长江存储再次在美国起诉美光
日前,据美国科技网站Tomshardware报道,中国存储芯片厂商长江存储再度在美国加州北区对美光提起诉讼,指控这家美国公司侵犯了其11项专利,涉及3D NAND的各个方面。长江存储请求法院下令,要求美光停止在美国销售其闪存,并向其支付专利使用费。
长江存储表示,美光的96层(B27A)、128层(B37R)、176层(B47R)和232层(B58R)3D NAND存储器以及美光的部分DDR5 SDRAM产品(Y2BM系列)侵犯了其在美国提交的11项专利或专利申请,它们涵盖了3D NAND和DRAM功能的基本方面。
2022年底,美国商务部根据所谓的“证据”,以威胁其国家安全为由,将长江存储列入了实体清单,使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。
这次起诉,并非长江存储在美国的第一次“反击”。2023年11月,长江存储在美国加州北区地方法院,对美光及子公司美光消费类产品事业部提起诉讼,指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利。
2023年11月,长江存储指控美光侵犯8项与3D NAND Flash相关的美国专利X@lithos_graphein
另外,今年6月7日,长江存储在美国加州北区联邦地区法院提起诉讼,指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及副总裁雷顿(Roslyn Layton)散布虚假信息,破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
此外,长江存储仍在努力利用国内技术和原有设备继续发展其3D NAND存储器。该公司的Xtacking3.0闪存已投入量产(其中一些设备甚至不违反美国制裁),具有高达2400 MT/s的接口。
今年早些时候,长江存储表示已成功将3D QLC NAND的耐用性大幅提高到3D TLC NAND的水平(达到4000次编程/擦除周期),这显著改善了廉价SSD的特性。
Patriot Memory的Viper PD573 SSDTomshardware
值得一提的是,媒体6月报道,美国的Patriot Memory正在准备一款高端新产品——Viper PD573 SSD ,基于中国联芸科技的控制器和长江存储的3D NAND闪存,其读取速度高达14GB/s,写入速度达到 12GB/s。这一合作进一步证明了长江存储在3D NAND闪存市场上的重要地位。
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美国:到2032年,10nm以下芯片产量,美国将是中国10倍
虽然美国是芯片产业的霸主,但过去的这几十年,美国过度的重视芯片设计这个轻资产,高价值,高附加值的领域去了,忽视了芯片制造这种重资产的领域。
所以美国的芯片制造产能,持续下滑,从之前全球领先的37%,一路跌至2020年的12%,被中国台湾、中国大陆等地区超过了。
机构预测,如果不加干预,到2030年时,美国的芯片产能将降至10%,而中国大陆将增至24%。
这样的情况,大家也称之为美国芯片空心化,那就是虽然芯片设计很牛,但制造不给力,依赖于中国台湾等地。
而按照美国自己的统计,到2023年时,10nm以下的芯片,90%以上由中国台湾制造,另外只有10%左右,才在韩国、美国地区制造,这让美国很不安。
于是美国大搞芯片制造回流计划,要重振芯片制造业,为此还抛出了530亿美元的芯片补贴法案。
说实话,从目前的情况来看,这个530亿美元的补贴,还是挺吸引芯片企业的,按照美国自己的说法,目前已经收到了已收到630多份意向书和180份项目申请,美国 25 个州的半导体行业投资已达近 4500 亿美元,逾10座晶圆厂在美国蓄势待发。
为此,美国半导体协会(SIA)近日发布了一份最新的数据报告,显示了从2022年到2032年,全球芯片产业的变化趋势图。
如上图所示,在2022年时,最先进的芯片都在中国台湾或韩国制造,这两个地区分别生产了 69% 和 31% 的 10 nm以下芯片。
但到了2032年时,美国的份额将增加至 28%,台湾省降至47%,韩国降至9%,而中国大陆仅为3%,美国会是中国大陆的10倍左右。而欧洲和日本的预计份额将分别为 6% 和 5%。
在10-22nm档次,美国在2032年时也将占到20%的产能,中国大陆仅19%,而在28nm以上,美国也将有10%的产能,而中国大陆为39%。
也就是说在芯片产能上来看,在先进工艺上,美国将全面领先中国大陆,仅次于中国台湾,成为第二名。只有在28nm以上的工艺上,中国大陆才会领先。
而在 DRAM 和 NAND 上,美国还是承认,中国将比美国强太多,到2032年时,中国将分别占到13%、17%的比例,而美国只有9%、2%。不过,和2022年相比,中国在DRAM、NAND上的产能是下滑的。
那么你认为,这个预测,会不会准确?真的会是这样么?我估计绝大多数的网友,肯定是不同意的,中国也不同意的,不信大家等着瞧。
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