三星的系列NAND Flash有什么区别？

K9F系列的是SLC结构的三星的系列NAND Flash 2.K9G系列的是MCL结构的NAND Flash

　 首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

　 其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。

　 第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。

　 而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。

　 在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。

　它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

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东芯股份：SLC NAND Flash制程在国内领先，市场占有率有较大提升空间，未来库存状况可控

金融界7月5日消息，东芯股份披露投资者关系活动记录表显示，关于SLC NAND Flash，东芯股份的竞争力主要体现在产品优势，他们的SLC NAND Flash制程在国内较为领先，他们的SPI NAND Flash采用了业内领先的单颗集成技术。长期来看，海外大厂会逐步退出SLC NAND Flash市场，加上国产替代的需求，公司的市场占有率将有较大的提升空间。至于库存问题，受到存储周期的影响，公司目前的存货仍处在相对较高的水平。未来，库存状况基本可控，随着终端需求的逐步复苏，公司的库存水位会逐步趋向健康。

本文源自金融界AI电报

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