数据告诉你旗舰级NVMe M2 SSD到底有多快！

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动图：斯特林发动机

进入2018年，我们就开始说NVMe M.2 SSD即将会成为市场主流。在刚刚过去的Computex 2018展会上，各存储厂商推出的新品也足以证明这一点。在消费者日益追求极速传输的时候，NVMe M.2 SSD用超过SATA3.0 SSD五倍的传输速度来展示自己的实力。另外，不同主控与闪存颗粒的NVMe M.2 SSD也存在着很大的速度差异。今天编辑用WD Black NVMe 1TB SSD实测数据告诉你一款旗舰级NVMe M.2 SSD有什么过人之处！

NVMe M.2 SSD优势得益于NVMe传输标准、M.2接口

NVMe M.2 SSD这个名称拆分来看，NVMe和M.2都是关键词。也正是因为这两个词造就了NVMe M.2 SSD的极速传输速度。所以我们有必要先了解一下NVMe传输标准、M.2接口的优势分别是什么。

║NVMe比AHCI传输标准的优势不是一点点

SATA3.0 SSD采用的是AHCI传输标准，每条命令则需要读取4次寄存器，一共会消耗8000次CPU循环，从而造成2.5μs的延迟。而NVMe标准能有效降低控制器和软件接口部分的延迟，最主要是能让SSD走PCI-E通道直连CPU，有效降低了数据延迟，执行命令时则不需要读取寄存器。另外，NVMe还加入了自动功耗状态切换、动态能耗管理、免驱等功能，驱动适应性广，低功耗。

NVMe比AHCI优势明显

也就是说，NVMe协议提供对硬件的识别和支持，有更好的性能和可用性。去年发布的NVMe1.3标准更是增加了自检、清理、非操作电源状态允许模式和指令与流等一系列功能，采用这一传输协议的SSD就会更好用。

║M.2接口成为主流是有原因的

目前市场上SSD的传输接口不只是M.2，最为常见的还有SATA3.0、PCI-E、U.2等等，为何大家都在说M.2接口成为主流呢？肯定有它过人之处。首先，M.2 接口的SSD尺寸小满足用户追求轻便的需求。为了适应越来越快的信息时代节奏，大家买笔记本、台式机都是朝着更轻薄、更小巧去的，这就要求每一个零部件都要压缩体积。M.2 SSD改变了2.5英寸的状态，而是变得更轻薄短小，插在主板上也更为服贴。M.2 接口节省的空间可以让OEM集成其他功能或者把产品做得更加轻薄，符合新时代需求。

M.2 SSD尺寸小巧轻便

另外，M.2接口支持NVMe传输协议，拥有更大的带宽，提高SSD的IOPS，大大减少SSD的延迟。接口通用性比其他支持NVMe传输协议的接口（譬如PCI-E接口）要好，体积小巧、更适合放在各种移动端平台。PS：PCI-E接口传输速度也很快，但是相比M.2接口，占位置更大，更适合企业用户搭建高性能大容量平台。

同为NVMe M.2 SSD，速度也存在很大差异

这时候可能有人要问了，市场上NVMe M.2 SSD这么多，速度却是参差不齐，这是为什么呢？这就不得不说决定SSD传输速度的另外两个重要因素了，那就是主控和闪存。在这里编辑以WD Black NVMe 1TB SSD为例，跟大家聊一聊旗舰级NVMe M.2 SSD的极速度是怎么来的。

WD Black NVMe 1TB SSD

║闪存颗粒和主控影响SSD的性能

WD Black NVMe 1TB SSD是西部数据独家研发并且生产的一款高性能NVMe SSD，采用西部数据自家设计的架构，搭载了SanDisk 20-82-007011主控芯片，这款芯片布置在硬盘中间，有两点好处。一是可以充分把热量扩散到硬盘其他位置；二是距离两个闪存芯片的距离都很短，有效提升传输效率。同时，这款SSD采用全新的3D NAND技术，两颗SanDisk 05560 512GB的64层3D NAND闪存芯片，64层3D NAND闪存大幅度提升颗粒的容量。此外3D闪存的立体结构使得单元与单元之间的距离拉开，也提升了硬盘的稳定性与耐久性。

║到底旗舰级NVMe M.2 1TB SSD有多快？

测试产品： WD Black NVMe M.2 SSD

容量: 1TB

闪存： SanDisk 05560 3D NAND

主控： SanDisk 20-82-007011

特色： 配置WD SSD仪表盘软件

接口： M.2

尺寸： 22mm X 80mm

标称读取速度: 高达 3400MB/s

测试平台：

CPU： 英特尔 Core i7 6700K

内存： 宇瞻黑豹2x8GB DDR4 2400内存

硬盘： 饥饿鲨TR150 480GB固态硬盘

主板： 技嘉Z170X-UD3

显卡： CPU核显

操作系统： Windows 10专业版

随机读取速度达到2736.6MB/s

4K随机读取速度达到521010 IOPS

在AS SSD测试软件应用中，WD Black NVMe 1TB SSD的随机读取速度达到2736.6MB/s，随机写入速度达到2454.96MB/s，4K随机读取速度达到521010 IOPS，4K随机写入速度达到229501 IOPS，这样的表现足以征服市场上大多数NVMe M.2 SSD。

