兼容性验证合作 。公司计划顺利进行此产品的客户验证和量产,巩固面向 AI 的存储器市场内的领先地位。”
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