东芯股份申请NAND闪存单元及其制备方法专利，提高NAND闪存单元的制备效率

金融界2024年3月4日消息，据国家知识产权局公告，东芯半导体股份有限公司申请一项名为“NAND闪存单元及NAND闪存单元的制备方法“，公开号CN117641922A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本发明涉及NAND闪存单元及其制备方法。该NAND闪存单元(10)具备：半导体衬底(1)；在半导体衬底(1)的表面上形成的浅槽隔离区域(2)；在半导体衬底(1)的表面上与浅槽隔离区域(2)平行地形成的有源区域(3)；在半导体衬底(1)的表面上与浅槽隔离区域(2)垂直地形成的凹陷沟道(4)；在凹陷沟道(4)内，在与有源区域(3)重叠的部分形成的穿隧氧化层(5)；在穿隧氧化层(5)上形成的浮栅极(6)；在半导体衬底(1)的表面上，在凹陷沟道(4)内以覆盖浮栅极(6)的方式形成的封闭氧化层(7)；以及在封闭氧化层(7)上形成的控制栅极(8)，在半导体衬底(1)中的沿着凹陷沟道(4)的方向的截面上，凹陷沟道(4)为W形。

本文源自金融界

东芯股份公布国际专利申请：“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统”

证券之星消息，根据企查查数据显示东芯股份（688110）公布了一项国际专利申请，专利名为“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统”，专利申请号为PCT/CN2023/134247，国际公布日为2024年7月4日。

专利详情如下：

图片来源：世界知识产权组织（WIPO）

今年以来东芯股份已公布的国际专利申请4个。结合公司2023年年报财务数据，2023年公司在研发方面投入了1.82亿元，同比增65.17%。

数据来源：企查查

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