三星第九代V-NAND闪存本月量产，时隔两年微软解决了驱动兼容故障

三星第九代V-NAND闪存本月量产：

据韩媒Hankyung报道，三星预计将在本月内宣布第九代V-NAND闪存量产的消息。

TechInsight称三星第九代V-NAND为280层堆叠，而Hankyung则称之为290层。当前量产的三星第八代V-NAND为236层堆叠。

三星第九代V-NAND将延续自第七代以来的2-deck结构。而在此之外三星还开发了一款单deck的V6 Prime版本（133层堆叠），并被应用到了三星990 EVO当中。预计明年问世的第十代V-NAND闪存将通过3-deck实现430层堆叠。

时隔两年微软终于解决了驱动兼容故障：

早在2021年的时候，微软和英特尔发现第11代酷睿平台上的英特尔智能声音技术驱动（SST）的某些版本存在不兼容问题，可能会导致Windows 11蓝屏。微软在2021年11月提供了一个临时的缓解方案：阻止安装有特定SST驱动版本的电脑升级到Windows 11，引导用户去英特尔官网下载新版驱动。

没想到这个临时方案一用就是两年多，在此期间Windows 11 21H2、Windows 11 22H2、Windows 11 23H2三大版本都对受影响的电脑关闭大门。直到上周末，微软终于将这个影响部分英特尔第11代酷睿用户升级的驱动兼容性问题彻底解决，Windows Update可以更新正确的驱动并升级到Windows 11。

手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这

现在手机已成为我们生活中必不可少的一部分，但随之而来的，手机维修的故障率也越来越高。今天就接到客户送来一台6S，说的是手机开不了机。

拆机取出主板，上电触发定电流374mA，初步判断LDO供电短路。

断电后对主电源输出的所有供电测对地值，发现硬盘PP3V0_NAND供电对地值为2，供电短路。

观察硬盘周围电容没有明显腐蚀现象，在关联的电容上熏松香，加电烧机发现硬盘非常热，而电容上的松香没有熔化，怀疑硬盘可能有故障。把硬盘取下再次测量3V供电，发现还是短路。3V供电直接加在焊盘上，烧机发现硬盘右下角电容C1515短路。

拆掉后3V供电正常，联机DFU，刷机能进恢复模式。

装回硬盘刷机正常通过，但发现一个问题，机器上电触发后电流直接从0跳变到230mA左右，而且待机灭屏状态下电流有220mA，明显存在漏电。

在使用过程中机器会出现耗电快电池不经用的现象，通常情况下这种问题出在3V供电线路上，于是再次把关联的线路查找了一遍：USB、指南针、感光、感距等，各条线路的对地值都正常，没有发现问题。

显微镜下观察主板，发现主摄像头2.85V供电芯片旁边的电容有腐蚀，测量供电对地值为0，当时觉得很奇怪为什么这路供电短路不会引起接电大电流呢？一定是线路的电感有问题。

经测量发现线路上的保险电感FL3202虚焊了，一端有值另一端为0，重新加焊电感，拆掉腐蚀的电容，线路值正常。

测量3V供电都正常，再仔细观察主板发现进水贴发红，但没有观察到明显进水腐蚀痕迹，这种情况下最大的可能性出在USB管理芯片上，拆掉USB芯片后发现焊盘有进水腐蚀，而且还波及到上方的音频芯片，于是将2个芯片一起进行更换。

更换完后装屏开机，电流跳变正常，灭屏待机电流仅有8mA。

开机直接进系统，手机完美复活。

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