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换nand 干货：说下升级固态不重装系统的方法，完美解决99％的问题

发布时间 : 2025-02-24

作者 : 小编

访问数量 : 23

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干货：说下升级固态不重装系统的方法，完美解决99％的问题

电脑卡死了怎么办？

卡顿、看个视频、看个网页、做个表格卡到飞...

泪崩，望着几年前的老本子，欲哭无泪，面对疾风吧！

圈子传闻："重启解决90％问题、重装系统解决99％问题"

重买解决100％问题，这是电脑理工男修电脑三连。

简单点，重新买一台就行了嘛，这是不缺钱人士的解决方案，极度推荐。

作为一枚念旧的宅男

（其实是腰包不鼓） 还是选择了缝缝补补再战三年。没错，那就是简单的升级内存、升级固态这种治标不治本的办法，但的确也能让老本子焕发新春！

问题来了，原来笔记本的系统和资料咋办，有木有那种不重装系统，又不丢失资料的办法呢？其实不难，如果仅仅是系统和C盘资料问题，这些都不是问题，笔者今儿就来分享一篇《升级固态不重装系统》的文儿，各位看官随我来瞧一瞧。

首先，你得有一台笔记本，像笔者这款"跑马车"边框的本子是来自华硕X201便携本，差不多有六年使命了，配置为CPU型号Intel酷睿i3 3217U，4GB内存容量，用来看看小电影、办公做做表格还是可以滴。

言归正传，笔者手里这款本子原本在4年前更换了64G的固态硬盘，装完系统可见空间抓鸡，现如今SATA固态已经大白菜，此时不升更待何时？为此，笔者入手了这块ORICO速龙H110 240G SATA固态硬盘。

讲真，ORICO速龙系列这块紫盘身材颜值颇高，搭载的是慧荣SSD芯片主控，并支持LDPC智能纠错，寿命可达100万小时，新一代64层3D NAND闪存颗粒，支持SATA 3.0 6Gbps传输协议，3年质保。

好了，拆机上盘！不，我们首先要买一个移动硬盘盒，再把新盘用硬盘组装起来，接驳笔记本电脑USB接口，笔者在这里使用的是易驱。

01/在原系统笔记本上下载DiskGenius软件，因为后面的过程都是靠它来完成，接下来就是要进行分区格式化了在这里我们可以看到电脑已经识别到这块新的SSD硬盘。

02/选择磁盘-快速分区-（笔者分为一个区）-对齐分区-进行操作。

03/先给新盘跑一下分，ORICO速龙H110 240G SATA固态硬盘在AS SSD Benchmrak成绩为读取423.43MB/s，写入397.11MB/s，而在TxBENCH跑分软件则是获得读取379.881MB/s，写入423.835MB/s成绩，速度还是颇为不错的。

04/回到正题，依旧打开DiskGenius软件-选择新硬盘-工具-系统迁移。

PY：由于笔者已经迁移完成了，测试完美，所以在这里是重复再做教程，基本上大同小异。

05/选择原来的C盘，也就是你的系统盘-迁移到新的硬盘-点击确认-开始-确认。

06/确定，需要注意事项（新硬盘内部的资料都会被清空），若有新的固态有重要资料请先备份，热迁移。

07/迁移中ing...是不是很简单？现在我们要做的就是耐心等待，等待所有的数据都迁移到新的硬盘上。换句简单的话来说，那就是笔记本内部所有旧硬盘的资料、软件、系统，包括了所有的东西，都会原封不动的搬移到新的SSD上，基本上没有什么技术含量啦。

08/现在已经是将系统迁移过去了，下一步要做的就是拆机（把新固态替换上去）撸起袖子加油干就可，拆机的时候最好把电源电池断开，避免不必要的事儿发生。

完工！撒花~~并没有想象那么难是吧？根据步骤一步一步来，基本萌新同学也可以自己动手完成。当然，如果C盘太多垃圾，或者经常出现BUG的系统，比例蓝屏、错误这些，我个人是不建议迁移系统，重装99％解决问题。

