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nand 回归 DRAM市场回暖有望，但竞争将更加激烈

发布时间 : 2025-03-11

作者 : 小编

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DRAM市场回暖有望，但竞争将更加激烈

随着需求回暖及外部环境的变化，存储芯片或将迎来一定转机，但这并不意味着在行业内占据主导地位的韩系企业能够“高枕无忧”。

“至暗时刻”

24日，韩系芯片企业SK海力士发布第三季度财报，截至9月底的第三季度净利润为4954.8亿韩元，相较去年同期获得历史峰值的4.692万亿韩元，同比下降幅度接近九成，该公司第三季度的营业利润同比下降93%，至4730亿韩元，而该公司第三季度收入为6.839万亿韩元，同比下降40%。

另一家存储类芯片巨头三星电子早前披露的第三季度财报也显示，该公司第三季度的营业利润为7.7万亿韩元，同比下降56%，虽然三星方面并没有公布每个事业部门的具体营收情况，但韩国证券界分析认为，占据三星电子营收近七成的芯片事业部门（DS）的第三季度营收仍然出现下滑，成为影响三星电子整体营收的重要因素。

此外，围绕在韩日两国的贸易争端仍没有解决的迹象。据日媒报道，韩国国务总理李洛渊在访日期间，就贸易争端等问题与日本总理安倍进行磋商，但双方未能就解除贸易争端方面达成一致，而韩国企业在日方发布芯片材料“限售令”前，对于日方的三种化学材料的依赖度最高可达到九成以上：根据韩国贸易协会发行的报告显示，韩国半导体及显示器行业在这三类材料对日本的依赖度分别是91.9%，43.9%及93.7%，

这也意味着，曾经保持多年高度繁荣的存储类芯片市场，仍处在持续了近一年的陷入低迷的“至暗时刻”，但事情也正在出现转机。

转机逐步呈现

一方面，两家韩系芯片巨头的业绩虽然仍呈现下降趋势，但高于韩国券商的预期业绩。根据第一财经记者整合韩国十大券商的平均预期值，其对于SK海力士本季度的营业利润平均预测值为4180亿韩元，而对于三星电子的预测值则为7.1万亿韩元。

SK海力士在第二季度财报发布后宣布部分减产也引发积极效果，在本次财报发布会上，SK海力士副社长（副总裁）车振锡（音译）表示，由于来自智能手机制造商的需求量提高，目前DRAM的库存量正在逐步恢复至正常水平，此外受到中国生产商对于DRAM的需求量增高及库存量降低的预期，导致近期DRAM的订单量及出厂量有明显增加，同比增长达到23%。

在另一类存储芯片Nand Flash方面，车振锡解释道，虽然需求并未有明显的增加因素，导致其出厂量同比下降1%，但由于公司及时减少廉价产品的销售比重，并将公司的营销资源集中至高端产品，因此该类产品的平均销售单价（ASP）呈现环比上升的态势。

与此同时，呈现芯片市场的库存量也在产生变化。根据韩国KB证券参考市场调研机构TrendForce的数据发行的研报显示，目前DRAM及Nand Flash的库存量均出现下降的态势，并预计市场的平均库存量将从第三季度的10周及6周，至今年年底将分别缩小至5周及4周，回归至2019年以前的数值，而需求的来源也将不仅限于智能手机，而是手机、服务器及PC等多个层面的共同增长。

此外，该研报还预测，Nand Flash的单价将在第四季度回归正增长，增幅将达到同比4%左右；而DRAM单价也将在明年第一季度从20%至25%的跌幅转变为个位数百分比，并最快于明年第二季度重归正增长。

在受到日方贸易制裁措施影响的芯片材料方面，韩企的替代材料寻找工作也已经进入尾声。韩国半导体·液晶技术学会会长朴在根（音译）向第一财经记者透露，目前韩系芯片企业基本已经完成替代材料的可靠性测试，并获得了预想中的结果，目前已经开始在部分工程生产中使用韩国本土制造的氟化氢等材料，而虽然目前日方部分批准了向韩国芯片企业出口材料，但韩方还将明年年底前完成材料来源的多变化，保证能够在日本材料完全断供的背景下，照常完成一切正常生产。

此外，据业内人士向第一财经记者透露，SK海力士在中国无锡的工厂进口的，由多氟多提供的中国国产氟化氢已经完成了内部测试，符合使用条件，并正式投入生产工程。

车振锡还认为，因受到2020年各国政府与制造商开始大规模普及5G手机的预期，明年将迎来存储芯片的需求“小高峰”，并提出明年在全球市场可能售出2亿部5G智能手机的可能性，而今年该数值约为5000万部左右。

