NAND闪存的几种类型和对比
由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。本文将会介绍SLC、MLC和TLC这三种NAND闪存的主要类型特性,它们的特性比较,以及NAND闪存的未来发展趋势…(点击左下角阅读原文,查看全部)
我们熟知的NAND闪存,还有个“双胞胎兄弟”
【IT168 评论】无论消费者还是企业机构,大多数人在谈到闪存时,首先想到的就是NAND闪存。从一定的现实意义上来讲,NAND闪存可以说已经成为固态硬盘的代名词。基于块寻址结构和高密度,使其成为磁盘的完美替代品。
NOR闪存是另一种与NAND不同的闪存类型,它具有不同的设计拓扑结构,某些特定的应用场景下更为适合。在比较NAND和NOR闪存在不同应用中的相对优势和适用性之前,检查其结构差异是很重要的。
NAND闪存产品是当今已经达到高水准的存储芯片,是当前市面上嵌入式以及独立式SSD的主要原材料。多层单元(MLC)技术和3D制造工艺的结合,将NAND存储单元垂直蚀刻到硅衬底上,使存储密度和NAND芯片容量呈几何级增长。
NAND与NOR电路基础
尽管NAND闪存是这两种非易失性内存技术中相对流行的一种,但NAND和NOR都是由同一名东芝公司的工程师在上世纪80年代中期发明的。要理解这两个种类的区别和命名,需要简要回顾一下逻辑门的基础知识。
NAND和NOR分别涉及到布尔逻辑函数中的逻辑“和”(and)以及“或”(or)。如下所示,NAND和NOR都生成响应两个二进制输入的输出。
响应两个二进制输入的NAND和NOR输出
NAND和NOR逻辑门仅仅为它们各自的功能实现了上面这个真值表。
NAND门在概念上是作为AND门实现的——当两个输入都是1时输出1——后面跟着一个NOT门,这是一个逻辑反转。相应的,NOR门在概念上是一个OR门——有任何一个输入是1时输出1,然后是NOT门,这是一个逻辑倒装。
布尔逻辑的背景对于理解NAND和NOR闪存至关重要,因为闪存单元被连接到一个行和列的数组中。在NAND闪存中,一组中的所有单元(通常是一个字节的倍数,取决于芯片的大小)共享一条位线,并以串行方式连接每个单元,每个单元连接到一个单独的字行。同一字行连接一个内存块中的多个字节,通常为4 KB到16 KB。因此,只有当所有的字线都是高或单状态时,位线才会降低或变为零状态,这实际上将内存组转换为一个多输入NAND门。
与此相反,NOR闪存并行组织位线的方式是,当位线和字线都处于低或零状态时,内存单元只保持高或单状态。
NAND单元的串联结构使得它们可以通过导电层(或掺杂层)连接在衬底上,而不需要外部接触,从而显著减少了其横截面积。
NAND闪存单元的串联连接意味着它们不需要单元之间通过金属层进行外部接触——而这正是NOR拓扑结构所需的。使用导电层连接硅衬底上的单元意味着NAND闪存的密度通常比NOR高两个数量级,或100倍。此外,组内单元的串联连接使它们可以垂直地堆积在3D数组中,位线类似于垂直管道。
相反,由于NOR闪存单元不能单独寻址,因此它们对于随机访问应用程序更快。
NAND与NOR产品类型
这两种类型的闪存具有明显的特性和性能差异,它们有各自最适合的应用程序类型。除了容量外,NAND和NOR闪存还具有不同的运行、性能和成本特性,如下图所示。
这两种闪存中也有几种不同的产品类型,它们在I/O接口、写入持久性、可靠性和嵌入式控制功能方面有所不同。
NAND闪存产品类型
NAND闪存以单层(SLC)、多层(MLC)、三层(TLC)或四层(QLC)的形式在每个单元(cell)中存储bit,分别为1 bit/cell、2 bit/cell、3 bit/cell、4 bit/cell。要确定哪种类型的NAND最适合于工作负载,简单来说,每个单元的位数越高,其容量就越大——当然,是以数据持久性和稳定性为代价的。
NAND设备只是没有任何外围电路的存储芯片,这些外围电路使NAND闪存可以在SSD、U盘或其他存储设备中使用。相比之下,托管型NAND产品嵌入了一个内存控制器来处理必要的功能,比如磨损调平、坏块管理(从使用中消除非功能性内存块)和数据冗余。
NOR闪存产品类型
串行设备通过只暴露少量(通常是1到8个)I/O信号来减少包的pin数。对于需要快速连续读取的应用程序来说,这是理想的选择。NOR闪存通常用于瘦客户机、机顶盒、打印机和驱动器控制器。
并行NOR产品暴露多个字节,而且通常使用内存页而不是单独的字节进行操作,更适用于启动代码和高容量应用程序,包括数码单反相机、存储卡和电话。
两种闪存都是不可或缺的
NAND是闪存的主力,广泛用于嵌入式系统和SSD等存储设备的大容量数据存储。不过,NOR 闪存在存储可执行的启动代码和需要频繁随机读取小数据集的应用程序方面起着关键作用。显然,这两种类型的闪存将继续在计算机、网络和存储系统的设计中发挥作用。
原文作者:Kurt Marko
相关问答
NAND 类型?由于闪存的成本取决于其裸片面积,如果可以在同样的面积上存储更多数据,闪存将更具成本效益。NAND闪存有三种主要类型:单层单元(SLC)、多层单元(MLC)和三层单元...
nand闪存 架构分为?主要分为slc,mlc,tlc在固态硬盘中,NAND闪存因其具有非易失性存储的特性,即断电后仍能保存数据,被大范围运用。根据NAND闪存中电子单元密度的差异,又可以分...
固态硬盘的 闪存 类型:SLC MLC TLC 各指的是什么?哪种比较好? ...除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:1...
p50e的 闪存 类型是什么?是ufs三点一的。华为p50e辅以LPDDR5内存和UFS三点一闪存。华为P50E手机采用高通骁龙778G-4G处理器,搭载了六点五英寸90Hz刷新率屏幕。闪存芯片分类:1、...
英睿达如何分辨tlc还是qlc?1.查看产品规格。在购买英睿达SSD时,可以在产品规格中查看所使用的闪存类型。一般来说,TLCNAND闪存的举例都是写成"3-bitNANDflash",而QLCNAND闪...
nand闪存 不能低于多少纳米?从技术上讲,nand闪存不能低于20纳米。随着技术的不断发展,nand闪存的制程技术在近年来已经逐渐迈入了16nm、14nm甚至更小的节点。这是因为随着nand闪存芯片的...
万福德c3000sdh和f6怎么选?万福德C3000SDH和禧玛诺f6都是高性能的钓鱼用具,选择哪一个取决于个人需求和偏好。以下是它们的一些特点供你参考:万福德C3000SDH采用了SATAIII接口和3DNAND...
如何看待SK Hynix量产4D NAND闪存 ?随着64层堆栈3DNAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3DNAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SKHynix给他们的新闪存起...
打破韩国垄断:紫光2019年要量产64层 NAND闪存 ?好像别的回答都是网上抄来的。在大的时间范畴上看我国64层NAND在技术层面看必然会成功。当然不是一定是紫光和长江存储。粗浅见解如下,紫光本是一个整合资源...
plce 闪存 是固态硬盘吗?PLCE闪存是一种固态硬盘的存储技术。固态硬盘(SolidStateDrive,简称SSD)是一种由固态电子存储芯片组成的硬盘,而PLCE是一种闪存技术,它使用了一种叫做可...