nand大厂长江存储再度“亮剑”：起诉美光侵犯其11项美国专利！-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand大厂长江存储再度“亮剑”：起诉美光侵犯其11项美国专利！

发布时间 : 2025-01-19

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

长江存储再度“亮剑”：起诉美光侵犯其11项美国专利！

7月20日消息，据Tomshardware报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

以下是诉讼中引用的八项专利：

US10950623：3D NAND存储器件及其形成方法

US11501822：非易失性存储器件及控制方法

US10658378：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10937806：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10861872：三维存储装置及其形成方法

US11468957：NAND存储器操作的架构和方法

US11600342：三维存储设备的读取时间

US10868031：多堆叠三维存储器件及其制造方法

今年6月7日，长江存储由在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

显然，长江存储正试图通过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。

美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力通过原有的设备及国产设备来帮助其发展其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。今年早些时候，长江存储还宣布，它已经设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（达到4000个编程/擦除周期），这大大改善了廉价SSD的特性。

编辑：芯智讯-浪客剑

一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

对于高端NVMe SSD市场来说，各家大厂的争夺也是异常激烈，每家各显神通，对产品都有着不同的策略和定位。这给消费者的选购也带来了一些困惑，官方公布的数据非常接近，但实际性能是不是都一样？于是，本期的对比横评应运而生，我们选择了4款热门的高端NVMe SSD进行横向对比评测，他们分别是：三星970 EVO、东芝RD500、西部数据SN750、英特尔760P，这几家也都采用了各自的原厂颗粒，而且价格区间也比较接近。我们通过理论测试、应用测试以及极限测试，来还原每款产品的最真实本质，到底哪一款才是满足你使用需求的那颗菜？

选择的这4款产品都是目前的热门产品，但他们却各有特色，并且为了发挥出产品的最强性能，我们都选择了1TB容量的版本，这4款产品分别是：

三星970 EVO ，前上一代消费级TLC固态硬盘中的热点产品，因为产品更新，价格有所回落，与其他固态硬盘价格更为接近。三星这款固态硬盘采用的是64层的V-NAND，总写入量达到1200TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3500MB/s、连续写入2500MB/s，随机4K读取500K IOPS，随机4K写入480K IOPS。

西部数据WD_BLACK SN750，也是市场上关注度较高的SSD产品。它采用自家的3D NAND TLC闪存颗粒和主控，总写入量达到600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3470MB/s、连续写入3000MB/s，随机4K读取515K IOPS，随机4K写入560K IOPS。

Intel 760P，2018年年初诞生的产品，因为其性能在当时属于顶尖水准而且价格能够接受，并且凭借Intel的口碑以及品质也是得到众多用户的青睐。它颗粒采用自家的64层3D-NAND闪存颗粒，总写入量在576TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3230MB/s、连续写入1625MB/s。随机4K读取340K IOPS，随机4K写入275 IOPS。

东芝RD500，最近刚刚发售的全新产品，推出后就在网上口碑很好,是PCIe Gen3*4规格的新晋旗舰产品，之前低一个级别的RC500在同类型产品中有着出众的表现，广受好评，而作为更高阶的RD500。RD500的存储颗粒以及主控单元依然都是使用的是东芝原厂芯片，采用96层3D BiCS FLASH技术。总写入量600TBW，提供5年质保。官方给出的最大连续读取3400MB/s、连续写入3200MB/s。随机4K读取640K IOPS，随机4K写入600K IOPS。

测试方向&测试平台

针对不同固态硬盘的性能差异，我们主要通过理论性能测试、实际使用测试，极限读写测试，温度这四个方面，对4款固态硬盘的进行全面考量。

为了保证这里横评的4款固态硬盘可以说代表了当前市场上最强的固态硬盘，测试平台不能太差，因此选择i9 9900K搭配华硕M11H作为测试平台上，具体配置如下。

理论性能测试

常规跑分测试

首先是使用AS SSD Benchmark，CrystalDiskMark这两款软件,在默认设置下对固态硬盘的最大连续读写、4K随机读写进行测试。

首先从AS SSD Benchmark得分而言，RD500获得了最高的分数，主要强在它的4K-64性能，分数达到了6475分，几乎高出了第二名的SN750 1000分，970 EVO第三，760P最后。

