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NAND层数和纳米工艺三星的3D V NAND的堆叠层数由32层提高到48层

发布时间 : 2025-01-19

作者 : 小编

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三星的3D V NAND的堆叠层数由32层提高到48层

Techinsights讨论三星的32层与48层3D V-NAND在结构上的不同

三星己经开始量产它的48层3DVNAND芯片（48层单元栅在一个NAND中串接在一起，称作第三代）应用在SSD中，如SSDT3（mSATA及850EVOV2），NVMeSSD（PM971-NVMe）以及企业级SSD（PM1633a）

在三星最新的48层器件中是采用16个NAND管芯堆叠一起,然后用引线键合技术连结。三星的48层V-NAND器件中集成了512GB存储单元，表示每个NAND芯片是32GB(256GB)。三星的32层(第二代)V-NAND芯片包括10.67GB(85.33GB)。它的第二代与第三代V-NAND有什么不同，不会仅是32层与48层数之间的差异。

TechInsights从单元结构，材料，布局及封装全面进行分析与比较，下面是其中的亮点;

存储器密度及芯片尺寸

图1表示16个48层V-NAND芯片与两个F-Chips封装在一个MCP(multichip package)中,32层V-NAND芯片面积是84.33平方毫米，而48层芯片为99.8平方毫米,如图2所示,表示它的长度更长,面积增加了17.3%。以单位面积的存储器密度计增加到每平方毫米2.57Gb。相比先进制程的2D NAND器件如东芝的15纳米是TLC NAND是1，28Gb/mm平方.

在管芯布局方面的关键不同如下;1),平面NAND存储器阵列的面积,2),位线开关和页缓冲区的面积,3),逻辑及外围电路的面积,及4),增加F芯片。每个管芯有两个区。NAND存储器阵列的面积由48.9平方毫米增加到68.7平方毫米，表示增大40.3%。位线开关电路面积与32层一样，页缓冲区的面积减少20%。逻辑及外围电路面积减少34.8%，换句话说三星大大缩小页缓冲电路与外围电路的面积，可以进一步增加存储器密度及提高管芯的效率。在MCP结构中16芯片堆叠，每个芯片的厚度己由132微米缩减至36微米。

Figure 1. Samsung 48L V-NAND device stacked withsixteen vertically stacked NAND dice and two F-Chips, teardown image(Source: TechInsights)

Figure 2. Comparison die photograph with 32L and 48LV-NAND (Source: TechInsights)

采用Fchip新的结构

在去年ISSCC 2015会上三星提出在NAND闪存MCP中引入嵌入式F Chip结构。总体上SSD的硬件结构是由存储器控制器,NAND闪存及DRAM组成。

.F Chip实现点对点在存储器控制器与F Chip之间的I/O总线的拓扑联结,当在沟道的存根处遭受到不受欢迎的反射时。除此之外,F Chip减少在F Chip到NAND接口的电容负载,通过执行和平均分配在F Chip与NAND之间的两个内部I/O总线。它支持由I/O讯号由存储器，控制器到NAND器件的时间再分配模式。

由于在带异步接口的NAND器件中固有的时序抖动,F Chip同样可减少时间容限。一个F Chip连接8个V NAND芯片,表示在一个16个芯片堆叠结构中嵌入两个F Chip。图3表示在MCP中去除F Chip后的结构图。F Chip包括电路模块,如ROM,DCgenerator,CMD编码器,数据通路,TX/RX及引线键合区。F Chip芯片面积为0.057平方毫米。

Figure 3. F-Chip die removed from Samsung 48L 3DV-NAND MCP (Source: TechInsights)

存储器单元阵列结构与架构

与第二代32层VNAND比较，显然第三代48层VNAND单元结构有更多数量的单元栅，意味着工艺集成具有更大挑战及可控性。硅沟道孔及CSL（common source line）的沟漕付蚀工艺的深宽比分别为约33及26，相比32层V NAND更高。CTF(charge trap flash memory)或者CTL(charge trap layer)通常采用铝基的高k介质阻挡层。

选择晶体管包括SSL( string select line)及GSL(ground select line),dummy gates及bitline strap的设计与上一代一样,但是SEG(silicon epitaxial growth)硅外延的高度减小。32层V NAND器件有三层金属层,而48层V NAND有四层金属层。一个附加的新的金属层(通常称M0)加在CSL/MC层上,可能是为了提高单元设计的效率。

