手机混用闪存到底是真是假？教你查手机闪存型号

来源：太平洋电脑网

最近，网上传言某手机混用闪存，将UFS 3.0和UFS 3.1的闪存混用在了同一型号的机器上，买不同容量的手机，闪存协议不一样。光从这个描述来看，这做法相当不厚道，消费者买手机等于抽奖。

但这到底是不是真的？很多朋友也只是有所耳闻，但却不知道如何验证。今天，就给大家分享一些方法。

方法一：拨号面板输入指令查询

这是适用于部分ROM的方法，例如某些版本的MIUI、EMUI等ROM就可以使用。在拨号界面中，输入“*#*#284#*#*”，系统就会开始生成Debug报告，等待Debug报告生成完毕，整个过程应该不到一分钟。

输入*#*#284#*#*

这个Debug报告包含很多文件，以MIUI为例，这些文件处于手机内部存储的“MIUI\debug_log”目录下。开启这个目录，找到“bugreport-日期时间”文件名格式的zip包，开启这个zip包。

MIUI中的Debug报告

在这个zip包当中，还包含着另一个zip包，它的文件名是“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”。

其中的bugreport压缩包

打开这个zip包，里面有一个和这个zip包同名的txt文件，开启即可。

开启这个txt文件

这个txt文件中，搜索“ffu”的字串，很容易就可以找到闪存型号的信息。例如笔者手中的这部手机，它的闪存型号是“KLUCG4J1ED-B0C1”，制造商是三星。

其中可以找到闪存具体型号

方法二：系统Bugreport查询

这个方法适用于大部分的安卓手机。首先，需要开启安卓机的开发者选项，在设置菜单的系统信息界面，不断点击“版本号”即可开启。

接着，设置界面就多了“开发者模式”的选项，这个选项通常位于“系统”下。进入开发者选项，可以看到“错误报告”的功能，点击后，选择生成报告。

开发者模式下生成bugreport

将bugreport保存到存储空间，或者发送到其他地方

等待一段时间后，系统通知栏就会弹出“已获取错误报告”的信息。点开它，看到了警告信息后，将它保存到系统目录当中。错误报告是一个文件名为“bugreport-设备名-安卓版本-日期时间”的zip包

接下来的操作就和方法一差不多了。在这个zip包里面，找到同名的txt文件，然后在其中搜索“ffu”，就能找到闪存型号。

但也要注意，现在某些厂商默认并不将闪存的相关信息写入Bugreport当中，或者是搜索的关键词不同（例如有的手机要搜“ufs_product_name”），这需要大家亲自尝试了。

方法三：终端命令行查询

安卓系统基于Linux内核，因此想要确认安卓机的一些信息，也可以通过Linux中常用的终端来进行。

首先下载安装一个终端App，这类App非常丰富，这里就不特别提供了，大家可以自行搜寻安装。

在终端中输入以下命令行：“cat /proc/scsi/scsi ”

之后，终端就会呈现出闪存的制造商、具体型号等信息了。

在终端，输入命令行也可以查看到闪存具体型号

不过，这个方法并非什么机器都可以用，某些厂家已经屏蔽了相关信息的调用，就算输入命令也不会返回任何信息，这就看不到闪存型号的信息了。

某手机真的混用UFS 3.0和UFS 3.1闪存了吗？

找到了闪存型号后，要确认对应规格就很容易了，直接通过搜索引擎，或者制造商的官网查找即可。

这次某些朋友是买到了某手机的256G容量的型号，因为闪存跑分略低，被怀疑是UFS 3.0，和宣传的UFS 3.1不符。据了解，对应的闪存型号为“SDINFDK4-256G”，我们就以它为例子，来鉴定一下到底这是什么闪存规格。

网络上受争议的某手机256G版闪存型号

从搜索引擎中，很容易就找到了该闪存的官方规格文件，这里把链接也提供给大家。

西数/闪迪闪存规格文件：https://documents.westerndigital.com/content/dam/doc-library/en_us/assets/public/western-digital/product/embedded-flash/brochure/brochure-western-digital-eis-mobile.pdf

从文件中，很容易就找到了“SDINFDK4-256G”的对应规格。可见这就是UFS 3.1的闪存，宣传并没有错谬。

其实是货真价实的UFS 3.1

至于和128G版本的性能差异，是由于闪存的性能不仅仅和协议有关，NAND也是重要的决定因素——正如同样是PCIe 4.0的SSD，不同型号性能也有高下之分。

总结

总的来说，作为手机中的重要部件，闪存的确很大程度上决定了手机的体验。如果你对闪存信号有疑惑，不妨试试上文的方法，相信可以帮到大家。

注意不是内存！谁在影响手机的存储（ROM）性能？

就好像新款PC的主硬盘已经全面过渡到SSD一样，如今智能手机的闪存也都经历了一次较大的迭代，就是从eMMC闪存跨越到了UFS闪存。那么，又有谁在影响UFS闪存的性能呢？

RAM和ROM的区别

直到现在还有不少朋友搞不清RAM和ROM的差异，本文我们就再做次小科普。RAM代表手机内存（又称“运存”），就好像PC上的内存条，只是手机内存都是一颗单独的芯片。ROM代表存储空间（又称“闪存”），类似PC上的硬盘，而手机上的ROM依旧是以一颗NAND闪存芯片的形态存在。