当然，到了这里我还是建议100％的解决办法，换新本子~~~最有效的解决方案。

好了，今天就分享到这了，对于《迁移系统不重装系统》你有什么看法？欢迎在下发回复留下你宝贵的意见，咱们下一期不见不散。

答疑环节

1：把系统和软件迁移过去正常吗？

答：不会受到任何影响，所有的软件、系统均正常使用。

2：会发生卡顿、延迟吗？

答：这取决于你的电脑配置，新的固态硬盘其实就像你重装了系统一样。

3：我换了固态是不是就像"飞机"一样高速奔跑了？

答：嗯，不知道怎么回答这个问题，还是让看文的老师们来答疑吧。

3D NAND层数增加，是时候该换材料了？

来源：内容由半导体行业观察（ID:icbank）编译自「semiwiki」，谢谢。

在2021年VLSI技术研讨会上，Imec介绍了钌(Ru)和钼(Mo)作为3D NAND闪存的替代Word Line (WL)材料，并“首次演示钌和钼WL集成到40nm间距的3D NAND器件”。我有机会采访其中一位作者：Maarten Rosmeulen。NAND闪存的当前技术水平是层数不断增加的3D NAND，例如，在同一次会议上，三星展示了他们即将推出的176层3D NAND工艺，这是其128层工艺的后续。一个值得注意的方面是，他们降低了176层工艺的内存单元的高度，以控制整个内存堆栈的高度。美光和SK海力士也宣布了176层工艺，而铠侠则在其128、128和112层工艺之后，宣布了162层工艺。随着层数的增加，由于图形和应力原因，需要缩小层厚以控制堆叠的高度，就像三星在其176层工艺中所做的那样。业界最流行的3D NAND类型是使用替代金属栅极(RMG)工艺的电荷陷阱闪存。在RMG工艺中，氧化层和氮化物的交替层被沉积，氮化物是一种牺牲膜，后来被去除并替换为金属栅极和用作WL的金属片，见图1。

图1.更换金属浇口工艺。目前选择的WL材料是钨（W）。导线的电阻由下式给出： R=ρL/A，其中ρ是电阻率，L是长度，A是横截面积。随着氮化物层厚度的减小，所得到的替代金属片变得越来越薄，从而减小了横截面积，并且在小尺寸下，由于电子散射进一步加剧了电阻的增加，ρ增加。WL电阻率的增加导致产品的编程/擦除时间变慢。电阻率在小尺寸下增加的程度部分取决于材料中的电子平均自由程（free path）。小尺寸处电阻率的增加可导致块体电阻率相对较高的材料在小尺寸处具有较低电阻率。小尺寸材料的品质因数是体电阻率乘以电子平均自由程。图2显示了一些关于材料电阻率的数据。

图2.替代WL材料电阻率从图2可以看出，钼和钌在小尺寸下的电阻率可能低于钨。当然，图2中的值只是体积值，不一定转化为实际的器件结构，这项工作的目的是通过实验测量表现。在这项工作中，创建了一个五层NAND来评估这些替代材料的电阻率和晶体管性能。因为Imec是一个研究机构，所以他们创建176层设备是不可行的，但5层器件也保留了基本的物理特性。图3显示了厚度为35nm、25nm和20nm的WL的Mo和钌电阻率。在所有研究的情况下，钌显示出比钼低的电阻率。

图3.字线电阻率。图4展示了钼晶体管的性能，它优于钌（未显示）。

图4.Mo晶体管性能。图5比较了钼和钌的编程擦除，钼显示出比钌更快的编程/擦除。

图5.程序擦除。最后，图6比较了钼和钌的数据保留率，钌比钼好，但钼性能非常接近。

图6.保留。在性能上，钌的电阻率更好，钼的晶体管性能则更好一些。这项工作试图回答的关键问题是这些材料中的一种是否可以更好地替代钨用于细WL。在这项工作中，尚未在相同条件下测量钨的电阻率和晶体管性能，但公司表示未来将进行有关方面的工作。我问他们是否知道何时必须在商业产品中更换钨，他说他们没有，最终个别产品的具体情况不仅取决于层厚度，而且最终取决于整个器件实现的延迟，这也可能取决于应用程序。我们还简要讨论了成本，IC Knowledge LLC是半导体和MEMS成本建模的世界领导者，我提到我认为钌对于3D NAND的使用过于昂贵，他说他有大学正在研究这个。我使用该公司的战略成本和价格模型进行了一些快速计算，我看到钨和钼每片晶圆的前期成本约为10到20美元，而在我看来，钌的价格高出一个数量级，这使得钌的使用成本太高.总之，这项工作是确定钌和钼作为钨的长期替代品的适用性的重要一步，以实现3D NAND层数的增加和性能的提高。

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

今天是《半导体行业观察》为您分享的第2741内容，欢迎关注。

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3D NAND层数增加，是时候该换材料了？

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