1y nm 2D和48层3D V NAND的成本比较

1y nm 2D平面型NAND,如16nm或15nm MLC/TLC NAND器件，它的存储器单元阵列及外围电路包括well/active/isolation(SA-STI,自对准STI)形或;cell FG/CG及周围栅的形成以及接触与互联(金属和贯孔)形成。显然在2D 平面型 NAND器件制造工艺中需要采用DPT(两次图形曝光),或者QPT(皿次图形曝光),甚至空气栅工艺来作存储器单元阵列中的active,字线及位线的图形。因此在1y nm NAND制造中通常要40-45张掩膜。

另一方面,在32层3D V NAND器件中,采用垂直硅通孔技术( CHT),及20nm的位线 half pitch(用DPT两次图形曝光)需要使用超过50张掩膜,由于反复修整在存储器阵列的边缘要与每个钨接触孔连接的如楼梯状的栅线的图形。而在48层3D V NAND中需要56张掩膜。

尽管48层与32层在存储器结构/材料及单元设计是一样的,但是栅堆叠层数的增加会引起光刻工艺的吞吐量,缺陷及成品率的问题。随着NAND制造商都热切量产48层,64层,96层,甚至128层时提高成品率成为首要任务，以及期望位成本继续呈陡坡的下降。

未来NAND闪存的技术

与3D NAND一样,2D器件的竞争发展也在进行之中。显然2D NAND的尺寸继续缩小可能己达极限,因此主要的NAND供应商如三星，东芝，新帝,美光,英特尔后SK海力士都在攻克3D NAND,通过园柱形沟道把NAND垂直的串在一起。当单元栅堆叠的层数越来越多时,相比2D NAND有望可提供更高的密度，高功能，更高可靠性及更低功耗。时至今日三星的32层及48层3D V NAND及Micron/Intel的32层 3D NAND开始量产供应市场。

东芝,新帝和SK海力士，它们的3D NAND还未量产，比预期的拖长时间。三星领先的32层及48法3D V NAND是基于电荷俘获型闪存(CTF)架构,或者称电荷俘获层(charge trap layer,CTL),采用高k阻挡层及金属栅。CTL是一层非导电层，如氮化硅层，可作为一层绝缘层,它与其它的存储器单元一样,设计用来减少单元与单元的干扰，降低误操作及增加可靠性。

由于3D NAND单元架构对于单元与单元之间的干扰不敏感,因此写入数据速率可大幅提高,功能更佳。编程的步数大幅减少及功耗低。目前48层的3D NAND,相比32层己经非常接近于2D NAND的每位价格曲线。业界正期望未来的64层 3D NAND从价格方面能比过2D NAND。未来3D NAND将继续向64层,96层及128层发展,分析它们的困难在于多晶硅沟道的迁移率,深宽比付蚀，以及缺陷与成品率控制等。

回答开初的问题三星的48层3D V NAND是否仅是垂直的堆叠层数增多？显然不是。除了垂直堆叠层数增加之外,为了提高单元的功能与效率采用多层金属层，新增嵌入式F Chip,并封装在一体，以及减少逻辑与外围电路面积近30%,以及增加芯片效率。是一次十分肯定的3D V NAND集成的进步。

三星量产第五代V-NAND闪存：90层堆栈，QLC闪存在路上

2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存，以TLC闪存为主，下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存，业界首发Toggle DDR 4.0接口，速率达到了1.4Gbps，堆栈层数超过90层。此外，三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

三星的V-NAND是3D NAND闪存中的一种，目前主力生产的是第四代V-NAND，堆栈层数64层，现在量产的是第五代V-NAND闪存，核心容量256Gb并不算高，但是各项指标很强大，它首发支持Toggle DDR 4.0接口，传输速度达到了1.4Gbps，相比64层堆栈的V-NAND闪存提升了40%。

第五代V-NAND闪存的性能、功耗也进一步优化，工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的，只有500us，比上一代闪存提升了30%，读取信号的响应时间也缩短到了50us。

三星的第五代V-NAND闪存内部堆栈了超过90层CTF Cell单元，是目前堆栈层数最高的，这些存储单元通过微通道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以存储三位数据（这是TLC闪存）。

此外，第五代V-NAND闪存在制造工艺上也做了优化，制造生产效率提升了30%，先进的工艺使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间的窜扰，提高了数据处理的效率。

除了第五代V-NAND闪存之外，三星还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存及QLC类型的闪存，继续推动下一代闪存发展。

三星目前正在加大第五代V-NAND闪存的量产，以便满足高密度存储领域——超算、企业服务器及移动市场的需求。