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nand 主控 外媒曝光:金士顿 NV1 固态硬盘混用主控芯片,QLC TLC 闪存
发布时间 : 2024-11-24
作者 : 小编
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外媒曝光:金士顿 NV1 固态硬盘混用主控芯片、QLC TLC 闪存

IT之家 12 月 30 日消息,金士顿 NV1 固态硬盘定位入门级别,采用 PCIe 3.0 界面,1TB 容量售价 589 元。外媒 techpowerup 发现,这款固态硬盘最新批次采用的主控芯片与之前不同,产品混用了慧荣和群联的主控,不同容量的版本也混用 QLC、TLC 闪存。

外媒买到了一条 1TB 容量 NV1 SSD,揭开标签后发现产品使用了慧荣 SM2263XT 主控,闪存芯片为美光 96 层堆叠的 QLC NAND。

▲ 不同的 NV1 硬盘实拍对比

其它几家评测机构的金士顿 NV1 固态硬盘,采用了群联 PS5013-E13 主控芯片,有着 QLC、TLC 不同的闪存。群联和慧荣这两款主控芯片均兼容 TLC、QLC 闪存,但是具体哪种容量采用 TLC 则未知。

根据目前网络上的评测结果,金士顿 NV1 固态硬盘顺序写入速度约为 2200MB / s,顺序读取速度约为 1700MB / s。目前没有证据表明,金士顿 NV1 固态硬盘混用主控的做法,会使得产品性能受到影响。

IT之家了解到,目前金士顿 NV1 SSD 提供 250GB 至 2TB 容量可选,2TB 版本售价 1179 元。官方标称的产品寿命符合 QLC 闪存的特点,官方提供三年有限保固服务,具体的条件也根据剩余寿命进行判断。

慧荣科技推出适用于 AI 智能手机、边缘计算和汽车应用的UFS 40 主控芯片

2024年3月13日--全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技(NasdaqGS:SIMO),今日宣布推出UFS(通用闪存存储)4.0主控芯片SM2756。作为业界使用最广泛的UFS主控芯片解决方案系列的旗舰产品,可满足人工智能手机和其他高性能应用(包括汽车和边缘运算)不断增长的需求。同时还新增了第二代SM2753UFS3.1主控芯片,以扩展其产品组合,支持从UFS4.0至UFS2.2标准。慧荣科技UFS产品系列为旗舰、主流和高性价比手机及其他移动计算设备提供高性能、低功耗的嵌入式存储,支持最广泛的NAND闪存,包括下一代高速3DTLC 和QLCNAND。

最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解决方案是全球最先进的主控芯片,基于领先的6纳米EUV技术,采用MIPIM-PHY 低功耗架构,提供高性能和电源效率的最佳平衡,满足现今高端AI移动设备的全天候计算需求。SM2756实现4,300MB/s 以上的循序读取性能和4,000MB/s 以上的循序写入速度,支持最广泛的3DTLC 和QLCNAND 闪存,容量高达2TB。

全新第二代SM2753UFS 3.1 主控芯片解决方案,采用高速串行链路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane标准和SCSI体系结构模型(SAM),实现前所未有的性能。继SM2754UFS3 主控芯片取得成功后,SM2753以单通道的设计特点,采用新一代3DTLC 和QLCNAND,提供2150MB/s 的循序读取性能和1900MB/s 的循序写入性能,满足当前手机、物联网和汽车应用中不断增长的UFS3.0市场需求。

慧荣科技最新UFS主控芯片解决方案搭载先进的LDPCECC 技术,具备SRAM数据错误检测和校正功能,增强数据可靠性、提高性能并降低功耗。最新UFS主控芯片解决方案支持最广泛的NAND,包括所有领先闪存制造商最新的3DTLC 和QLCNAND 产品。

慧荣科技终端和车用存储业务高级副总段喜亭表示:“采用6纳米EUV制程的SM2756满足最新的高端智能手机对高性能、高容量和低功耗NAND存储的需求,符合下一代AI功能和应用。”他指出:“最新的单通道SM2753能够使我们通过更具成本效益、高性能和低功耗的主控芯片,在扩大且不断增长的UFS3.0市场中保持领先地位。”

UFS4.0SM2756:

符合 JEDEC UFS 4.0 标准并支持 HS-Gear-5 x 2-Lane、MPHY 5.0 和 UniPro 2.0 标准

双通道 NAND 闪存主控芯片,并支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎,支持低功耗解码模式,通过软信息进行高纠错功能

循序读取 / 写入性能:4300MB/s / 4000MB/s

2024 年中批量生产

UFS3.1 SM2753

符合 JEDEC UFS 3.1 标准并支持 HS-Gear-4 双通道、MPHY 4.1 和 UniPro 1.8 标准

单通道 NAND 闪存主控芯片,支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎,支持低功耗解码模式,通过软信息进行高纠错功能。

循序读取 / 写入性能:2150MB/s / 1900MB/s

目前进入批量生产

慧荣科技将于3月20日在深圳举办的CFMS| MemoryS 2024峰会中展示最新的UFS控制芯片,以及最新的消费级和企业级SSD解决方案,同时也受邀于峰会主论坛中进行演讲。

(8604306)

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