而在使用CrystalDiskMark这款软件进行测试后，测试的结果基本类似。在顺序读写上，只有Intel 760P有明显的差距，其他固态硬盘之间的差距较小。而在更重要的4K随机读写上，东芝RD500的多线程4K随机读写能力更强一些，这也说明AS SSD Benchmar评分机制中4K随机读写的成绩会占较大比重，因为在日常应用中4K也最经常被使用到。

在这个环节中，主要是验证了固态硬盘均达到了官方给出了最大指标，，接下来还需要进行更详细的测试，来对比四款硬盘的性能。

空盘SLC缓存测试

在TLC 硬盘中，为了解决TLC NAND Flash自身读写较慢的问题，厂商为TLC固态硬盘配备了SLC Cache缓存空间，一旦这个缓存使用完，往往就会出现断崖式降速。而上面在默认情况下使用AS SSD Benchmark CrystalDiskMark这些常规固态硬盘跑分软件无法反应出硬盘降速问题，测试出来的成绩其实都是在测试SLC Cache的性能，从某种意义上来说，SLC Cache的综合性能代表了固态硬盘最本质的性能，因此这里就使用HD Tune分别对4块硬盘的缓冲容量大小以及缓外速度进行测试。

首先来看下三星970EVO的测试结果，它的缓存容量约为43G，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度达到了1300M/s。

对于WD_BLACK SN750来说，它的缓存容量一直是个弱项，缓存仅有13G，缓内速度2750m/s，缓存速度缓外略高于三星，速度约为1500M/s。

接着就是东芝RD500，它的的缓存容量约为41G，稍弱于三星970EVO，但缓内速度约为2900M/s，比三星西数都要高一点，而缓外速度是1000M/s。

最后是英特尔760P，缓存容量约为10G，缓内速度仅有1500M/s而缓外速度仅有900M/s左右，后期写入速度也发生了明显的掉速，是所有产品里表现最差的。

东芝RD500与三星970EVO可以说在这个环节里处于伯仲之间，两款固态硬盘都拥有40GB以上的缓存容量，东芝RD500拥有最快的缓内速度，缓外速度略低于三星970 EVO。而西数SN750的缓存容量偏小，仅有约13GB，与前2名的SLC缓存容量差距较大，但缓外速度达到1500M/s，算是也能弥补一些SLC缓存容量偏小的问题，英特尔760P的成绩依然垫底。

80%占用SLC缓存测试

接下来我们还将进行更为激进的测试，我们给4块硬盘分别填入800G的文件，让固态硬盘的占用在80%左右，以简单模拟长时间使用后硬盘空间减小的情况，看看在这种情况下，固态硬盘的缓存大小，缓存速度和缓外速度会发生怎样的变化。

首先还是对三星970EVO进行测试，它缓存容量下降到只剩5GB，看出其采用动态缓存设计，缓内速度约为2400m/s，而缓存外的写入速度依然有1300M/s左右。

WD_BLACKSN750的缓存容量依然为13G，是固定缓存设计，缓外速度略微降低2700m/s左右，缓存速度缓外速度约为1500M/s左右。

东芝RD500的缓存容量约为24GB，缓存速度约为2600M/s，而缓外速度依然为1000M/s，可以看出它与三星970 EVO相同，采用了动态缓存设计，但与三星的机制不同，SLC缓存依旧比较大，这对RD500的性能也会有一定的帮助，可以弥补外存外速度不高的问题

英特尔760P的缓存容量下降到了5GB，缓存速度仅有1500M/s而且缓外速度仅有850M/s左右，表现依旧是最差的。

在填入800G数据后，除了WD_BLACK SN750表现比较稳定外，外其余3款SSD均发生不同程度的波动，主要都是缓存容量发生变化。

东芝RD500和三星970EVO 空盘状态下均为缓存大小基本一致，可填入数据后线东芝RD500的缓存容量依然还有24GB，而三星970EVO 却发生大幅下降，这可能和东芝RD500的缓存策略有关，在有限的空间内，RD500会尽可能调用剩余空间提供足够大的SLC 缓存，以保证硬盘能够长时间高速运行，这也从侧面说明，东芝对于自家颗粒的寿命是否有自信。就从这一环节表现来看，RD500的缓存性能策略是要好于三星的。而760P缓存容量下降为原来的一半，同样仅有5G左右的缓存容量。

极限读写测试

通过上面针对SLC缓存的测试，我们也非常期待在实际的环境下这些固态硬盘的表现是否也向上面测试结果表现出来的一致，我们将分别测试四款固态硬盘在空盘以及80%占用下进行拷贝40G/60G单个大文件，拷贝26G碎文件以及解压47G游戏压缩包的速度。

