nand 价格第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand 价格第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

发布时间 : 2024-10-11

作者 : 小编

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第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

TrendForce最新预测显示，第二季度DRAM合约价格预计将上涨13-18%，NAND Flash合约价格则调整为15-20%，只有eMMC/UFS的价格涨幅较小，约为10%。

在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。

地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。

TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。

随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。

全球存储芯片价格持续攀升国内上市公司加大研发

本报记者丁蓉

全球存储芯片行业景气度持续提升。从存储芯片最主要的两大类产品DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（闪存存储器）来看，根据TrendForce集邦咨询预估数据，2024年第一季度DRAM价格环比增长20%，第二季度增长13%至18%，第三季度将增长8%至13%；NAND Flash第一季度价格环比增长23%至28%，第二季度增长15%至20%，第三季度将增长5%至10%。

智帆海岸机构首席顾问、资深产业经济观察家梁振鹏向《证券日报》记者表示：“存储芯片的涨价主要基于供需关系变化，涨价初期主要由于存储大厂控制产能强势拉动，目前已经逐步转为由市场需求带动涨价。”

存储芯片今年以来涨价频繁

近日，三星已向包括戴尔科技、慧与在内的主要客户通报了涨价计划，准备在第三季度将其主要存储半导体、服务器DRAM和企业级NAND闪存报价提高15%至20%。今年以来，三星已经多次调价。

除了三星之外，另外两大存储巨头SK海力士和美光公司也频频传出涨价消息。SK海力士5月份称，将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价。美光公司则在4月份向多数客户提出调升产品报价。

从全球市场竞争格局来看，根据集邦咨询统计的2024年第一季度全球DRAM企业营收数据，三星、SK海力士和美光公司分别占全球存储市场44%、31%、22%的份额。这三家厂商产品价格的上调，带动了行业景气度的整体提升。

A股存储赛道头部企业兆易创新近日在投资者互动平台表示：“公司DRAM、SLC NAND价格自底部已经实现温和上涨，其它产品线上公司会持续保持对市场情况的紧密跟踪，考虑多方因素综合判断，随着市场演变及时做调整。”

佰维存储近日在接受投资者调研时表示：“随着存储市场将在第三季度进入传统旺季，受益于人工智能服务器需求迅猛增长等因素，海外存储需求持续高涨，国内需求有所回落，但整体来看行业景气度有望延续。”

上市公司加大研发创新

“由于全球人工智能产业的快速发展，HBM（高频宽存储器）正面临供不应求的市场现状，目前市场需求缺口较大。此外，DDR5也是涨幅较大品类。三星、SK海力士与美光公司都积极将DRAM的部分产能转为生产HBM，导致DRAM供给减少及价格快速上扬。”梁振鹏表示。

全球内存接口芯片龙头澜起科技在内存接口芯片领域潜心研发，先后推出了DDR2至DDR5系列内存接口芯片。澜起科技近日在接受机构调研时表示：“目前，DDR5世代已经开启子代迭代，公司研发进度领先，并持续巩固在该领域的市场领先地位。”

存储模组龙头江波龙自研存储芯片业务逐步推进，公司具备了从存储晶圆设计、生产端深入理解各类存储晶圆特性的能力，形成从小容量存储到大容量存储的体系化竞争优势。对于HBM产品方面，江波龙表示，目前公司虽然无法生产HBM，但子公司元成苏州具备HBM技术涉及的晶圆高堆叠封装量产能力。

作为“半导体行业风向标”，存储芯片已于2023年下半年率先启动上涨，并实现价格持续攀升。展望今年下半年，华福证券分析师杨钟在研报中表示：“人工智能服务器领域需求持续走强，智能手机等仍有库存回补需求，各品牌厂商与原始设计制造商或将重启备货，同时工控与车用领域也有望逐步回暖，从而带动存储市场增长，存储价格可能延续上涨格局。”

（编辑李波上官梦露）

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

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