美光发布第五代3D NAND闪存 堆叠达到176层

闪存峰会召开之际，美光也发布了该公司的第五代 3D NAND 闪存，可知其创下了 176 层的堆叠纪录。 作为与英特尔分手后开发的第二代产品，美光已将存储单元设计从浮栅改成了电荷陷阱方案。之所以在上一代的 3D NAND 中采用了 128 层的过渡节点，也是该公司希望借此搞定技术切换可能遇到的任何问题。

据悉，美光的 128 层 3D NAND 在市面上的占有率极地。因此在很大程度上，最新一代的 176 层 3D NAND 将直接取代 96 层的版本。

目前已知的是，美光首批 176 层 3D NAND 采用了将双 88 层融合到一起的设计（堆叠 512Gbit TLC 闪存）。至于更多细节，还请耐心等到本月下旬。

换用电荷陷阱存储单元的方案，似乎也极大地降低了每一层的厚度。目前的 176 层裸片仅为 45 μm，与美光的 64 层浮栅 3D NAND 相同。

16 管芯堆叠式封装的厚度不到 1.5 mm，适用于大多数移动 / 存储卡使用场景。此外与上一代美光 3D NAND 一样，芯片外围的大部分逻辑组件，也是通过阵列下 COMS（简称 CuA）工艺制造的。

结合两方面的优势，美光预估其 176 层 512Gbit 裸片的厚度，将较三星等竞争对手再精简 30% 左右。性能方面，其支持 1600 MT/s 的接口，高于 96 / 128 层 3D NAND 的 1200 MT/s 。

读写延迟方面，分别较 96 / 128 层 NAND 改善了 35% / 25% 以上。总体混合工作负载方面，176 层 3D NAND 也较 96 层 UFS 3.1 模组领先 15% 左右。

最后，美光现已开始 176 层 3D NAND 的量产，首批颗粒已在英睿达（Crucial）品牌的消费级 SSD产品中得到使用。

尽管美光尚未披露有哪些型号已在使用（大部分还是 128 层），但我们有望在明年迎来更多 3D NAND 存储芯片替换。

ATP推出N651Si系列E1S接口PCIe 40×4工业宽温固态硬盘

IT之家 7 月 8 日消息，台湾地区工业级存储企业 ATP 今日推出了 N651Si 系列工业宽温固态硬盘。

该固态硬盘专为 1U 边缘服务器设计 ，采用新兴的 EDSFF E1.S 接口，厚度为 9.5mm，支持 -40℃~+85℃ 工作温度范围。

ATP 的 N651Si 系列固态硬盘支持 PCIe 4.0×4 接口和 NVMe 1.4 协议，搭载 512Gb 颗粒容量的 176 层 3D TLC NAND 芯片。

速度方面，N651Si 固态硬盘顺序读写可达 6100/6000 MB/s，随机读写可达 870K / 1200K IOPS。

ATP N651Si 固态硬盘容量为 960GB~7.68TB，拥有 5 年内 1 DWPD（IT之家注：每日全盘写入次数）的耐久，即使擦写周期已达到 100% P / E，也能在 55℃下保存一年数据 。

此外该固态硬盘搭载硬件 + 固件断电保护方案，使用时突发断电不会导致数据丢失或损坏。

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