40G/60G单个大文件拷贝测试

测试文件是单个大小约为40G/60G的压缩包，模拟拷贝大文件写入场景（例如：游戏压缩包、高清视频素材等），主要是测试固态硬盘持续写入的能力，其中固态硬盘的缓存大小以缓外速度会对最终的测试成绩产生较大的影响。

这个测试结果也印证了我们之前HD Tune对于SLC缓存的测试结论。在拷贝40G文件时，得益于东芝RD500最大的SLC缓存容量和最快的缓内速度，在这个环节中排名第一，而西数SN750因为缓存偏小，但缓外速度，紧接其后位于第二。而三星970 EVO虽说同样拥有43G的大缓存，在空盘时表现不错，不过随着使用容量增加缓存容量下降的较快，在80%占用的情况下，拷贝用时有所增加，位于第三位。而Intel 760P的性能始终不太理想基本处于倒数第一。

而在将拷贝文件增加至60G后，SN750的综合成绩基本和RD500差不多，这也是因为拷贝文件已经超过RD500的最佳性能区域，有部分文件是在以缓外速度进行写入，而SN7501500M/s的缓外速度占了一些优势，，不过在日常使用中，对于绝大部分用户来说大文件的拷贝频率一般不会太高。

26G碎文件拷贝测试

这里选择测试的碎文件是由Windows系统文件以及游戏原文件组成的碎文件包，与上面的大文件测试不同，主要是对硬盘的4K随机写入能力提出要求，可以一定程度模拟游戏及大量文件转移时的情况。

在这个环节中，空盘状态下除了Intel 760P，其他固态硬盘均保持21s左右完成26G文件的写入，要领先760P 30s。而在80%占用后，WD_BLACK SN750，东芝RD500以及三星970 EVO，成绩非常接近，分别差距2秒，而英特尔760P因为自身读写速度不足，稳定处于最后一位。

47G压缩包解压测试

测试用的游戏压缩包是《地铁离去》的游戏原文件压缩包，所有压缩包文件大小在47G左右，游戏压缩包放置在测试硬盘内，并解压到同一个文件夹中，这种情况下固态硬盘的读取与写入能力会同时影响到解压用时。

在游戏解压环节上，三星，东芝，西部数据固态硬盘之间的差距都非常小，不过三星970EVO以相对微弱的优势处于这个测试的第一。综合看来三星，东芝，西部数据属于这项测试的第一梯队，垫底依然是Intel 760P。

实际使用测试

游戏加载测试

现在的游戏文件越来越大，打开游戏会涉及大量文件的读取，硬盘的读取能力会直接影响到游戏体验。因此这个环节通过测试游戏的加载时间来看看四款固态硬盘的成绩。游戏测试这里是选择今年发行的两款顶配游戏，众生平等：《刺客信条：奥德赛》以及显卡杀手：《地铁：离去》两款游戏在1080P分辨率下均无脑开启最高特效（地铁关闭光追）分别记录《刺客信条：奥德赛》第一存存档点和《地铁：离去》伏尔加河关卡的加载时间。

在游戏中，四块固态硬盘，无论是空盘还是80%占用下，游戏加载上均保持非常相近的成绩，而且4款SSD无论是空盘还是80%占用，都不会对游戏体验造成明显的影响，可以保持体验一致性。

PSB文件使用测试

在游戏之外，进行图片内容创作创作也是很多用户在电脑中会使用到的，这里我们使用Photoshop对硬盘的性能进行测试。由于一般简单PS修图对硬盘的读写性能要求并不高，可在使用PS制作海报时，工程文件动辄数G，原文件的打开与保存会耗费大量的时间，于是这里准备了一个大小约为2.7G的PSB海报工程文件作为固态硬盘的读写测试文件，分别测试硬盘的固态硬盘在空盘与80%占用下的打开与保存速度。

在打开PSB文件上，四款硬盘的在相同状态下的差距不大于2s，完全可以认为4块硬盘打开PSB文件的性能非常接近。而在保存PSB文件上，唯有三星970 EVO在80%占用后发生了显著变化，用时在40s以上，比其他硬盘要慢上5s。

综合上诉实际使用测试，在空盘状态下四款固态硬盘的成绩都基本趋于一致，实际表现并没有非常明显的区别，可以说现阶段的高阶TLC固态硬盘已经都能够完全胜任这些基础软件操作和应用场景，即便是面对众生平等奥德赛和显卡杀手地铁逃离这种级别的大型游戏文件，这款4款固态硬盘应对起来都是绰绰有余。

