三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

美光开始交付176层TLC NAND闪存 读写延迟降低35％

据外媒消息，美光日前宣布将向客户交付176层TLC NAND闪存，为消费者提供更快、更便宜的SSD驱动器。

该公司表示，其第五代3D NAND存储器的密度应比使用128层NAND的最接近竞争对手高40％。美光表示，与96层NAND相比，176层TLC NAND闪存的读写延迟降低了35％，与128层NAND相比，降低了25％。

美光推出176层TLC NAND闪存

美光并不是唯一拥有176层NAND存储器的制造商，但它是第一个开始批量发货的公司。美光NAND是TLC或每单元三位，据说传输速度提高了33％，读写延迟提高了35％，TLC NAND而非QLC意味着新存储器也会提供更好的驱动器耐久性。

美光表示，新的176层NAND的厚度仅为一张打印纸的五分之一，尽管其层数是原来64层NAND的两倍，但厚度仍可以达到其以前64层NAND的厚度。最后，至少最终会导致更大的SSD和价格可能更便宜的SSD。

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