闪存标准

早期智能手机都内置eMMC闪存，它是在NAND闪存芯片的基础上，额外集成了主控制器，并将二者“打包”封装封成一颗BGA芯片，从而减少了对PCB主板的空间占用。eMMC的最新标准为eMMC 5.1，常见于千元以内的入门级手机市场，读取速度最高只有400MB/s左右。

UFS是eMMC的进阶版，它是由多个闪存芯片、主控、缓存组成的阵列式存储模块。UFS弥补了eMMC仅支持半双工运行（读写必须分开执行）的缺陷，可以实现全双工运行，所以性能得以翻番。

UFS目前存在UFS2.0（读取速度700MB/s）、UFS2.1（900MB/s）、UFS2.2（900MB/s）、UFS3.0（1700MB/s）和UFS3.1（1900MB/s）等标准，UFS2.x常见于中低端产品，UFS3.x则是高端手机的标配。

闪存通道

和内存一样，UFS闪存也存在单通道和双通道之别，两者读写性能相差30%~50%之间。好消息是，如今新款手机都已标配双通道UFS，所以咱们只要简单了解一下即可。

Write Turbo技术

Write Turbo是UFS3.0时期引入的一项虚拟技术，很多品牌主打的闪存增强技术大多是基于它优化而来。我们都知道，现在手机闪存都是TLC介质的NAND芯片，它的优势是可以在每个存储单元中保存3bit，能以低成本实现更大的容量，但读写，特别是写入速度远不如SLC NAND。

所谓的Write Turbo，其实就是虚拟SLC技术。它会将部分TLC闪存容量虚拟成SLC，当手机在写入数据时，系统会优先将其写入到虚拟的SLC空间，由于后者每个存储单元只需保存1bit数据，所以写入速度会有大幅提升（读取速度也有明显提升）。

但是，如果一次写入的数据容量超过了虚拟SLC容量，读写速度便会骤降至TLC的水平上。

各大手机厂商会在虚拟SLC的容量和调度规则上存在差异，比如有些厂商会选择全盘虚拟SLC的方式，随着使用空间的逐渐增加，速度会逐渐下降。因此，都是内置UFS3.1+Write Turbo闪存的手机，它们之间的实际体验可能也有高低之分。

最新量产的UFS2.2，本质上其实就是UFS2.1+Write Turbo，可以将持续写入速度从250MB/s提升到500MB/s以上。

磁盘阵列存储系统

除了使用Write Turbo虚拟SLC以外，黑鲨4 Pro和黑鲨4S系列还给我们带来了一个全新的思路——磁盘阵列存储系统。

简单来说，这款手机除了内置闪存芯片以外，还额外添加了一颗来自群联的SSD芯片，并将二者组成了Raid 0阵列，如此让手机的读写速度都有着50%以上的提升。

RAMDISK磁盘加速器

黑鲨4 Pro和4S系列同时还主打一项名为RAMDISK磁盘加速器的功能。提起“RAMDISK”很多朋友应该非常熟悉，很早以前CFan曾多次报道过如何将电脑闲置内存使用虚拟成RAMDISK“内存盘”，保存其中的程序运行飞快，但每次关机内存盘都会被清空，下次开机后还需重新加载程序。

电脑领域的RAMDISK内存虚拟硬盘软件

黑鲨的RAMDISK磁盘加速器的原理和内存盘差不多，都是直接通过内存模拟闪存存储空间，让游戏文件直接在内存中完成读写，游戏的启动、加载和运行速度更是大幅提升。需要注意的是，该功能仅限标配12GB或16GB内存的高配版本，8GB内存版则不支持RAMDISK技术。

原因也很简单，在当前的应用环境8GB内存都不嫌多，哪里还有额外空间供你虚拟闪存？此外，同一时间仅有一款游戏可以运行在基于RAMDISK技术的极速模式下，想切换其他游戏时必须等待一定的时间让极速模式挂载完成。

闪存内存合二为一

作为手机内部最占用PCB主板空间的“大户”，内存（包括隐藏在其下面的SoC）和闪存的体型都不小，如果能将这颗存储芯片也和处理器内存摞在一起，不就可以更加节省主板空间了吗？2020年底，美光发布的uMCP5闪存技术就有望实现这个梦想。

简单来说，uMCP5是全球首次通过MCP多芯片封装的方式，在单颗芯片内就完整集成了自家的LPDDR5内存芯片、NAND闪存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封装格式，最大可选12GB+256GB容量。其中，该产品LPDDR5内存的部分支持6400Mbps的数据传输率，UFS3.1闪存部分的编程/擦写循环次数可达到5000次。

总之，美光uMCP5的出现，可以进一步提升手机的存储密度，节省内部空间、成本和功耗，而我们也期待这种“二合一”的存储芯片可以早日在手机领域量产，并有机会用于笔记本等其他计算设备领域。

小结

作为影响手机性能输出的“铁三角”，闪存和内存的重要性不次于处理器，因此每次它们的技术革新，都会带来切实的实际体验提升。希望大家今后在选购手机时，可以将目光多多投向这两个领域的优化和升级上。

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