表面温度

在这个环节中，使用热成像仪记录4块固态硬盘在待机状态下的温度以及长时间拷贝文件的极限温度。主机是直接裸露在外，为了加快测试过程，主板上会同时插上两块固态硬盘，因此下面的热成像图片会有两种背景。由于热成像仪器在记录银色金属主控时会触发识别误差，因此在RD500的主控位置盖上一张纸片，以避免热成像设备触发BUG。

在待机状态，四款固态硬盘的温差在41度到53度之间，最高温度都集中在主控位置。其中SN750温度最高，待机状态下主控温度达到53度。接着是760P待机温度为48度。970 EVO与待机温度均为45度，位列第二，而RD500待机温度最低，仅有41度，是待机温度最低的固态硬盘。

在满载测试的情况下，三星970EVO与西数SN750主控的温度最高，三星970EVO的温度更是达到99度，作为上一代的老款旗舰，温度确实太高了，SN750的温度也来到92度。而东芝RD500的最高温度78度左右，最高点依然处于主控位置。温度最低就是Intel 760P，主控温度仅有72度，比西数要低20度，当然性能低温度也低。

结论

测试到这里，相信各位对这4块固态硬盘的性能有了自己的看法，接下来我们就逐个分析和复盘。因为这4块固态硬盘都是目前市面上的旗舰产品，自然有他优秀的地方，所以接下来的横评结论会从理论性能、实际应用等多个维度给出综合点评。

三星970 EVO 这是上一代旗舰产品，不过在性能上，毫无疑问依然属于目前旗舰水平，能够跟上最新旗舰产品的节奏，但详细对比后会发现，在一些细节上已经落后于现在的新款产品，例如最高读写速度，缓存速度而这些落后的项目中，最为突出的就在于高达99度的主控温度，在电脑机箱内想要找到比他更高的芯片还真有点难度。如果在夏天，持续高负载读写下主控温度破百不是问题，作为日常使用时，还是考虑为其增加散热片，增加使用时的稳定性，这也是消费者需要考虑的一个重要环节。

东芝RD500 一款刚上架不久的新旗舰级产品，采用96层3D BiCS FLASH堆叠技术、东芝原厂颗粒的产品，在硬件技术上是领先的。此外RD500的，整体性能也是可圈可点的，无论在理论测试还是极限测试环节中都有多个项目领先，依托于优秀的SLC Cache缓存机制，以及最大的43GB的缓存空间和最高的缓内速度，在最经常用到的中小型文件读写场景下有着非常明显的优势，再加上较低的主控温度表现。目前阶段，从数据上综合来看RD500是很值得选购的旗舰NVMe SSD产品。

西部数据WD_BLACK SN750 在综合性能表现上，SN750无论是日常游戏、内容创作的表现都是比较稳定的。也是因为得益于其固态缓存的设计，不过约13GB的缓存容量在目前的各类旗舰NVMe SSD中来说有些捉襟见肘，但其拥有1500M/s的缓外速度也能作为缓存容量不足的补充，另外一个缺点就是相对较高的主控温度，这个需要消费者后期自己额外购买第三方散热片，或是选择价格更高的EKWB版本，但如果这么做性价比就相对不高了。

Intel 760P 算是4款测试产品中“年龄”最大的固态硬盘了，在很多测试环节中，成绩都排在最后一名，面对现在使用新技术的固态硬盘，760P的极限性能确实有些招架不住。不过之所以知道他的成绩垫底，也是因为进行了日常使用比较少见的极限性能测试，而在常规使用环境下，相信也没多少玩家会像我一样天天去拷贝数百G的文件，更何况他的温度表现是四款固态硬盘中最优秀，软件体验也是一致。所以真的落到实际使用时，760P会更适合在笔记本上使用，只要入手的价格合适也不是不能选择。

每款产品代表着每个厂商在推向市场时都有自己的策略和定位，在选择能满足自己需求，同时又能以比较小代价得到的我们就称之为高性价比，这也是本文想要阐述的观点，希望能为近期想要选购高性能NVMe SSD的玩家们一些启发和借鉴。

长江存储再度“亮剑”：起诉美光侵犯其11项美国专利！

一线品牌旗舰NVMe SSD横评：都是原厂闪存，为何有差距？

关于我们

产品中心

服务与支持