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美光232层NAND 美光官宣，业界首款232层NAND量产

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

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美光官宣，业界首款232层NAND量产

NAND Flash层数竞争愈演愈烈，继176层NAND之后，各大原厂瞄准200层以上NAND技术，其中美光科技率先突破，三星、铠侠等也在蓄势待发。

NAND Flash进入232层时代

美国东部时间2022年7月26日上午9时，美光科技宣布推出全球首款232层NAND，该产品现已在美光新加坡工厂量产，它最初以组件形式通过美光旗Crucial英睿达SSD消费产品线向客户发货。随后美光将发布其他产品和可用性公告。

△美光232层NAND，图片来源：美光

与前几代美光NAND相比，美光232层NAND具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效，从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

美光232层NAND技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和PC上的响应式沉浸式体验。

△美光232层NAND，图片来源：美光

该技术节点能够引入业界最快的NAND I/O速度—每秒2.4GB(GB/s) ，以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。这一速度比美光176层节点上启用的最快接口快50%。

与上一代相比，232层NAND还提供高达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。这些单芯片优势转化为SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效提升。

美光表示，232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的生产产品，这是一种低压接口，与之前的I/O接口相比，每比特传输节省30%以上。因此，232层NAND解决方案为数据中心和智能边缘的移动应用和部署提供了理想的支持，必须在提高性能和低功耗之间取得平衡。该接口还向后兼容以支持旧控制器和系统。

232层NAND的紧凑外形为客户的设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最高的每平方毫米TLC密度（14.6Gb/mm2），其单位储存密度较目前市场上的TLC竞品相比高出35%至100%。232 层NAND采用新的11.5mmx13.5mm封装，其封装尺寸比美光前几代产品小28%，使其成为市面上最小的高密度NAND。更小尺寸的更高密度可最大限度地减少用于各种部署的电路板空间。

原厂还瞄准500层以上NAND技术

NAND Flash 3D堆叠成为主流技术，层数跨越176层、迈进232层之后，未来原厂将发力200层、300层、400层、甚至500层以上NAND技术。

美光方面，232层NAND不是该公司闪存技术迭代的终点，今年5月美光曝光的技术路线图显示，232层之后美光还将发力2YY、3XX与4XX等更高层数。

△美光闪存技术路线

美光之外，三星电子、西数、铠侠等原厂也在积极推进闪存层数迭代。

今年2月韩媒报道，三星电子将在2022年底推出200层或以上的第八代NAND闪存。业界透露，三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。

今年5月西数对外表示，将与合作伙伴铠侠2022年底前开始量产162层闪存产品（BiCS6），未来两家公司还将推出200层以上（BiCS+）的闪存产品，2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

△西数闪存技术路线图

结语

大数据、云计算等技术发展，持续提升NAND Flash需求，同时也不断推动着NAND技术的升级和迭代，NAND Flash原厂层数竞争或将更加激烈。美光已经官宣232层NAND量产，未来谁将引领NAND Flash迈向更高层数时代？我们拭目以待。

文章来源：全球半导体观察奉颖娴

美光宣布已量产全球首款232层NAND

北京时间7月27日，Micron宣布已量产全球首款232层NAND。它采用了业界领先的创新技术，从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代NAND相比，该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效，能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。

美光出货全球首款232层NAND，进一步巩固技术领先地位

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示：“美光232层NAND率先在生产中将3D NAND堆叠层数扩展到超过200层，可谓存储创新的分水岭。此项突破性技术得益于广泛的创新，包括创建高深宽比结构的先进工艺能力、新型材料的进步，以及基于美光市场领先的176层NAND技术所进行的进一步设计创新。”

领先技术铸就卓越性能

随着全球数据量的增加，客户必须扩大存储容量，提升性能，同时降低能耗，并满足对环境可持续发展更为严格的要求。美光232层NAND技术提供了必要的高性能存储，支持数据中心和汽车应用所需的先进解决方案和实时服务，同时还可在移动设备、消费电子产品和PC上实现快速响应和沉浸式体验。美光还在该技术节点上实现了业界最快的NAND输入/输出（I/O）速度[1]（每秒2.4GB），以满足低延迟和高吞吐量的需求，适用于人工智能和机器学习、非结构化数据库和实时分析，以及云计算等数据密集型工作负载。该I/O速度比美光在176层节点上所支持的最高速度还要快50%[2]。相比上一代产品，美光232层NAND的每颗裸片写入带宽提升至高100%，读取带宽提升至少75%[2]。这些优势提升了SSD和嵌入式NAND解决方案的性能和能效。

此外，美光232层NAND还是全球首款六平面TLC量产NAND[3]。与其他TLC闪存相比，该产品在每颗裸片上拥有最多的平面数量[3]，且每个平面都具有独立的数据读取能力。高I/O速度和低读写延迟，以及美光的六平面架构，使其可在多种配置中提供一流的数据传输能力。该结构可确保减少写入和读取命令冲突，推动系统级服务质量的提升。

前沿创新技术带来了具备最高性能和晶圆密度的TLC NAND，并全部采用业界最小封装

美光232层NAND是首款支持NV-LPDDR4的量产技术。NV-LPDDR4是一种低压接口，与此前的I/O接口相比，每比特传输能耗可降低至少30%。因此，232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡，是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外，该接口还可向后兼容，支持传统控制器和系统。

232层NAND紧凑的外形规格还便于客户进行灵活设计，同时实现超越历代产品的每平方毫米最高的TLC密度(14.6 Gb/mm2)[3]。其面密度比当今市场上的TLC竞品高35%到100%[3]。它还采用全新的11.5mm x 13.5mm封装规格，较前几代产品的封装尺寸小28%[2]，使其成为目前市场上尺寸最小的高密度NAND[3]。该产品兼具小体积和高密度，因此占用更小的电路板空间，适用于各类部署。

下一代NAND助力整个市场实现创新

美光首席商务官Sumit Sadana表示：“美光持续率先上市更高堆叠层数的NAND，实现移动设备更长的电池续航和更紧凑的存储空间，提升云计算性能，加快AI模型的训练速度，从而能够保持长期的技术领先地位。美光232层NAND为端到端存储创新确立了新基准，助推多个行业的数字化转型。”

232层NAND的开发得益于美光领先业界的研发和制程技术进步。这些突破性技术将帮助客户在数据中心、轻薄笔记本电脑、新型移动设备和智能边缘等领域打造更多创新解决方案。

供货情况

美光232层NAND目前已在其新加坡晶圆厂实现量产，并首先以组件形式通过英睿达（Crucial）SSD消费类产品线向客户出货。其他产品信息及供货状况将在稍后公布。

美光位于新加坡的NAND卓越中心因其在智能制造领域的优秀运营能力而被世界经济论坛列入其全球灯塔工厂网络。先进的AI工具、智能控制系统和预测能力使美光能够加速产品开发，强化产品质量，更快提升良率，从而缩短产品上市时间。

[1]上市时NAND I/O速度为1.6GB/s

[2]与美光产品数据表比较

[3]与当前市场上出货的NAND产品比较

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美光官宣，业界首款232层NAND量产

美光宣布已量产全球首款232层NAND

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