3413MB/s连续读取速度

在CDM测试中，WD Black NVMe 1TB SSD跑出了3413MB/s连续读取速度，以及2841MB/s连续写入速度，充分展示了WD自主主控与闪存的性能实力。

另外，使用WD Black NVMe 1TB SSD之后，相比使用SATA总线SSD，游戏加载时间可以缩短近四成，文件传输速度可提升5倍，而在网吧或是电竞比赛场合重视的系统镜像恢复流程，速度也能快45%，可以有效缩短由于设备问题而产生的暂停时间。强大的应用性能足以证明旗舰级性能实力，并且也展示了WD SSD进军电竞游戏领域的决心。

WD SSD仪表盘

不仅如此，WD Black NVMe 1TB SSD还可以搭配WD SSD仪表盘，随时监控硬盘的使用情况、温度，还会提示你SSD的传输接口形式。同时，你还可以设置SSD当做数据自动保存盘、备份盘等等。总之，WD Black NVMe 1TB SSD搭配仪表盘使用，可以更安全稳定地使用。

总结：旗舰级NVMe M.2 SSD挑战SSD速度极限

WD Black NVMe 1TB SSD用实际测试速度证明了作为一款旗舰级NVMe M.2 SSD的实力，性能方面挑战SSD速度极限，在质保售后方面也处于行业顶尖水准，600TBW的超高耐久度也能保证其质量，绝对是高端游戏主机SSD搭配首选。当然，它的价格也是比之前的入门级NVMe M.2 SSD高不少，购买的时候就需要用心进行权衡了。

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慧荣科技推出适用于 AI 智能手机、边缘计算和汽车应用的UFS 40 主控芯片

2024年3月13日--全球NAND闪存主控芯片领导厂商慧荣科技(NasdaqGS:SIMO)，今日宣布推出UFS（通用闪存存储）4.0主控芯片SM2756。作为业界使用最广泛的UFS主控芯片解决方案系列的旗舰产品，可满足人工智能手机和其他高性能应用（包括汽车和边缘运算）不断增长的需求。同时还新增了第二代SM2753UFS3.1主控芯片，以扩展其产品组合，支持从UFS4.0至UFS2.2标准。慧荣科技UFS产品系列为旗舰、主流和高性价比手机及其他移动计算设备提供高性能、低功耗的嵌入式存储，支持最广泛的NAND闪存，包括下一代高速3DTLC 和QLCNAND。

最新的SM2756UFS 4.0 主控芯片解决方案是全球最先进的主控芯片，基于领先的6纳米EUV技术，采用MIPIM-PHY 低功耗架构，提供高性能和电源效率的最佳平衡，满足现今高端AI移动设备的全天候计算需求。SM2756实现4,300MB/s 以上的循序读取性能和4,000MB/s 以上的循序写入速度，支持最广泛的3DTLC 和QLCNAND 闪存，容量高达2TB。

全新第二代SM2753UFS 3.1 主控芯片解决方案，采用高速串行链路的MIPIM-PHY HS-Gear4x2-Lane标准和SCSI体系结构模型(SAM)，实现前所未有的性能。继SM2754UFS3 主控芯片取得成功后，SM2753以单通道的设计特点，采用新一代3DTLC 和QLCNAND，提供2150MB/s 的循序读取性能和1900MB/s 的循序写入性能，满足当前手机、物联网和汽车应用中不断增长的UFS3.0市场需求。

慧荣科技最新UFS主控芯片解决方案搭载先进的LDPCECC 技术，具备SRAM数据错误检测和校正功能，增强数据可靠性、提高性能并降低功耗。最新UFS主控芯片解决方案支持最广泛的NAND，包括所有领先闪存制造商最新的3DTLC 和QLCNAND 产品。

慧荣科技终端和车用存储业务高级副总段喜亭表示：“采用6纳米EUV制程的SM2756满足最新的高端智能手机对高性能、高容量和低功耗NAND存储的需求，符合下一代AI功能和应用。”他指出：“最新的单通道SM2753能够使我们通过更具成本效益、高性能和低功耗的主控芯片，在扩大且不断增长的UFS3.0市场中保持领先地位。”

UFS4.0SM2756：

符合 JEDEC UFS 4.0 标准并支持 HS-Gear-5 x 2-Lane、MPHY 5.0 和 UniPro 2.0 标准

双通道 NAND 闪存主控芯片，并支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎，支持低功耗解码模式，通过软信息进行高纠错功能

循序读取 / 写入性能：4300MB/s / 4000MB/s

2024 年中批量生产

UFS3.1 SM2753

符合 JEDEC UFS 3.1 标准并支持 HS-Gear-4 双通道、MPHY 4.1 和 UniPro 1.8 标准

单通道 NAND 闪存主控芯片，支持 1.8V/1.2V I/O 操作和 Toggle DDR 5.1 / ONFI 5.1 NAND

LDPC ECC 引擎，支持低功耗解码模式，通过软信息进行高纠错功能。

循序读取 / 写入性能：2150MB/s / 1900MB/s

目前进入批量生产

慧荣科技将于3月20日在深圳举办的CFMS| MemoryS 2024峰会中展示最新的UFS控制芯片，以及最新的消费级和企业级SSD解决方案，同时也受邀于峰会主论坛中进行演讲。

(8604306)

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