减产与创新并重

针对目前芯片需求上升的背景，韩国未来资产证券分析师金永健（音译）告诉第一财经记者，目前以中国制造商为代表的一些手机制造商，认为韩日贸易争端的长期化，韩系芯片巨头的减产预测，以及5G智能手机的面试，均会导致未来存储类芯片价格的上涨，此外此前备份库存也在逐步用尽，成为目前芯片需求量上涨的重要原因。

车振锡表示，将从即日起针对其主力产品之一的DRAM及NAND Flash进行减产，这也是SK海力士的前身现代海力士着手生产DRAM产品后，首次宣布针对主力产品进行减产，为此将位于韩国京畿道利川的M10工厂部分生产DRAM产品的生产线，逐步转换为CMOS图片传感器的生产线，并将部分20nm DRAM生产线进行改造升级至10nm 第二代DRAM生产线；三星方面也宣布选择发展非存储类半导体，并重点扶持非晶圆代工产业，以保证在2025年前实现超越台积电，成为全球第一大代工厂的目标。

另一方面，来自竞争公司镁光和台积电的压力，以及从自身的营收考虑，也使韩系芯片巨头着手争夺5G环境下的高端存储类芯片市场。

据台积电发布的财报显示，三季度合并营收为2930.45亿元，同比增长12.6%，净利润为1010.7亿元，同比增长13.5%。由此，台积电针对强劲的5G智能手机销售，制定了创纪录的2019年和2020年投资计划；镁光则在今年8月宣布着手量产1Znm制程的16Gb DDR4 DRAM，并开始向1Znm制程技术转型，大规模生产其16Gb的DDR4内存解决方案。

根据韩国半导体产业协会的一份内部调研报告中显示，若韩系芯片企业将目前产能的30%转为1Znm制程技术的DRAM产品，则DRAM产品线的平均ASP将相比现在提高20%，此外随着5G互联网的普及，所传输的数据量将呈现稽核式增长，因此更加高级别制程技术的存储芯片将成为必需品，而1Znm制程技术会成为韩国芯片巨头的重要转型机遇。

23日，三星电子在美国硅谷召开三星科技日活动，并首次对外公开于今年3月研制完成的第三代1Znm制程技术的DRAM产品，以及与之配套的512Gb DDR5 DRAM解决方案，此外还宣布在年底有望引进紫外光微影技术（EUV）。

三星电子DRAM研发室的一位研发人员向第一财经记者表示，针对目前市场上针对5G环境下的自动驾驶及人工智能应用方面的计算及存储需求，三星正在研发业内最高速度的DDR5 DRAM、LPDDR5及GDDR6等芯片产品，并与产业链企业展开广范围合作，提供符合企业及产品特点的定制化及稳定的芯片解决方案，以此作为三星芯片相比于竞争企业的差异点。

同一天，SK海力士宣布开发适用第三代1Znm的16Gb DDR4 DRAM，并有了新的进展，据SK海力士方面负责人透露，1znm生产效率比前一代高出27%，且使用过去没有加入的新原料，成功最大化DRAM的静电容量，而未来1znm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。

由此，未来资产证券也在研报中提及，SK海力士的营业利润将在第四季度起，时隔一年恢复至同比正增长，并预测第四季度的营业利润将达到4861亿韩元，同比增长3%；而针对三星电子，预测认为2020年的半导体事业部门的营业利润将为24.4万亿韩元，同比上涨15%，占据全公司营业利润同比增加额的91%。

金永健认为，对于芯片需求者来讲，各家芯片企业的减产效果将逐步呈现，由此存储芯片的价格已经触底，库存将在明年起呈现快速反弹的趋势，由此今年第四季度将成为即将大规模生产5G智能手机的手机生产者，以“低价”购入芯片的最后一轮机会，并预计到2020年下半年，1Znm制程DRAM的收益率会慢慢趋于稳定和成熟，由此芯片价格也将面临新一轮的震荡。

不过，也有业界人士认为，目前韩国的芯片产业仍有一定的脆弱性。韩国半导体产业协会常务副会长、芯片设备企业周星工程CEO黄喆周认为，韩国的半导体的生产设备及核心材料主要由美国、日本等发达国家所主导，导致虽然生产出芯片产品，但由于源头技术受制于外方，在成本控制力方面大打折扣，并提出有必要和中国企业加强合作关系，通过市场与技术间的创新结合，共同完成供应链的改变与升级。