如何使用和维护ANDK烧录座

基于多年Socket的设计、制作经验，KZT 研发了两款弹片结构的BGA老化Socket ，一种为单面弹，采用传统焊接方式与PCB 板固定；一种为双面弹，采用我司创新的锁螺丝方式与PCB 板固定；客户可以根据实际情况自由选择

一 产品特点 ：

1、单面弹结构：

采用传统的焊接方式将Socket与PCBA板固定，稳定牢固，但是费工费时，且Socket一旦焊接后，无法重复利用；

2、双面弹结构：

采用创新的锁螺丝方式将Socket与PCBA板固定，在确保接触稳定牢固的同时，减少了按装时间，省时省力，且Socket可以从PCBA板上拆卸，重复利用，节约了测试成本；

二、材料& 性能：

Ø Socket 本体: PEI

Ø 弹片材料：铍铜

Ø 弹片镀层：镍金

Ø 操作压力：2.0KG min，pin越多压力越大

Ø 接触阻抗：50mΩ max.

Ø 耐压测试：700V AC for 1 minute

Ø 绝缘电阻：1,000MΩ 500V DC

Ø 最大电流 ：1A

Ø 使用温度：-55℃~+175 ℃

Ø 使用寿命：25000 次（机械测试 ）

适用于间距为0.4/0.5/0.65/0.8/1.0mm的芯片

Ø 紧凑的设计和较小的测试压力

Ø 独特的结构避免卡球

Ø 可更换限位框

Ø “U”形弹片支持任何形态的锡球（有球，无球，残球-整体接触面落差不超过0.2MM）

三、操作方法

◆根据不同芯片封装，所使用的烧录座就一样；

◆如果IC无法放入烧录座时，请勿强行放入；

◆使用前先检查烧录座是不否与之IC匹配：

四、判断

1.与IC接触金属弹片为镀金，颜色呈金黄色，如发现变黑或色泽不均匀时，可判断为金属弹片已经出现氧化，应立即停止使用，要用酒精清洁烧录座或更换新烧录座

2.如金属弹片有断裂或歪斜，Socket有损坏，需更换新烧录座；

◆针对BGA封装，特别是带球类型的Socket，IC在距离烧录座上空1~2mm时释放，让其自由落入烧录座里，切勿直接把IC按入Socket中；

◆使用中要“轻压烧录座，轻放IC”，切勿用大力取放，造成IC或烧录座的损伤

5.维护保养事项

◆不可使用腐蚀性之清洗剂，虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤，缩短使用寿命。只可用静电毛刷，精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁，可以用超声波进行清洗；

◆每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污

◆清洁完的烧录座最好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放

◆烧录座长时间不使用时，合上盖子，用盒子装好，尽量存放在密封，干燥阴凉的地方，防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化（呈黑色）用精密清洁剂进行清洁后再使用。

PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命

5.维护保养事项

◆不可使用腐蚀性之清洗剂，虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤，缩短使用寿命。只可用静电毛刷，精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁，可以用超声波进行清洗；

◆每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污

◆清洁完的烧录座最好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放

◆烧录座长时间不使用时，合上盖子，用盒子装好，尽量存放在密封，干燥阴凉的地方，防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化（呈黑色）用精密清洁剂进行清洁后再使用。

PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命

存储芯片 emmc、Nand flash、Nor flash之间有什么区别

随着存储领域的发展，有很多不同的存储介质，今天ICMAX就带大家来分一分emmc、Nand flash、Nor flash之间的区别。

一、定义及区别

emmc：全称为embeded MultiMedia Card，是一种嵌入式非易失性存储器系统，由Nand flash和Nand flash控制器组成，以BGA方式封装在一款chip上。

Nand flash：一种存储数据介质；若要读取其中的数据，需要外接的主控电路。

Nor flash：也是一种存储介质；它的存储空间一般比较小，但它可以不用初始化，可以在其内部运行程序，一般在其存储一些初始化内存的固件代码。

这里主要重点讲的是emmc 和Nand flash 之间的区别，主要区别如下：

(1) 在组成结构上：emmc存储芯片简化了存储器的设计，将NAND Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而NAND Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作，两者的结构图如下：

