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nand东芝与三星闪存制造哪家强？三星V-NAND V6对比东芝BiCS5

发布时间 : 2025-04-13

作者 : 小编

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闪存制造哪家强？三星V-NAND V6对比东芝BiCS5

东芝在1987年发明了NAND闪存，时至今日我们已经用上了64层3D堆叠闪存制成的手机和电脑硬盘，96层堆叠的产品也已经开始逐步面世。不过我们今天要讨论的是下下代128层堆叠3D闪存产品。

尽管128层堆叠目前还停留在技术层面上，通过前不久的ISSCC（IEEE国际固态电路峰会）我们能够找到一些有关未来闪存技术的发展方向。

在3D闪存的发展历史上，东芝宣称自己是最早提出3D堆叠闪存技术的公司（2007年），不过最早将3D闪存带入大规模应用的则是三星（2013年，24层堆叠）。目前三星已经披露了第六代V-NAND的计划，预计采用11X层（110~120）堆叠。

与之对应的是东芝BiCS5，预计采用128层堆叠，二者都有TLC和QLC两种类型。下图是东芝在ISSCC上公开的BiCS5 3D TLC闪存关键参数，值得注意的是它同样采用4平面设计，写入速度较三星更高。

对比双方公开的参数信息可以发现，东芝BiCS5在存储密度和写入速度上拥有显著优势，而三星V-NAND V6则凭借更新的Toggle 4.0闪存接口取得了读取延迟方面的领先。（PCEVA小编注：Toggle是由东芝和三星在2010年共同提出的闪存接口规范，影响闪存芯片与固态硬盘主控之间的通信速度）

除了性能之外，成本控制同样是3D闪存技术优越性的一个体现。毕竟3D闪存的问世主要就是为了解决半导体制程微缩瓶颈，助力闪存存储密度不断上升、每GB价格不断下降。

通过单Die容量与面积计算的结果来看，东芝BiCS闪存在存储密度上的优势明显。不过这能否能最终转化为制造成本上的领先，还要受到其他诸多因素的共同影响。

以下是通过公开渠道收集到的各闪存原厂最新3D闪存技术规格，国产还需继续努力提升自身竞争力，发展技术创造成本优势，先渡过眼前闪存价格不断下降的寒冬。

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）