32层三维NAND闪存芯片年内将量产，芯片产业链受益

位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。

随着下游大数据、物联网、云计等产业的快速发展，集成电路的需求量越来越大。我国是全球半导体需求量最大的地区，占比超过50%，然而我国的集成电路产品尤其是存储芯片却几乎完全依赖于进口。集成电路是一个国家科技发展的核心产业，因此近年来我国不断推出产业政策并提供资金以支持半导体行业的发展，相关企业市场竞争力显著提升。2018年，预计集成电路产业将延续2017年热度。

据了解，目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于２０１７年成功研发我国首颗３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片。这颗耗资１０亿美元、由１０００人的团队历时２年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

根据《国家集成电路产业发展推进纲要》的目标：到2020年收入超过8700亿元，实现16/14纳米量产，关键领域技术达到世界领先水平，材料和设备进入全球供应链。政策方面，2000-2010年，以税收优惠为主，仅限IC设计与制造；2011-2013强调技术研发，并扩大到集成电路全产业链；2014年至今，成立大基金，重点支持企业投资并购，预计第二期即将出台，规模超过千亿元。

政策持续助力芯片国产化，为行业龙头发展提供了可靠的保障。A股市场相关上市公司中紫光国芯（002049.SZ）、长川科技（300604.SZ）、江丰电子（300666.SZ）以及北方华创（002371.SZ）等值得关注。

我国首批32层三维NAND闪存芯片年内将量产

新华社武汉４月１１日电（记者陈俊）位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。

目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于２０１７年成功研发我国首颗３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片。这颗耗资１０亿美元、由１０００人的团队历时２年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

据介绍，国家存储器基地项目２０１６年由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设，总投资２４０亿美元，项目一期总产能将达到３０万片／月，年产值将超过１００亿美元。

紫光集团董事长赵伟国表示，今年１０月设备将点亮投产，预计２０１９年底６４层闪存产品将实现爬坡量产。未来十年，紫光集团计划至少还将投资１０００亿美元，相当于平均每年投入１００亿美元，进一步拉近我国在高端芯片领域与先进国家的距离。

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