(2) 在功能上：eMMC则在其内部集成了 Flash Controller，包括了协议、擦写均衡、坏块管理、ECC校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能。相比于直接将NAND Flash接入到Host 端，eMMC屏蔽了 NAND Flash 的物理特性，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 NAND Flash 进行特殊的处理。同时，eMMC通过使用Cache、Memory Array 等技术，在读写性能上也比 NAND Flash要好很多。而NAND Flash 是直接接入 Host 端的，Host 端通常需要有 NAND Flash Translation Layer，即 NFTL 或者 NAND Flash 文件系统来做坏块管理、ECC等的功能。另一方面，emmc的读写速度也比NAND Flash的读写速度快，emmc的读写可高达每秒50MB到100MB以上；

二、emmc的初始化和数据通信

emmc与主机之间通信的结构图：

其中包括Card Interface（CMD，DATA，CLK）、Memory core interface、总线接口控制（Card Interface Controller）、电源控制、寄存器组。

图中寄存器组的功能见下表：

CID: 卡身份识别寄存器 128bit,只读， 厂家号，产品号，串号，生产日期。

RCA: 卡地址寄存器，可写的16bit寄存器，存有Device identification模式由host分配的通信地址，host会在代码里面记录这个地址，MMC则存入RCA寄存器，默认值为0x0001。保留0x0000以用来将all device设置为等待CMD7命令状态。

CSD: 卡专有数据寄存器部分可读写128bit，卡容量，最大传输速率，读写操作的最大电流、电压，读写擦出块的最大长度等。

SCR: 卡配置寄存器， 可写的 64bit 是否用Security特性(LINUX不支持)，以及数据位宽（1bit或4bit）。

OCR: 卡操作电压寄存器 32位， 只读，每隔0.1V占1位， 第31位卡上电过程是否完成。

（5）Device Identification Mode和初始化

MMC通过发CMD的方式来实现卡的初始化和数据通信

Device Identification Mode包括3个阶段Idle State、Ready State、Identification State。

Idle State下，eMMC Device会进行内部初始化，Host需要持续发送CMD1命令，查询eMMC Device是否已经完成初始化，同时进行工作电压和寻址模式协商：eMMC Device 在接收到这些信息后，会将OCR的内容（MMC出厂就烧录在里面的卡的操作电压值）通过 Response 返回给 Host，其中包含了 eMMC Device 是否完成初始化的标志位、设备工作电压范围 Voltage Range 和存储访问模式 Memory Access Mode 信息。

如果 eMMC Devcie 和 Host 所支持的工作电压和寻址模式不匹配，那么 eMMC Device 会进入Inactive State。

Ready State，MMC完成初始化后，就会进入该阶段。

在该 State 下，Host 会发送 CMD2命令，获取eMMC Device 的CID。

CID，即 Device identification number，用于标识一个 eMMC Device。它包含了 eMMC Device 的制造商、OEM、设备名称、设备序列号、生产年份等信息，每一个 eMMC Device 的 CID 都是唯一的，不会与其他的 eMMC Device 完全相同。

eMMC Device 接收到CMD2后，会将 127 Bits 的CID的内容通过 Response返回给 Host。

Identification State，发送完 CID 后，eMMC Device就会进入该阶段。

Host 会发送参数包含 16 Bits RCA 的CMD3命令，为eMMC Device 分配 RCA。设定完 RCA 后，eMMC Devcie 就完成了 Devcie Identification，进入 Data Transfer Mode。

注：emmc初始化和数据通信的过程，有点类似USB协议，USB控制器去发送请求给USB设备，以IN包和OUT包的形式去建立与USB设备之间的通信，默认状态下，USB设备也是0地址的，与控制器分配设备地址。（感兴趣的可以看一下USB2.0的协议，主要是第8和9章内容）

三、eMMC工作电压和上电过程

根据工作电压的不同，MMC卡可以分为两类：

High Voltage MultiMediaCard，工作电压为3.3V左右。

Dual Voltage MultiMediaCard，工作电压有两种，1.70V~1.95V和2.7V~3.6V，CPU可以根据需要切换

我所使用的eMMC实测工作电压VCC为2.80V~2.96V，VCCQ为1.70V~1.82V。

其中VCC为MMC Controller/Flash Controller的供电电压，VCCQ为Memory和Controller之间I/O的供电。

上电初始化阶段MMC时钟频率为400KHz，需要等电压调整到它要求的VCC时（host去获取OCR中记录的电压值，上面有说），MMC时钟才会调整到更高的正常工作频率。

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