NAND闪存芯片价格持续上涨 全行业减产初见成效？

【CNMO新闻】11月30日，CNMO注意到，业内消息人士称，NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商无法在价格进一步上涨之前建立足够的库存。渠道库存压力并未阻止NAND闪存晶圆价格上涨。主流512Gb市场的现货价格强劲上涨，进一步推动芯片供应商实现收支平衡。

此外，据DigiTimes报道，自今年7月底8月初到达谷底后，DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨，这也让三星、SK海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间，除了减产措施以外，材料短缺也影响了价格的变动。虽然DRAM和NAND闪存芯片价格还没有回到今年初的水平，不过几个月下来上涨的幅度并不小，比如512GB的NAND闪存芯片价格几乎是7月时的两倍，256GB也在同一时间段上涨了55%，而两条8GB的DDR4内存套装比起8月时涨价了10%。

TrendForce之前发布研报指出，存储器整体涨势有望延续，预计明年一季度Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合约价仍将续涨。存储模组厂威刚此前则表示，随着大厂大幅减产效益浮现，看好存储价格从今年四季度到明年上半年一路上涨，明年起更会进入为期二年的存储多头格局，未来二年市场供给将吃紧并出现缺货状况。

AI热潮下企业固态硬盘需求不佳，三星维持NAND闪存减产50%

IT之家 2 月 23 日消息，据韩媒报道，三星电子将维持对 NAND 闪存减产的运营策略，原因是近期 NAND 价格上涨并非由需求提升驱动，企业订单不足。

根据昨日的一份行业报告，三星电子目前针对 NAND 减产 50%，此外 SK 海力士的闪存减产幅度也大致相当。

▲ 三星电子第八代 V-NAND 闪存。图源三星新闻稿

随着各大闪存生产商的积极减产，供应端正推动 NAND 价格稳步上涨。根据韩媒조선일보提供的数据，以 USB 闪存盘用 128Gb（16Gx8）MLC NAND 为例，去年 12 月该产品的平均交易价格为 4.72 美元（IT之家备注：当前约 34 元人民币），环比上涨 8.87%，连续 3 个月价格上升。

不过，近期 NAND 的涨价中，来自需求端的动力不足，主要 IT 客户的 NAND 订单增加较少。按行业细分，移动市场出现了一定 NAND 需求复苏的迹象，但 PC 和服务器的情况仅略好于行业衰退的去年。

传统服务器构建中需要大量 NAND 产品来配置存储。但在生成式 AI 热门的今天，企业对固态硬盘方面的投资退居二线，新基础设施投资的重心转向 AI 处理器、HBM 和高速常规内存。因此有分析师认为 NAND 市场的反弹还需等待一段时间。

就三星电子而言，其一半的 NAND 生产线仍处于非运营状态，并对向下游厂商的供应进行控制。韩媒表示，这是因为如果在需求仍不明朗的情况下贸然提高开工率，可能会对提升 NAND 盈利能力的计划泼冷水。

三星电子的一位负责人强调：“正如我们（三星）在上次电话会议上所说的，在 NAND 领域，继续减产的策略没有改变。”

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