全球首款72层3D NAND速度太猛：读写提升20%！

SK海力士今天正式宣布推出世界首款72层256Gb 3D NAND闪存，基于TLC阵列。这也是在2016年11月首颗48层3D NAND芯片宣布仅仅5个月之后，SK海力士再次取得的重大突破。

据介绍，相比于之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加了30%。

同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍，读写性能大幅增加20%。

SK海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，满足高性能固态硬盘和智能手机设备的需求。

微信公众号搜索"驱动之家"加关注，每日最新的手机、电脑、汽车、智能硬件信息可以让你一手全掌握。推荐关注！

美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2） ，其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

相关问答

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1.SLC全称...

区别就是两者所表达的中文意思是不一样,具体的不同如下NAND是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。TLC:Trinary-Leve...

当前速度最快的SATA接口固态是三星870Evo,它采用最新的V-NAND技术,最高顺序读写速度分别为560MB/s和530MB/s,随机读写速度分别为98KIOPS和88KIOPS。三星870...

4、将U盘插到底接触不良会导致传输速率大减,请用力将U盘插到底。科普一下USB3.1分Gen1和Gen2标准,USB3.1Gen就是USB3.0的马甲,速度只有5Gbps,只有USB3.1....

用认真的态度与专业的情怀倾注于存储,欢迎关注我,与我交流哦!感谢悟空的邀请!针对有关固态硬盘的这些疑虑,我们接下来一一阐述。固态硬盘读写速度快的原...用...

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3DTLCCTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单...

宽带的M指的是Mbit,你下载的速度指的是MByte。MByte含义是“兆字节”,Mbit的含义是“兆比特”。MByte是指字节数量,Mbit是指比特位数。MByte中的“Byte”虽然...

固态硬盘写入速度慢的原因有以下几点:1.固态硬盘没有4K对齐。2.固态硬盘3AHCI/IDE模式错误。3.固态硬盘磁盘模式错误。4.固态硬盘SATA2/3接口有别。5.固...

说真的,这个问题还真没有仔细研究过,认真的脑补了一下,与大家一起分享下:移动硬盘分为机械硬盘也有固态硬盘,既然这位网友谈到最快的移动硬盘,我们就重点...所...

tlc最烂,速度慢寿命短,最便宜mlc居中,速度中等,寿命中等,价格中等slc速度快,寿命长,价格贵3d是三星研究的一项技术,不过本质还是tlc,比一般tlc强点,...tlc...