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3d nand flash芯片 涉专利侵权!中国这家芯片制造商在美起诉美国半导体巨头!
发布时间 : 2025-02-28
作者 : 小编
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涉专利侵权!中国这家芯片制造商在美起诉美国半导体巨头!

11月11日,第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到,长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

长江存储是国内最大的3D NAND Flash(闪存芯片制造)厂商。长江存储在起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash(闪存)市场来阻止竞争和创新。

长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中称,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示,去年11月,分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论:长江存储是3D NAND闪存领域的领导者,超过了美光。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬盘)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,今年第二季度,全球NAND Flash品牌厂商中,三星、铠侠、SK Group、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。

2018年,长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称,2022年第三季度,受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响,价格战日益激烈,原厂不得不拉大议价空间,吸引客户提高订单数量。

2022年10月,美国商务部工业和安全局发布出口管制新规,限制对中国出口芯片制造设备等,将长江存储NAND Flash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月,美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。

除NAND Flash外,美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年,生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议,开发DRAM相关制程技术,在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年,美光在美国起诉晋华与联电,称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年,美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。

栏目主编:赵翰露 文字编辑:房颖 题图来源:上观题图 图片编辑:笪曦

来源:作者:第一财经 郑栩彤

中国芯片龙头长江存储起诉美国公司专利侵权,双方均予以最新回应|硅基世界

长江存储消费级固态硬盘品牌致态ZHITAI(图片来源:长江存储官网)

近日有消息称,中国存储芯片龙头长江存储(YMTC)已于11月9日在美国法院起诉美光科技有限公司(下称“美光”)及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司,涉及专利起诉。长江存储在起诉书中称,美光侵犯其8项美国专利,诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。

对此, 11月13日下午,长江存储科技有限责任公司向钛媒体App展示的一份声明中回应称:

“虽然我们无法讨论未决诉讼的细节,但我可以确认,长江存储最近在美国加州北区地方法院提起诉讼,指控美光科技公司侵犯了我们公司与3D NAND技术的设计、制造和运营相关的专利。正如我们致力于追求进步和产品创新一样,我们坚定地致力于保护我们的知识产权。我们相信这件事会很快得到解决。”

美光科技(Micron Technology)方面早前对钛媒体App回应表示:美光不对未决诉讼发表评论。

长江存储起诉美光科技的诉讼书截图(来源:美国加利福尼亚北区法院官网)

随着半导体产业的发展,存储芯片作为关键组件之一,已经成为科技公司间竞争的焦点。

据悉, 长江存储是中国最大的闪存芯片(3D NAND Flash)制造厂商,立于2016年,总部位于湖北武汉。根据其官网,长江存储总投资额2200亿元,专利申请数超8000项,投入逾6000位工程师。据去年9月的一份文件引述高榕资本2021年的投资意向信息显示,长江存储投前估值达1600亿元。

NAND Flash和DRAM是目前最主要的两种存储介质,NAND Flash可制造SSD(固态硬盘)等存储器,用于手机、服务器、PC等产品。集邦咨询数据显示,2023年第二季度,全球NAND Flash厂商中,三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光的市占率分别为31.1%、19.6%、17.8%、14.7%和13%,其他厂商占比仅3.8%。

但在2021年,长江存储在闪存芯片领域的全球市占率已达到4%,在国内仅次于三星、SK海力士和美光科技等竞争对手。

2022年10月,美国商务部工业和安全局(BIS)发布出口管制新规,限制美国企业对华出口芯片制造设备等,其中包括生产18nm或以下的DRAM(动态随机存取存储器)芯片、128层或以上的NAND闪存芯片,必须申请许可证并将受到严格审查。而且,BIS要求限制中国工厂进口用于生产先进制程芯片所需的技术和设备。去年12月15日,美国商务部又将长江存储、寒武纪等36家科技公司列入了“实体清单”。

美光科技成立于1978年,是全球领先的创新内存及存储解决方案厂商。2007年3月,美光科技首次在中国西安成立工厂,主要生产DRAM和NAND存储芯片。目前美光在中国的西安、上海、北京和深圳拥有运营中心。今年6月,美光宣布计划在未来几年中对其西安封测工厂投资逾43亿元人民币。

长江存储在此次起诉书中提到,美光使用长江存储的专利技术,以抵御来自长江存储的竞争,并获得和保护市场份额。美光公司不支付公平专利费用,而是自由利用长江存储的创新。诉讼旨在解决以下问题的一个方面:美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash市场来阻止竞争和创新。

长江存储指控美光侵犯了美国专利号为“10,950,623”“11,501,822”“10,658,378”“10,937,806”“10,861,872”“11,468,957”“11,600,342”和“10,868,031”的专利。美光被控侵权的产品包括96层、128层、176层和232层3D NAND产品。

长江存储在以上起诉书中强调,长江存储不再是新秀(upstart),而已成为全球3D NAND市场的重要参与者,并称美光受到了长江存储上升的威胁。

2018年,长江存储量产首代32层3D NAND Flash芯片,2019年量产64层256Gb TLC 3D NAND闪存,2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称,2022年第三季度,受长江存储扩大笔电Client SSD出货等影响,价格战日益激烈,原厂不得不拉大议价空间,吸引客户提高订单数量。

集邦咨询方面近期对外表示,展望2024年,市场将需要关注存储芯片减产以及库存下降从而是否能持续转移至买方,且产能增加、市况回温是否可能导致供需失衡,以及终端需求是否符合预期回温,其中 AI 相关订单的持续性将是重心。

美光亚太区业务拓展总监最近表示,到今年年底,存储厂商的库存水平将开始趋向正常化。2024年相信存储市场将实现大幅同比增长。云以及超大规模固态硬盘市场的年度增长将明显超过企业市场,这种趋势将持续到2027年。

(本文首发钛媒体App,作者|林志佳)

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